半導(dǎo)體制造工藝之?dāng)U散原理概述(參考版)
2025-03-05 14:53本頁面
【正文】 下午 2時 53分 24秒 下午 2時 53分 14:53: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看 專家告訴 。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :53:2414:53:24March 22, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 14:53:2414:53:2414:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 14:53:2414:53:2414:533/22/2023 2:53:24 PM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 下午 2時 53分 24秒 下午 2時 53分 14:53: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 24秒 14:53: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 14:53:2414:53:2414:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 14:53:2414:53:2414:533/22/2023 2:53:24 PM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點點小小努力的積累。 下午 2時 53分 24秒 下午 2時 53分 14:53: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 2023年 3月 下午 2時 53分 :53March 22, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時 53分 24秒 14:53: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 14:53:2414:53:2414:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 14:53:2414:53:2414:533/22/2023 2:53:24 PM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 45 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴散原理 (下 ) 本節(jié)課主要內(nèi)容 常用雜質(zhì)的擴散特性？ B, P, As 常用擴散摻雜方法？ 常用擴散摻雜層的質(zhì)量測量？ B： p型雜質(zhì)， OED； P： n型雜質(zhì)，深結(jié)， OED； As： n型雜質(zhì)，離子注入精確控制實現(xiàn)淺結(jié) 氣態(tài)源、液態(tài)源、固態(tài)源、旋涂法 薄層電阻：四探針法；結(jié)深：染色法；摻雜分布：CV法， SIMS 非本征擴散 22 41inCCh??? ?????????????xCDxtC effA220 ????????????????????????????????????? ?????iiiie nnDnnDnpDnpDDD46 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ) 第六章 擴散原理 (下 ) ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。此外，如果掩蔽層有尖銳的角，在這個角處的結(jié)將因橫向擴散而近似與圓球狀。 顯示一恒定表面初始濃度條件下的輪廓線，并假設(shè) D與濃度無關(guān)。 42 43 擴散相關(guān)工藝－橫向擴散 一維擴散方程基本能描述擴散工藝，但在掩蔽層的邊緣例外，因為在邊緣處雜質(zhì)會向下、向橫向擴散。 鋅是砷化鎵中最廣為使用的擴散劑，它的 D會隨 C2而變化，所以擴散分布如下圖所示，是陡峭的。 40 磷在不同表面濃度下，在1000℃ 下擴散 1h后的分布 41 在砷化鎵中的鋅擴散 在砷化鎵中的擴散會比在硅中要來得復(fù)雜，因為雜質(zhì)的擴散包含砷和鎵兩種晶格原子移動。 P，與 V2－ 有關(guān)， D隨 C2而變化， 分布解決曲線（ b）所示。 38 結(jié)深可以用下式表示 , ~ 1jsx D t D C ?? 當(dāng) （ ＝ ） , ~ 2x D t D C ?? 當(dāng) （ ＝ ）30 .87 , ~ 3x D t D C ?? 當(dāng) （ ＝ ）39 擴散分布－硅中的擴散 硅內(nèi)所測量到的 D與雜質(zhì)濃度的關(guān)系 B和 As ，其 γ＝ 1，曲線（ c）所 示，非常陡峭。 37 ()ssCDDC??考慮擴散系數(shù)時， D可以寫成： Cs為表面濃度， Ds為表面擴散系數(shù)， γ是用來描述與濃度有關(guān)的參數(shù)。高摻雜濃度時， EF向?qū)У滓苿?，指?shù)項大于 1，這是 CV增大，進而是 D變大。低摻雜濃度時，EF＝ Ei，空位密度等于 Ci而與雜質(zhì)濃度無關(guān)?？梢灶A(yù)期，某種帶電狀態(tài)下的空位密度，有類似與載流子濃度的溫度相關(guān)性。非本征擴散區(qū)內(nèi)，同時擴散或相繼擴散的雜質(zhì)之間存在著相互作用和協(xié)同效應(yīng)，使擴散更為復(fù)雜。 Mass Sp ec DetectorSputter Gun34 半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)
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