電源完整性與地彈噪聲的高速pcb仿真(參考版)
2024-08-14 06:27本頁面
【正文】 采用對虛擬原型進行仿真的方法替代反復(fù)試驗的設(shè)計方法來優(yōu)化電路板的電源完整性設(shè)計，可以有效縮短設(shè)計周期并且節(jié)約設(shè)計成本?！ 「咚匐娐返腜CB板級設(shè)計是十分具有挑戰(zhàn)性的?！ 】梢杂猛瑯拥姆椒ǚ治鲭娐钒迳掀渌男酒ＷC他們不受電源壓降和地彈的影響。電壓的波動已經(jīng)很小了，但還是超過了5%的規(guī)范要求。紅色曲線代表芯片輸入電流的突變——。圖6，藍色和綠色曲線分別表示在沒有添加和添加最后一組電容矩陣后IC芯片的電源完整性曲線；紅色曲線代表芯片輸入電流的突變。電路還包括一個直流電源，電源伴有少量容值從1nF到100μF的退耦電容。Fullwave Spice創(chuàng)建的Spice電路還包括上文提到的三個電容矩陣。 在產(chǎn)生的電路文件中，PCB板在電路的中心位置。然后在SIwave中你可以進行寬頻掃描，在整個帶寬內(nèi)獲得44的S參數(shù)散射矩陣。 首先應(yīng)在選定的位置添加輸入和輸出端口。這種方法使設(shè)計者可以精確地為低端的阻抗建模，包括電源的負載效應(yīng)。每一級別電容矩陣的增加都提高了阻抗特性，但結(jié)果仍然剛剛滿足阻抗特性的要求。圖5中的淺藍色曲線是又增加10nF電容矩陣后的阻抗曲線。但在帶寬的高端，電容的ESL(等效串聯(lián)電感)、ESR(等效串聯(lián)電阻)以及由電容間距帶來的附加電感使阻抗曲線沒有達到阻抗特性要求。圖中深藍色曲線是經(jīng)過重新設(shè)計后的阻抗特性。C)，紅色曲線中的直線部分表明電路板本身的電容為74nF。圖5，紅色曲線顯示的是電路板上無電容時的阻抗；深藍色曲線是經(jīng)過重新設(shè)計后的阻抗特性；淺藍色曲線是又增加10nF電容矩陣后的阻抗曲線；綠色曲線表示再次增加1nF電容矩陣后的結(jié)果。仿真顯示了電路板本身電容的影響而忽略了經(jīng)過電源的低感應(yīng)電流回路。圖5中紅色曲線顯示的是電路板上無電容時的阻抗。在反復(fù)試驗的設(shè)計方法中，物理原型是不可缺少的，而虛擬原型技術(shù)使設(shè)
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1