tem透射電鏡中的電子衍射及分析(實例)(ppt65頁)(參考版)
2025-03-05 06:59本頁面
【正文】 取向關系的測定 （略） 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。其衍射花樣的特征是，除基體衍射斑點外，還出現(xiàn)一系列間隔較密 ,采用 暗場技術 調幅結構 原理 ： 在某些穩(wěn)定的第二相生成之前，固溶體中常常產(chǎn)生不均勻的現(xiàn)象，溶質原子在某些特定的晶面上偏聚。超點陣反向強度取決于所含異類原子散射振幅之差，一般較弱。如面心立方－簡單立方。晶體中的這種孿晶關系自然也反映在相應的倒易點陣中，從而由相應的衍射花樣中反映出來。多數(shù)為 180176。、120176。如以孿晶面為鏡面反映，或以孿晶面的法線為軸，旋轉 60176。也可用二次衍射斑形成中心暗場象來區(qū)分，如晶界會亮 。左右以產(chǎn)生雙束條件，即透射束和一去強衍射束。 標定方法： 采用前述的廣義晶帶定律，利用P191面圖或自行繪制（ P40， 圖 2－ 32） 二次衍射 原理 ： 電子通過晶體時，產(chǎn)生的較強，它們常常可以作為新的入射線，在晶體中再次產(chǎn)生衍射。驗證標定結果采用上述必備條件 。 雙晶帶引起的斑點花樣 原因： Ewald球是一個有一定曲率的球面，可能使兩個晶帶軸指數(shù)相差不大的晶帶的 0層倒易面同時與球面相截，產(chǎn)生分屬于兩個晶帶的兩套衍射斑點。 消除辦法 ? 轉動晶體法，讓和斑點自洽（上交編書， P79） ? 借助復雜電子衍射花樣分析，如雙晶帶衍射花樣、高階勞厄帶花樣分析。 ?已 知 K＝ , d=K/R, dA=(), dB=(), dC=(), dD=(), (a) ?上 圖由底版負片描制的，采用右手定則選取 g1=gB=(002), g2=gA=(110), ?求 得 B[110] 課堂練習 ： Al,FCC,a=,RA=RB=,Rc=,( RA RB)=, ( RA RC)=, 求 A、 B、 C等的指數(shù)及 [UVW]，Ll及誤差。 R3＝ R1＋ R2， R3’＝－ R3 ?任取不在一條直線上的兩斑點確定晶帶軸指數(shù) 011 211 411000 002 004A C D B 圖例 1 低碳合金鋼基體的電子衍射花樣 例 1：上 圖是由某低碳合金鋼薄膜樣品的區(qū)域記錄的單晶花樣，以些說明分析方法： ?選 中心附近 A、 B、 C、 D四斑點， ?測 得 RA＝ ， RB＝ ， RC＝， RD＝ ， 同時用量角器測得R之間的夾角分別為 (RA, RB)＝ 900, (RA, RC)＝ 550, (RA, RD)＝ 710, ?求 得 R2比值為 2： 4： 6： 18， RB/RA=, RC/RA=, RB/RA=,表明樣品該區(qū)為體心立方點陣 ,A斑 N為 2， {110},假定 A為 (1－ 10)。任取 (h1k1l1)， 而第二個斑點的指數(shù) (h2k2l2),應根據(jù) R1與 R2之間的夾角的測量值是否與該兩組晶面的夾角相苻來確定。也可事先計算 R2／ R1， R3／ R1，和 R R2間夾角，據(jù)此進行標定 (P32例 ,圖2－ 24)。 花樣分析 ?任務 ：在于確定花樣中斑點的指數(shù)及其晶帶軸方向 [UVW]， 并確定樣品的點陣類型和位向。有些并不精確落在 Ewald球面上仍能發(fā)生衍射，只是斑點強度較弱。它是過倒易點陣原點的一個二維倒易面的放大像。 已知晶體結構，標定相機常數(shù)，一般用 Au, FCC, a=， 也可用內(nèi)標。 如已知 K,也可由 d=K/R求 d對照 ASTM求(hkl)。 R和 1/d存在簡單的正比關系 對立方晶系 ： 1/d2=（ h2+k2+l2） /a2＝ N/a2 通過 R2比值確定環(huán)指數(shù)和點陣類型 。指數(shù)標定是基礎。 物鏡球差： Csa3 物鏡聚焦： Da 后兩種引起的總位移 h= Csa3 177。 圖216 選區(qū)成象 圖217 選區(qū)衍射 選區(qū)衍射操作步驟 ：
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