【摘要】1第1章直流電路習(xí)題解答在圖所示電路中,(1)選d為參考點,求aV、b和cV;(2)選c為參考點,求aV、b和dV。圖習(xí)題電路圖解(1)當(dāng)選d為參考點時,V3ada??uVV112cdbcbdb??????uuuV;V1cdc
2024-10-17 09:08
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴?.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經(jīng)過電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個輸入信號uI1=uI2,則輸出電壓,uO=0;若uI1=100mV,uI2
2025-06-27 23:32
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴?.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經(jīng)過電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個輸入信號uI1uI2,則輸出電壓,uO0;
2024-10-22 15:23
【摘要】天津師范大學(xué)成人高等學(xué)歷教育考試試卷(A卷)2022-2022學(xué)年度第一學(xué)期考試科目:電子技術(shù)基礎(chǔ)班級:2022級電子信息科學(xué)與技術(shù)姓名:學(xué)號:題號一二三四五六七八總分分?jǐn)?shù)一、名詞
2025-01-11 20:12
【摘要】試卷二系別學(xué)號姓名成績考試課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)考試日期2002年12月12日題號一二三四五六七八九總分分?jǐn)?shù)得分核分人閱卷人
2025-06-03 12:20
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一.選擇題:1.若要使基本放大器不失真的放大交流信號,三極管必須工作在______狀態(tài)。A.飽和B.截止C.放大2.對功率放大電路的基本要求是在不失真的情況下得到盡可能大的______。A.輸出交流電壓B.輸出交流功率C.輸出交流電流3.要展寬放大
2025-06-03 18:04
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及參考答案試卷二(本科)及其參考答案試卷二一、選擇題(這是四選一選擇題,選擇一個正確的答案填在括號內(nèi))(共22分)1.某放大電路在負載開路時的輸出電壓4V,接入?k12的負載電阻后,輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為()a.10?kb.2?kc.4?k
2024-11-13 15:02
【摘要】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級_______學(xué)號______姓名______分?jǐn)?shù)______一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜越多,則
2024-10-29 11:36
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運動較強,PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-25 19:42
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-01 20:13
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負電。()
【摘要】試卷一答案一、單項選擇題(每空2分,共20分)1、(C)2、(B)3、(D)4、(D)5、(A)6、(D)7、(D)8、(A)9、(C)10、(C)二、填空題(每空1分,共30分)1、互阻放大、互導(dǎo)放大2、摻雜、光照3、Au≤1(或放大倍數(shù)小于等于1,輸出電壓
2024-11-13 11:44
【摘要】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級_______學(xué)號______姓名______分?jǐn)?shù)______題號得分閱卷一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-16 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-27 23:33