【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-03-29 01:56
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴#校谓Y(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
【摘要】專業(yè)班號姓名學(xué)號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到
2025-03-28 04:55
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散
2024-11-02 08:43
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-25 19:42
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-01 20:13
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成斷開;
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻
2025-06-26 22:48
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為
2025-06-03 18:04
【摘要】1第1章直流電路習(xí)題解答在圖所示電路中,(1)選d為參考點(diǎn),求aV、b和cV;(2)選c為參考點(diǎn),求aV、b和dV。圖習(xí)題電路圖解(1)當(dāng)選d為參考點(diǎn)時(shí),V3ada??uVV112cdbcbdb??????uuuV;V1cdc
2024-10-17 09:08
【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導(dǎo)體電子濃度()空穴濃度;N型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度;P型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應(yīng)管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-01-10 21:39
【摘要】《模擬電子技術(shù)與應(yīng)用》試題(1)一、填空(16分)1.半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)為____偏置,集電結(jié)為_____偏置;工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)為___偏置,集電結(jié)為____偏置。3.當(dāng)輸入信號頻率為fL和fH時(shí),放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時(shí)的__倍,或者是下降了__dB,此時(shí)與中頻時(shí)相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》面向21世紀(jì)課程教材清華大學(xué)電子學(xué)教研組編第三版童詩白華成英主編嘉應(yīng)學(xué)院物理系教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第三版,童詩白華成英,高等教育出版社)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)》(楊剛,電子工業(yè)出版社)
2025-01-15 03:07
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學(xué)電氣工程系主講:黃友銳第二十講模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的應(yīng)用(簡介)乘法器是又一種廣泛使用的模擬集成電路,它可以實(shí)現(xiàn)乘、除、開方、乘方、調(diào)幅等功能,廣泛應(yīng)用于模擬運(yùn)算、通信、測控系統(tǒng)、電氣測量和醫(yī)療儀器等許多領(lǐng)域。模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的基本原理變跨導(dǎo)型模擬乘法
2025-01-04 09:20
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學(xué)電氣工程系主講:黃友銳第十二講負(fù)反饋對放大電路性能的影響負(fù)反饋是改善放大電路性能的重要技術(shù)措施,廣泛應(yīng)用于放大電路和反饋控制系統(tǒng)之中。負(fù)反饋對增益穩(wěn)定性的影響負(fù)反饋對輸入電阻的影響負(fù)反饋對輸出電阻的影響負(fù)反饋對通頻帶的影響負(fù)反饋對非線性失真的影響
2024-07-30 20:34