【摘要】一、填空題:(每空3分,共15分)1.邏輯函數(shù)有四種表示方法,它們分別是()、()、()和()。2.將2004個“1”異或起來得到的結(jié)果是()。3.由555定時器構(gòu)成的三種電路中,()和()是脈沖的整形電路。4.TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入(
2025-06-25 14:46
【摘要】翠屏電子職業(yè)技術(shù)學(xué)校電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalsofElectronics11.本課程的性質(zhì)電子技術(shù)基礎(chǔ)課2.特點?非純理論性課程?實踐性很強?以工程實踐的觀點來處理電路中的一些問題3.研究內(nèi)容以器件
2025-05-05 13:49
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子
2025-06-27 01:03
【摘要】緒論電子技術(shù)的基本任務(wù)可稱之為“信號的產(chǎn)生、信號的傳輸、信號的處理”,任務(wù)的完成取決于對電子器件、電子電路、電子系統(tǒng)的性能的研究。按照功能和構(gòu)成原理的不同,電子電路可分為模擬電路和數(shù)字電路兩大類。本課程著重討論模擬電路的基本概念、基本原理、基本分析方法及基本應(yīng)用。主要內(nèi)容
2024-12-11 10:23
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(),反偏時(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時,結(jié)電阻為(),等效成斷開;
2025-03-28 04:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(導(dǎo)通),反偏時(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時,結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時,結(jié)電阻為
2025-06-03 18:04
【摘要】17模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題冊第一章:基本放大電路習(xí)題1-1填空:1.本征半導(dǎo)體是,其載流子是和。載流子的濃度。2.在雜質(zhì)半
2024-08-15 23:33
【摘要】1第1章直流電路習(xí)題解答在圖所示電路中,(1)選d為參考點,求aV、b和cV;(2)選c為參考點,求aV、b和dV。圖習(xí)題電路圖解(1)當(dāng)選d為參考點時,V3ada??uVV112cdbcbdb??????uuuV;V1cdc
2024-10-17 09:08
【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導(dǎo)體電子濃度()空穴濃度;N型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度;P型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應(yīng)管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-01-10 21:39
【摘要】清華大學(xué)華成英模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?本課程是入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課清華大學(xué)華成英一、電子技術(shù)的發(fā)展?47年貝爾實驗室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-10-11 15:00
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運算放大器理想運算放大器的功能與特性理想運算放大器的電路符號與端口理想運算放大器的功能與特性運算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權(quán)加法器運算放大器的同
2025-06-28 22:30
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-16 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設(shè)初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2024-08-16 09:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-27 23:33
【摘要】模擬題一一、填空(20)分1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于,少數(shù)載流子的濃度則與有很大關(guān)系。2、場效應(yīng)管是控制器件,而雙極型三極管是控制器件。絕緣柵型場效應(yīng)管輸入電阻很大,是因為