研發(fā)中心戰(zhàn)略發(fā)展報(bào)告(參考版)
2025-01-20 12:28本頁面
【正文】 管 理 －不斷優(yōu)化產(chǎn)品開發(fā)流程，實(shí)現(xiàn)流程化管理，加速開發(fā)進(jìn)度?；A(chǔ)研究 －電池失效機(jī)理研究、陶瓷涂層技術(shù)研究等。設(shè)備資源 －更新研發(fā)設(shè)備，使研發(fā)設(shè)備與生產(chǎn)設(shè)備具有可知的相關(guān)性，以縮短研發(fā)新 產(chǎn)品到生產(chǎn)的導(dǎo)入周期。 車間工藝優(yōu)化：撘建研發(fā)與生產(chǎn)線的數(shù)據(jù)平臺(tái)，加強(qiáng)理解研發(fā)設(shè)備與生產(chǎn)線設(shè)備的差異性，從而提高研發(fā)產(chǎn)品在車間應(yīng)用的可行性。 性能優(yōu)化：開發(fā)穩(wěn)定的化學(xué)材料體系、較好的電化學(xué)性能、 高安全性能、較寬溫度的使用性能等。 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化：優(yōu)化殼體、蓋板等配件結(jié)構(gòu)及卷芯設(shè)計(jì)，提高電芯的空間利用率，從而提升電池容量。 體系配方優(yōu)化 ：加強(qiáng)正極 /負(fù)極材料的基礎(chǔ)理論研究，開發(fā)出性能優(yōu)越的正極 /負(fù)極材料，并進(jìn)一步加強(qiáng)電解液與正極 /負(fù)極材料間的配合性，縮短產(chǎn)品的開發(fā)周期?！?加速產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度：1. 優(yōu)化產(chǎn)品開發(fā)流程和評(píng)估流程；2. 加速新產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度（ 合理流程，銷售需與生產(chǎn)方面有一個(gè)很好的銜接，研發(fā)能夠起到一個(gè)好的橋梁作用）3. 加速新材料導(dǎo)入進(jìn)度2. 集中優(yōu)勢(shì)力量解決產(chǎn)品開發(fā)瓶頸問題；3. 保持對(duì)潛在應(yīng)用領(lǐng)域或應(yīng)用要求的關(guān)注，能做好產(chǎn)品開發(fā)的預(yù)備工作。Confidential循環(huán)性能對(duì)比BAK電芯循環(huán)性能與 ATL相當(dāng)，而 Sony電芯循環(huán)比較差BAKSonyATLConfidential高溫存儲(chǔ)情況對(duì)比BAK三種型號(hào)的電芯具有良好的高溫儲(chǔ)存性能，ATL的 293556電芯高溫儲(chǔ)存性能稍差Confidential2023年 2023年 2023年 備注Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2軟包筆記本電池開發(fā) 624199凝膠聚合物電池開發(fā)設(shè)備及人力等支持Color define： Under development Under considerationMass production5 Polymer Roadmap二、 我司未來產(chǎn)品開發(fā)戰(zhàn)略產(chǎn)品開發(fā)戰(zhàn)略方針 ：學(xué)習(xí)、追趕、創(chuàng)新、超越。而負(fù)極均為石墨材料。材料體系： 針對(duì) LiCoO2，而 LG為 LiCoO2正極材料中混用三元材料（比例為 6:2:2）。 BAK試產(chǎn)（ 6VM9G08） 電芯循環(huán)未完，目前沒法判斷。 +℃ cycle life paring+176。C循環(huán)：在已結(jié)束 300次循環(huán)中， Samsung和 Panasonic 是最好的， LG、 Sanyo較差。m) 77 78 105 70 77 78 80 80Can Type (CT scan at BAK) Step wall Stepwall Step wall ? Stepwall Top Cover Thickness (181。m) 165 160 162 160 165 160 180 220Can Bottom Thickness (181。 Samsung的模仿，但因?yàn)閲鴥?nèi)材料性能和配件加工能力還就弱，故我們還有很大的提升空間。其他按 Samsung、 LG、Sanyo， Panasonic依次降低。 Sony最差。高低溫測(cè)試：高溫放電時(shí)，以 Sony最好，其次為 Samsung和 Sanyo， Panasonic最差， BAK居中。從圖上可知除了 NMC外，其他廠家都和 BAK 一樣，用鈷酸鋰正極材料。10℃ 1C charge perf
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