【正文】 4. 極化測試結(jié)果表明，％的NaCl溶液處理后比較，鋁合金基體的耐蝕性大大的增強(qiáng)了。2. ％氯化鈉溶液中， A/c㎡㎡，600小時后沒有發(fā)現(xiàn)點(diǎn)腐蝕。最近研究的結(jié)論主要如下：1. ％的NaCl溶液浸泡試驗下，微弧氧化涂層和基體合金的重量減少隨著浸泡時間的增加而增加。另一方面，不銹鋼是眾所周知的時尚材料，由于它的鈍化，從而表現(xiàn)出比基體合金更積極的腐蝕電位。表1表明表1電位極化測試結(jié)果MAO涂層具有耐腐蝕性，與目前的最低值基體合金比較，硬陽極氧化涂層，甚至不銹鋼合金316可能是由于對鋁形成的致密氧化鋁涂層的結(jié)果合金。由于SS316合金，特別是被動的氧化鉻層，基體以及MAO涂層和硬陽極氧化膜，形成腐蝕電位比鋁合金高。MAO涂層和6061鋁合金基體的極化測試結(jié)果為圖7；硬質(zhì)陽極氧化6061鋁，％氯化鈉溶液中浸泡1h。3． A/cm2下，幾乎相同的行為表現(xiàn)出關(guān)于對腐蝕電位變化和目前的浸泡時間都可以形成膜層。眾所周知，增加腐蝕對潛在的更積極的增加作為觀測值實驗。然而，在600h的浸泡腐蝕后，MAO的涂層的腐蝕電位小于6061合金。MAO涂層和6061合金的腐蝕電位和腐蝕電流（Icorr）隨浸泡時間的變化由圖5和圖6所示。因此，可以斷定，MAO涂層不可以浸泡較長時間，這樣會發(fā)生微觀腐蝕損傷。腐蝕產(chǎn)由EDS分析，它有元素鋁，澳，氯，鈉（圖4b）。％的NaCl溶液中的MAO涂層出現(xiàn)了浸泡腐蝕點(diǎn)。宏觀觀察。然而，體重?fù)p失輕微降低。相反，MAO和6061鋁合金涂層（ A/cm2的電流密度）沒有表現(xiàn)出可衡量的重量損失（或增重），最多的時間為48小時。 ％NaCl溶液中進(jìn)行試驗，圖3所示微弧氧化涂層和6061鋁合金在不同時期的600小時（25天）浸泡結(jié)果。很明顯，在兩個電流密度下αAl2O3和γAl2O3 都在形成的膜層主要階段存在。涂層與基體之間可以看見一個清晰的無裂縫界。隨著物質(zhì)流顯示到涂層表面在這些圓形渠道一直到周邊。3．結(jié)果與討論 微弧氧化涂層表面的SEM照片如圖1（a）（c）所示。該極化電阻值計算用斯特恩基爾里方程（23號）均衡器計算。甲三電極電位模式采用了飽和甘汞參考電極（SCE）鉑電極作為計數(shù)器使用電極。這樣的電化學(xué)腐蝕實驗，輸力強(qiáng)1260阻抗/增益相位分析儀Solartron的1287電化學(xué)界面用于生成電子。利用掃描電子顯微鏡（日立模型的S4300SE/氮，日本）研究了樣品表面成分，用創(chuàng)世紀(jì)能譜軟件進(jìn)行能量色散譜（EDS）的頻譜分析。 5微米）對6061鋁合金存入樣本也進(jìn)行了研究。涂層沉積后的樣品被帶出了電解液并用自來水沖洗，然后用熱空氣進(jìn)行干燥。涂層沉積后的樣品被帶出了電解液并用自來水沖洗，該涂層沉積時間做了調(diào)整，這樣一種方式，最終涂層厚度范圍為50 177。該涂層沉積時間做了調(diào)整，這樣一種方式，最終涂層厚度范圍為50 177。直徑25毫米、厚5毫米的6061鋁合金涂層沉積工作在兩種不同的電流密度（㎡）下獲得。這些樣本將浸泡在電解液和穩(wěn)壓電源是專門供給的條件下實現(xiàn)涂層沉積。