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半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)介(ppt61)-經(jīng)營(yíng)管理-文庫(kù)吧資料

2024-08-23 14:07本頁(yè)面
  

【正文】 ◆ 規(guī)格檢驗(yàn) 內(nèi)徑切割機(jī) 晶邊圓磨( Edge contouring) ◆ 目的 ?防止晶圓邊緣碎裂 ?防止熱應(yīng)力之集中 ?增加光阻層在邊緣之帄坦度 ◆ 方式 ?輪磨 ?化學(xué)蝕刻 ?晶面抹磨 輪磨示意圖 晶圓 真空吸盤(pán) 鑽石砂輪 晶面研磨 (Lapping) ◆ 去除鋸痕與破壞層 ◆ 帄坦化 (降低粗糙度 ) 化學(xué)蝕刻 (Etching) ◆ 目的 : 去除加工應(yīng)力所造成之損 傷層 ,以提供更潔淨(jìng)帄滑表面 ◆ 蝕刻液種類 ?酸系 : 氫氟酸 ,硝酸 ,醋酸混合 ?鹼系 : 氫氧化鈉 ,氫氧化鉀 ◆ 以研磨劑中之 NaOH,KOH,NH4OH腐蝕最表層 ,由機(jī)械磨擦進(jìn)行拋光 ◆ 邊緣拋光 ?降低微粒附著 ?增加機(jī)械強(qiáng)度 ◆ 表面拋光 ?去除微缺陷 ?帄坦化 晶圓 晶圓拋光 (Polishing) 晶圓清潔 (Cleaning)(一 ) ◆ SC1(RCA standard clean 1) ?化學(xué)品 :NH4OH,H2O2,H2O ?目的 :清除微粒子 ◆ SC2(RCA standard clean 2) ?化學(xué)品 :HCl, H2O2,H2O ?目的 :清除金屬粒子 晶圓清潔 (Cleaning)(二 ) ◆ SPM(Piranha Clean) ?化學(xué)品 :H2SO4,H2O2 ?目的 :清除有機(jī)物質(zhì) ◆ DHF(Dilute HF Clean) ?化學(xué)品 :HF,H2O ?目的 :清除表層氧化物 晶圓處理流程 微影製程 薄膜沉積 蝕刻 氧化反應(yīng) 摻雜 金屬化 製程 氧化反應(yīng) (Oxidation) ◆ 目的 :獲得 SiO2層 (如場(chǎng)氧化層 )做為元件絕緣體材料 ◆ 方法 : ?乾式氧化法 ? Si + O2 SiO2 ?濕式氧化法 ? Si + 2H2O SiO2 + 2H2 薄膜沉積 (Deposition) ◆ 物理氣相沉積 (PVD) ?主要應(yīng)用範(fàn)圍 : 金屬材料 ◆ 化學(xué)氣相沉積 (CVD) ?主要應(yīng)用範(fàn)圍 : 介電材料 ,導(dǎo)體材料 ,半導(dǎo)體材料 物理氣相沉積 蒸鍍 (Evaporation) A 接真空系統(tǒng) 蒸鍍室 晶片與晶座 蒸鍍?cè)? 坩堝加熱 物理氣相沉積 濺鍍 (Sputtering) 晶片 濺鍍?cè)? 正電極 負(fù)電極 電漿 濺鍍機(jī)
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