半導(dǎo)體器件習(xí)題及參考答案(參考版)
2025-07-07 22:18本頁(yè)面
【正文】 2. 一個(gè)n溝MOSFET，Z=300μm，L=1μm,溝道電子遷移率750cm2/Vs，Cox=107F/cm2，VT=1V，求長(zhǎng)溝道情況下，VGS=5V時(shí)的IDSat、速度飽和時(shí)的IDSat ，及兩種情況下的跨導(dǎo)。解：εSi＝， εSiO2＝對(duì)n溝MOSFET的閾值電壓為 其中，＝＝*10－7F/cm2＝－*107C/cm2 Qox＝Qf＝5101010－19＝810－9C/cm2 代入上式得：＝ 因?yàn)閂T0，且為n溝MOSFET，所以該器件是增強(qiáng)型的。（）解： 夾斷電壓為：＝n－1017 cm3，故，內(nèi)建電勢(shì)為：因此，閾值電壓也可以求得：，因此是增強(qiáng)型的。由此得到，計(jì)算得，V＝。若ND＝51019cm－3，ФBn＝，,求有1A正向電流通過(guò)時(shí)，歐姆接觸上的電壓降。 ， 空穴電流密度為＝10－12A/cm2, 電子電流密度為＝10－7A/cm2，其中A*＝110A/K2cm2。硅為n型，電阻率為1Ωcm，壽命τp＝100μs，μp＝400cm2/(Vs)。 解：6. 欲設(shè)計(jì)一雙極型硅晶體管，其截止頻率fT為5GHz，請(qǐng)問(wèn)中性基區(qū)寬度W需為多少？假設(shè)Dp為10cm2/s ，并可忽略發(fā)射極
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