電解液是不斷散發(fā)的非導(dǎo)電材料制成的反應(yīng)室。陶瓷膜層可在含有氫氧化鉀和硅酸鈉的堿性電解液中制備。此外，對6061鋁合金沉積以及SS316L材質(zhì)硬質(zhì)氧化涂層的比較，進(jìn)行微弧氧化腐蝕涂層的性能研究。對上述目標(biāo)，％的氯化鈉溶液中進(jìn)行腐蝕，微弧氧化涂層料已沉積在6061鋁合金表面。然而，這些涂料的防腐性能需要研究，以確定為何要求除耐腐蝕耐磨涂層適合這些應(yīng)用。Curran最近的研究發(fā)現(xiàn)，微弧氧化涂料特點(diǎn)是高達(dá)20％的表面孔隙率大大影響了涂層的耐蝕性能。人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了α氧化鋁涂層隨微弧氧化電流密度的增加而增加。因此，存在與鋁合金微弧氧化涂層沖突的水腐蝕數(shù)據(jù)。雖然微弧氧化涂層孔隙率的存在是由閉塞透射電鏡證實，這并不響耐蝕性。Kuhn證明，改進(jìn)的耐腐蝕性微弧氧化涂層可與在鹽霧試驗條件下的硬質(zhì)氧化涂層研究相比。對腐蝕有許多相關(guān)的研究僅限于鎂和鈦的合金基體形成的微弧氧化涂層。陶瓷涂層沉積技術(shù)用微弧氧化技術(shù)呈現(xiàn)出較好的摩擦磨損性能。結(jié)果表明，整體膜層的耐蝕性明顯優(yōu)于SS316和6061鋁合金的硬陽極氧化膜。從陽極極化曲線中可以看出，有涂層的合金大幅度降低了涂層試樣的腐蝕電流和正向的腐蝕電位。％氯化鈉進(jìn)行特別腐蝕、簡單浸泡和極化測試，以評價微弧氧化涂層耐腐蝕性能 。Technol,1984,19(1):93[7] Krysmann W,et Characteristics and Parameters of Anodic Oxidation by Spark Discharge(ANOF), Crystal Resamp。在論文研究過程中，我的學(xué)長朱其柱對我實驗的指導(dǎo)和支持，并且時時關(guān)注我的課題研究進(jìn)展，并對課題研究工作提出了建設(shè)性的意見，使課題研究避免了許多彎路，令我受益匪淺，在此表示誠摯的謝意。他人格高尚、學(xué)識淵博、治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)、寬厚待人，使我深受啟發(fā)和教育，對我以后的學(xué)習(xí)、工作和生活產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。，并且用這個工藝處理了合格的軍工產(chǎn)品。，膜層主要由α A12OγA12OδA12O3組成。4 結(jié)論1．膜層厚度隨氧化時間延長而增大，但處理時間過長，由于電解液的溶解作用，膜層厚度反而會下降。其中αA12O3是熱力學(xué)穩(wěn)定相，化學(xué)性質(zhì)不活潑，除熔融的堿外，不與其他任何試劑發(fā)生反應(yīng)，同時它還具有非常高的硬度；γA12O3是熱力學(xué)亞穩(wěn)定相，化學(xué)性質(zhì)活潑，硬度也不高，如果溫度高達(dá)1000℃以上，不但說明了陶瓷層硬度高的原因，同時也說明了微弧放電區(qū)等離子體的溫度非常高。