模擬電子技術(shù)模擬試題(參考版)

【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（），等效成一條直線；當(dāng)其反偏時(shí)，結(jié)電阻為（），等效成斷開(kāi)；

2025-03-28 04:55

模擬電子技術(shù)試題(參考版)

【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空（30分）1．本征半導(dǎo)體電子濃度（）空穴濃度；N型半導(dǎo)體的電子濃度（）空穴濃度；P型半導(dǎo)體的電子濃度（）空穴濃度。a：大于；b：小于；c：等于。2．場(chǎng)效應(yīng)管屬于（）控制型器件，晶體三極管則屬于（）控制器件。a：電壓；b：電流

2025-01-10 21:39

模擬電子技術(shù)試題(參考版)

【摘要】《模擬電子技術(shù)與應(yīng)用》試題(1)一、填空(16分)1．半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2．三極管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)為_(kāi)___偏置，集電結(jié)為_(kāi)____偏置；工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)為_(kāi)__偏置，集電結(jié)為_(kāi)___偏置。3．當(dāng)輸入信號(hào)頻率為fL和fH時(shí)，放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時(shí)的__倍，或者是下降了__dB，此時(shí)與中頻時(shí)相比，放大倍數(shù)的附加相移約為_(kāi)____。

2025-03-28 04:55

模擬電子技術(shù)模擬試題一(參考版)

【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（

2025-01-10 21:39

模擬電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)(參考版)

【摘要】模擬電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)試卷一一、單項(xiàng)選擇題：在下列各題中，將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)(本大題共13小題，總計(jì)34分)2、(本小題2分)若用萬(wàn)用表測(cè)二極管的正、反向電阻的方法來(lái)判斷二極管的好壞，好的管子應(yīng)為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大，反向電阻小(c)反向電阻比正向電

2024-10-31 08:12

模擬電子技術(shù)模擬試題一(參考版)

【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（

2024-11-02 08:43

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(參考版)

【摘要】專業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空（每空2分共24分）1．非線性失真與線性失真（頻率失真）的最主要差別是________。（A）非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒(méi)有得到

2025-03-28 04:55

數(shù)字電子技術(shù)模擬試題(參考版)

【摘要】數(shù)字電子技術(shù)模擬試題（1）一、填空題(每空1分，共20分)1、邏輯函數(shù)的化簡(jiǎn)方法有_________和____________。2、()10=()2=()8421BCD。3、表示邏輯函數(shù)功能的常用方法有_________、_________卡諾圖等。4、組合電路由________________構(gòu)成，它的輸出只

2025-07-28 22:21

電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)(參考版)

【摘要】電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)電子技術(shù)試卷一一、單項(xiàng)選擇題：在下列各題中，將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)(本大題共13小題，總計(jì)34分)1、(本小題2分)由開(kāi)關(guān)組成的邏輯電路如圖所示，設(shè)開(kāi)關(guān)接通為“1”，斷開(kāi)為“0”，電燈亮為“1”，電燈暗為“0”，則該電路為()。(a)“與”門(mén) (b)“或”門(mén) (c)“非”門(mén)2、(本小題2

2025-03-28 06:14

電力電子技術(shù)模擬試題三(參考版)

【摘要】電力電子技術(shù)模擬試卷四（考試時(shí)間　150分鐘）一、填空題（每小題1分，共14分）1．1．???三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2．2．???功率集成電路PIC分為二大類(lèi)，一類(lèi)是高壓集成電路，另一類(lèi)是________________。3．3．?&#

2025-03-28 06:07

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題(參考版)

【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1．在常溫下，硅二極管的門(mén)檻電壓約為，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為；鍺二極管的門(mén)檻電壓約為，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻小；反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴＃校谓Y(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散

2024-11-02 08:43

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)期末試題(參考版)

【摘要】填空題1．在常溫下，硅二極管的門(mén)檻電壓約為，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為；鍺二極管的門(mén)檻電壓約為，。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?，穩(wěn)壓二極管在使用時(shí)，穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián)，

2025-03-29 01:56

模擬電子技術(shù)試題及答案(參考版)

【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（），等效成一

2025-01-10 21:40

模擬電子技術(shù)模電資料模擬試題(參考版)

【摘要】模擬電路復(fù)習(xí)預(yù)習(xí)方法：1、掌握基本理論：二極管、三極管的特點(diǎn)和用途，反饋的定義、分類(lèi)、判斷，功率放大的原理與分類(lèi)，濾波器的基本原理，波形發(fā)生器的原理與能否起震的判斷，直流電源的基本原理及構(gòu)成。2、掌握的計(jì)算：三極管放大電路的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)分析，集成遠(yuǎn)放的相關(guān)計(jì)算，振蕩電路頻率計(jì)算，直流電源的簡(jiǎn)單計(jì)算。3、除開(kāi)本次提供的例題外同學(xué)們要重點(diǎn)復(fù)習(xí)預(yù)習(xí)課本習(xí)題。習(xí)題一、半導(dǎo)體二極管

2025-03-28 04:55

數(shù)字電子技術(shù)模擬試題7(參考版)

【摘要】泰山學(xué)院物理與電子科學(xué)系2005級(jí)電子信息科學(xué)與技術(shù)本科專業(yè)《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題10（試卷共8頁(yè)，答題時(shí)間120分鐘）題號(hào)一二三四五六總分統(tǒng)分人復(fù)核人得分得分閱卷人一、填空題（本大題共15分，每空1分）1、邏輯表達(dá)式中，異或的符號(hào)是

2025-03-28 02:54

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