【正文】 (3)石英晶體振蕩器振蕩頻率高且穩(wěn)定。* 正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù)“虛斷”和“虛短” R2 =R1//Rf R2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5 第九章 信號(hào)發(fā)生電路(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：: 幅值條件 ：相位條件:、分類 正弦波振蕩器的組成(1)放大電路建立和維持振蕩。某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升高用 + 表示，降低用 － 表示）。Rs越小反饋效果越好。Rs越大反饋效果越好。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。、直流或交直流。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。2靜態(tài)分析1)計(jì)算差放電路IC 設(shè)UB≈0，則UE=－，得2)計(jì)算差放電路UCE ? 雙端輸出時(shí)? 單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)對(duì)于VT1：對(duì)于VT2：1）差模電壓放大倍數(shù)? 雙端輸出 ?? 單端輸出時(shí)從VT1單端輸出 ：從VT2單端輸出 ：2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：? 單端輸出:當(dāng)uI在+Uim與Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ： * 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；* 共模抑制比KCMR→∞； 1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”: “虛短”“虛斷”2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)* 電路特征——開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn)——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當(dāng)u+u時(shí)，uo=+Uom當(dāng)u+兩輸入端的輸入電流為零: i+=i=0第七章 放大電路中的反饋＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。 ↑→ iCiC2↑→ iEiE2 ↑→ uE↑→ uBEuBE2↓→ iBiB2↓→ iCiC2↓。β 2第六章 集成運(yùn)算放大電路，以減小零漂。 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源VCC。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。216。 盡限狀態(tài)：Uom=VCCUCES 216。 216。ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。 1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=180o。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。，便于集成。，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。 (表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)EMOS 的跨導(dǎo)gm * 靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則* 靜態(tài)分析或* 動(dòng)態(tài)分析第四章 多級(jí)放大電路；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。* NDMOS的輸出特性曲線注意：uGS可正、可零、可負(fù)。第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線 UP截止電壓（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。* 放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻 放大電路的等效電1．靜態(tài)分析射 路法2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后* 輸出電阻 1．靜態(tài)分析2．動(dòng)態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。（2）范圍*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。*消除方法減小Rb，提高Q。*交流負(fù)載線連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。*概念交流電流流通的回路*畫法電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。*作用確定靜態(tài)工作點(diǎn)*直流負(fù)載線由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。比， *概念直流電流通的回路。（簡(jiǎn)化）hie輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；hfe輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸 常用β表示；、VCC、Rb、Rc、CC2的作用。溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。第二章 三極管及其基本放大電路、類型及特點(diǎn) 。若 V陽(yáng) 216。2)等效電路法216。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路)。*~，~。*單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止? ~，~。*體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。第五篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章 半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。(2)LC振蕩器振蕩頻率較高,1M以上。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)與放大電路共同滿足振蕩條件。、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍*電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。Xid減小為負(fù)反饋；Xid增大為正反饋。（3）確定反饋信號(hào)的極性。反饋信號(hào)反饋到非輸入端）：（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。反饋信號(hào)反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。（輸出短路時(shí)反饋不消失）：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。（輸出短路時(shí)反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。二．反饋的形式和判斷。4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。=β1。甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL電容C2上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源VCC。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。216。盡限狀態(tài)：Uom=VCCUCES216。216。ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)*NEMOS的輸出特性曲線*NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。*輸入電阻高，輸出電阻低。（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’－UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。（1）Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）飽和失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高*失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。（1）截止失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低*失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。*作用分析信號(hào)被放大的過(guò)程。3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變Rb：Q