集成電路工藝原理未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)(參考版)
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【正文】 2023/1/28 13:12:5013:12:5028 January 2023? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 28 一月 20231:12:50 下午 13:12:50一月 21? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 一月 2113:12:5013:12Jan2128Jan21? 1越是無(wú)能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023/1/28 13:12:5013:12:5028 January 2023? 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 。 一月 21一月 2113:12:5013:12:50January 28, 2023? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 一月 2113:12:5013:12Jan2128Jan21? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無(wú)限完美。 一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 2023/1/28 13:12:5013:12:5028 January 2023? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 。 一月 21一月 2113:12:5013:12:50January 28, 2023? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見青山。 一月 2113:12:5013:12Jan2128Jan21? 1故人江海別，幾度隔山川。 一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。Pitch的大小由 常規(guī)光刻技術(shù)的分辨率決定252。常規(guī)光刻技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)硅薄膜工藝技術(shù)的革新和結(jié)合252。減少制作步驟。m（ Hellberg）“無(wú)光源 ”納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù)18集成電路工藝原理第十二章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)Ref：KLA TencorWave length (I)Line widthDeep Subwavelength LithoSubwavelength LithoOPC at180 nmAggressive OPC at 130 nmProcess window shrinkingon average 30%for each nodeImmersionLithography350 nm365 nm180 nm248 nm193 nm130 nm90 nm65 nm45 nmPROCESS CONTROL: THE INVESTMENT THAT YIELDSNovel Processing（工藝革新） ： EnablerProf. Iwai, Tokyo Inst Tech.19集成電路工藝原理第十二章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)為什么 “ 光刻 ” 技術(shù)如此成功 ?價(jià)格方面： 193 nm 光刻設(shè)備 ~ 20 M$ 一套光刻版 ~ 1 M$高分辨率并能實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)！~100 wafers/hour20集成電路工藝原理第十二章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)光刻基本要求 理想的光刻分辨率 Resolution Good圖形 Pattern shape Any大、小圖形混合Large small patternsYes對(duì)準(zhǔn)精度 Alignment Good產(chǎn)量 Throughput High初始價(jià)位 Initial cost Low運(yùn)行費(fèi) Running cost Low21集成電路工藝原理第十二章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)適用于小批量制備 /制造的納米級(jí) “ 光刻 ” 電子束曝光， EBL： ElectronBeam Litho 納米壓印， NIL： NanoImprint Litho “側(cè)墻轉(zhuǎn)移 ”， STL： SidewallTransfer Litho22集成電路工藝原理第十二章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)EBL的特征和優(yōu)點(diǎn)+直寫、靈活+任意形狀+? nm+束斑直徑 /寬 ~5 nm23集成電路工藝原理第十二章 未來(lái)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)EBL的分辨率 ? 高能： 100 keV? 高對(duì)比度的光刻膠? 薄 光刻膠– 用疊層光刻膠–
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