增層電路板技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)(參考版)
2024-07-26 22:14本頁面
【正文】 1. 接續(xù)性評(píng)價(jià)用標(biāo)準(zhǔn)線路1 1小孔(Via Stitch)小孔數(shù)：每層100+5/0孔孔尺寸：隨意孔環(huán)：隨意孔間距：最小間距和最小間距之3倍1 2導(dǎo)通孔導(dǎo)通孔數(shù)：每層25孔導(dǎo)通孔尺寸：隨意導(dǎo)通孔環(huán)：隨意導(dǎo)通孔：1 3大焊墊焊墊尺寸：間距：S/R：2. 離子擴(kuò)散評(píng)估用標(biāo)準(zhǔn)線路A. 層內(nèi)離子擴(kuò)散B. 層與層間之離子擴(kuò)散1. 全面銅導(dǎo)體之間2. 全面銅導(dǎo)體線間（孔環(huán)）線間離子擴(kuò)散有關(guān)下述項(xiàng)目今后有必要繼續(xù)研究，敘述內(nèi)容之妥當(dāng)性確認(rèn)后，再以適當(dāng)?shù)脑龆ò鎭矸磻?yīng)之。L50B /L50C =exp(fBC?(RHcRHB ))ln(L50B /L50C )=(fBC?(RHcRHB ))fBC =ln(L50B /L50C )?(1/(RHcRHB )) (922)同樣fBA , fAC 可由試驗(yàn)條件A,B,C,之結(jié)果求得，并對(duì)濕度因子 f之值做檢視。從試驗(yàn)條件A，B，C，將溫度條件及所加電壓固定之，只改變濕度條件而進(jìn)行試驗(yàn)。并用以檢視活性化能量H的值。濕度條件及所加電壓依試驗(yàn)條件a,b,c,固定之，只改變溫度條件試驗(yàn)之將試驗(yàn)結(jié)果記于如91 之對(duì)數(shù)正確率紙上，求取各巢內(nèi)之平均故障數(shù)L50a,L50b,L50c 。K=C?exp(H / RT) ?exp(f?(RH) ) ?VK：反應(yīng)速度常數(shù) C：比例常數(shù)H：活性化能量 R：Hollman 常數(shù)T：絕對(duì)溫度 f：溫度因子RH：相對(duì)濕度 V：所加電壓而表示壽命之式如下L=C?exp(H/RT) ?exp(f?(RH)) ?V1 (99)21求取溫度因子之活性化能量H溫度因子以Arrheinus的關(guān)系式表示之。CoffinManson 法則C=Ni?(εi)n (91)C：常數(shù) Ni ：疲勞壽命 εi ：變形量以多巢應(yīng)力試驗(yàn)（Multi Cell Stress）計(jì)算91式中之未知數(shù)n以兩者溫差△T1 △T2 來測(cè)試，將其平均故障循環(huán)以N1,N2表示之溫差△T1 △T2 系相當(dāng)于變形量之變量，故代入91式C= N1?(△T1 )n (92)C= N2?(△T2 )n (93)依92,93 式1= N1 / N2 ?(△T1 /△T2 )n (94)N2 / N1 = (△T1 /△T2 )n (95)將95式以未之?dāng)?shù)n解開,從△T1 ,△T2 求得n12 n12 = △T2 /△T1 ?Log(N2/ N1 ) (96)執(zhí)行3級(jí)的多巢應(yīng)力試驗(yàn)（Multi Cell Stress）后以各種組合求nlm其平均值使用。以下是依1997年4月之調(diào)查為依據(jù)。 K7100 (塑料的狀態(tài)調(diào)整及試驗(yàn)場(chǎng)所之標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)) 。2. 試驗(yàn)的判斷基準(zhǔn)是為使本試驗(yàn)結(jié)果做標(biāo)準(zhǔn)的比較，故不必要與實(shí)際的裝置之動(dòng)作一致。12小時(shí)之內(nèi)在初期、中間點(diǎn)、終止點(diǎn)之測(cè)定，全部要在常態(tài)下行之。（3） 試驗(yàn)設(shè)備1. 可保持所定溫度之恒溫槽2. 可做電器阻抗之設(shè)備（4） 試驗(yàn)方法1. 電路板在下述周圍條件下放置所定時(shí)間。7. 備注 K7100的標(biāo)準(zhǔn)溫濕狀態(tài)2級(jí)為準(zhǔn) K7100 (塑料的狀態(tài)調(diào)整及試驗(yàn)場(chǎng)所之標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài))（1） 目的不加電器的壓力置于高溫中，金屬（相接的不同金屬）間的擴(kuò)散程度之差異造成空孔現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)通不良或者在同種金屬的狀況，基板上搭載裸晶時(shí)的擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)時(shí)，評(píng)估樹脂分解氧化所造成之劣化。6. 注記，但若以其它理想來計(jì)算時(shí)亦需加以說明。AF=exp(H/R)?(1/TFIELD1/TLAB) ?exp(f(RhLAB –RhFIELD )) ?VLAB / VFIELD但 H：活性化能量 R：Bortsman常數(shù) TFIELD：在實(shí)際使用下之溫度 TLAB：在應(yīng)力條件下之溫度 f：溫度因子RhFIELD：在實(shí)際使用下之相對(duì)濕度 RhLAB：在應(yīng)力條件下之相對(duì)濕度 VFIELD：在實(shí)際使用下所加之電壓VLAB：在應(yīng)力條件下所加之電壓與實(shí)際使用條件下的制品使用時(shí)間數(shù)LFIELD 相當(dāng)?shù)膽?yīng)力時(shí)間數(shù)LLAB ，以下式?jīng)Q定之。故將反應(yīng)速度置于分母以求比例，因此壽命之表示如75式所示。而假定下述Eyring式。絕緣阻抗值要100MΩ以上。測(cè)定周期通常以在最早發(fā)生故障為止，可以測(cè)五次以上為準(zhǔn)而設(shè)定之。重開應(yīng)力(Stress)時(shí)，要重前處理開始。C177。5加電壓電壓(V)A177。5368(85℃)177。5高加速358(85℃)177。5348(85℃)177。5低加速358(85℃)177。5358(85℃)177。計(jì)標(biāo)濕度加速艙計(jì)標(biāo)溫度加速艙試驗(yàn)條件溫度(K)相對(duì)濕度(%)溫度(K)相對(duì)濕度(%)標(biāo)準(zhǔn)加速358(85℃)177。(4)試驗(yàn)方法：1. 初期測(cè)定測(cè)樣品之絕緣性到1012以上為止，測(cè)定電壓以所加電壓之2倍以下，且30以下(充電時(shí)間 60~80 s)2. 試驗(yàn)將樣品放于高溫、高濕槽中，加上電壓并先放于槽中做前處理再放置24小時(shí)。槽之材質(zhì)，用在高濕中不反應(yīng)之物。：全面銅全銅，全銅線：PTHPTH本樣品，必須事先做裝配耐熱性處理。(2)樣品與制品同樣設(shè)計(jì)規(guī)則，并具下列線路之基板。(1)目的此為評(píng)價(jià)電路板
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