bghaaa分子軌道理論(參考版)
2025-08-08 01:18本頁面
【正文】 如d0、ddd10金屬離子，三種構型的MOSE相同，正四面體因配體間排斥小，而多被采用。2）預測四配位配合物構型對于ML4，常見構型有三種：四面體 平面正方形 順式二缺位八面體若只考慮σ鍵合，則能級圖分別為：正四面體：MOSE = 8eσ+ (4/3eσ)nt2 * 8 = 4/36平面正方形：MOSE = 8eσ+ (eσ)ndz2+ (3eσ)ndx2y2 * 8 = 32+(12)順式二缺位八面體:MOSE = 8eσ+ (3/2eσ)ndx2y2+ (5/2eσ)ndz2 * 8 = 2+(2)不同組態(tài)離子在不同幾何構型下的MOSE：dn MOSE(eσ)四面體平面正方形順式二缺位八面體高自旋低自旋高自旋低自旋高自旋低自旋d02d3d4d5d6d7d8d9d10000000*對于d8組態(tài)低自旋金屬離子：MOSE（四面體）= eσ MOSE（平面正方形）= eσMOSE（順式二缺位八面體）= eσ平面正方形的MOSE最大，因此[Ni(CN)4]2（d8低自旋）為平面正方形結構。而這種作用隨金屬的ns和np軌道與配體σ軌道間能量差減小而得到增強。但若附加一個傾斜基底，就可以成為雙峰曲線。例：八面體配合物三、分子軌道穩(wěn)定化能（MOSE）MOSE的計算對于任何幾何構型，第i個成鍵軌道上有ni個電子，與之相應的反鍵軌道上有mi個電子, 則這個軌道對穩(wěn)定化能的貢獻為(mini)ΔEi，式中ΔEi即為第i個軌道的作用能。若有π鍵結合：則配體為π電子提供者時，配體π電子將進入成鍵π分子軌道；配體為π電子接受者時，中心離子的d電子將進入成鍵π分子軌道。因此π鍵對分裂能影響有兩種情況： eg* (3eσ) eg* (3eσ) Δo t2g* (4eπ)d軌道 d軌道 Δo t2g* (4eπ) 弱場 強場 分裂能Δo = 3eσ 4eπ2）四面體：ΔE(t2) = (1/3+1/3+1/3+1/3)eσ + (2/9+2/9+2/9+2/9)eπ = 4/3eσ+8/9eπΔE(e) = (2/3+2/3+2/3+2/3)eπ = 8/3eπΔt = 4/3eσ + 8/9eπ 8/3eπ = 4/9(3eσ 4eπ) = 4/9Δo t2 Δt ed軌道 3）平面正方形：ΔE (dx2y2) = (
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