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正文內(nèi)容

電源完整性與地彈噪聲的高速pcb仿真(編輯修改稿)

2024-08-30 06:27 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 的靈活性是有限的。其次,在任何給定的位置總有一些諧振模式會(huì)被激發(fā)。例如,圖3中綠色曲線表示當(dāng)你將芯片放置在沿某一坐標(biāo)軸偏移中心位置時(shí)。成功的設(shè)計(jì)電路板的PDS(電源分配系統(tǒng))的關(guān)鍵在于在合適的位置增加退耦電容,以保證電源的完整性和在足夠?qū)挼念l率范圍內(nèi)保證地彈噪聲足夠小。   退耦電容   吸入2A的電流,此時(shí)電源電壓會(huì)暫時(shí)降低(壓降),而地平面電壓會(huì)暫時(shí)被拉高(地彈)。其變化幅度取決于電路板的阻抗和芯片偏置管腳處的用于提供電流的退耦電容(圖4a)?! ∮捎陔娏鞯乃沧冎禐?A,電壓的瞬變值由V=ZI決定,Z是從芯片端視出的阻抗,因此,為了避免電壓的尖峰波動(dòng),在從直流到信號(hào)帶寬的頻率范圍內(nèi),Z值必須低于某一門限值。(圖4b)圖4,其變化幅度取決于電路板的阻抗和芯片偏置管腳處的用于提供電流的退耦電容;為了避免電壓的尖峰波動(dòng),在從直流到信號(hào)帶寬的頻率范圍內(nèi),Z值必須低于某一門限值。圖中虛線部分即為PDS阻抗應(yīng)該滿足的目標(biāo)區(qū)域?! ≡谠撛O(shè)計(jì)中,為了保持電源完整性,電源—%以內(nèi)。=165 mV??梢該?jù)此按照歐姆定律計(jì)算出PDS的最大阻抗165mV/2A=,圖4中虛線部分即為PDS阻抗應(yīng)該滿足的目標(biāo)區(qū)域。  對(duì)于最低頻率,通常是1kHz或者更低的頻率——電源滿足阻抗特性的要求,電源和地層的結(jié)構(gòu)通常不會(huì)破壞阻抗特性,因?yàn)樗鼈兂尸F(xiàn)低電阻與電感特性。而當(dāng)頻率高于1kHz時(shí),電流通路的互感大到足以使電壓超過限定值,根據(jù):   對(duì)于更高的頻率,退耦電容作為電源層與地層之間的低阻抗連接是必要的。需要滿足PDS阻抗要求的信號(hào)帶寬可由下式估計(jì):  在該設(shè)計(jì)中。  為了達(dá)到這么寬的帶寬,通常需要在MHz信號(hào)區(qū)域放置很多高頻瓷片電容,在kHz信號(hào)區(qū)域放置體積較大的電解電容。這些電容矩陣與其它器件共同占用寶貴的電路板空間。在反復(fù)試驗(yàn)的設(shè)計(jì)方
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