（b、d）可以看出，隨脈間的增加，αAl2O3與γA12O3相的衍射峰變化不大；而隨電壓的提高、脈間的增加，αAl2O3與γA12O3相的衍射峰明顯增強(qiáng)(（a、b、c）所示)。這是因為添加劑鎢酸鈉的加入能抑制微弧氧化陶瓷層中多孔層的增厚，使膜層中Al元素的氧化反應(yīng)更加充分，有利于膜層中A12O3的形成，使得膜層中的A12O3相對增多，膜層更加致密、耐磨[35].(a) 脈寬500 脈間1500 電壓450 (b) 脈寬500 脈間1500 電壓500(c) 脈寬2000 脈間1500 電壓500 (d) 脈寬500 脈間500 電壓500。其表面形貌如下： 、添加鎢酸鈉的SEM圖片a）低倍 b）高倍不同的電解液中生成的膜層表面形貌有所差別，由上圖和不填加鎢酸鈉的圖片比較可以看出，鎢酸鈉溶液中生成的膜層表面孔洞尺寸及分布更均勻，膜層與基體之間的界面結(jié)合狀況良好，而且孔洞旁邊的沉積物上有針狀小孔存在；在只加NaF的溶液中生成的膜層較鎢酸鈉溶液中的光滑，表面分布有大孔，它們是微弧氧化反應(yīng)后期的大火花停留的位置，也是放電通道殘留孔洞[34]。從測得的膜厚看，添加NaF的膜厚為12μm，這說明NaF直接參與膜層的形成，改變了膜層的成分和厚度，在加入NaF后，陶瓷膜的成膜速率有了很大的提高，這就說明了NaF主要起促進(jìn)氧化膜生長、提高膜層厚度的作用。從二者的圖片來看添加NaF的微弧氧化層表面孔洞數(shù)量較多，呈開口貫通形貌。 本實驗還以NaF為添加劑，其電參數(shù)為：電壓500V、脈寬500μs、脈間1500μs、時間20min、配方：NaOH 2g/L、Na2SiO3 8g/L、NaF 2g/L。在相同的時間內(nèi)，脈間越大，作用在陶瓷膜上脈沖時間越短，因此擊穿陶瓷膜所形成的孔洞減少[31]。 下面是不同脈間，相同電參數(shù)為:電壓500V脈寬500 μs時間20min配方NaOH 2g/L、Na2SiO3 8g/L的放大不同倍數(shù)的表面形貌。脈寬 （μs）500100015002000膜厚（μm）脈寬從500μs增長到1500μs，微弧氧化陶瓷層的厚度呈線性增長，當(dāng)脈寬增長到2000μs時，陶瓷膜增長速率減小。在相同的時間內(nèi)，脈寬越大，微弧火花放電程度越發(fā)的劇烈，作用在微弧氧化陶瓷膜上的能量越大，從孔洞噴射出的物質(zhì)也越多，形成的顆粒越大，新噴出的熔融氧化物覆蓋前面形成的陶瓷膜，因而陶瓷膜表面微孔數(shù)目減少[28]。 下面是不同脈寬,在相同的電參數(shù)（電壓500V 脈間1500μs 時間20min 配方NaOH 2g/L、Na2SiO3 8g/L）下的微弧氧化表面形貌， 、脈寬為500s的SEM圖片 a）低倍 b）高倍 、脈寬為2000μs的SEM圖片 a）低倍 b）高倍 脈寬影響單個脈沖持續(xù)放電時間延長，繼而影響到單個脈沖的放電能量。電壓（V）450475500525電阻（kΩ）3 從圖中可以看出，在450V到500V這個電壓段里，膜絕緣電阻增加很緩慢，因為在微區(qū)弧光放電作用下，生成的氧化物不斷熔化并迅速凝固，膜表面的放電通道直徑很小。電壓（V）450475500525膜厚（μm）13從圖中可以看出：隨電壓從450V增加到525V，微弧氧化陶瓷層的厚度呈線性增長。所以，當(dāng)電壓較低時，膜層表面的顆粒較小，孔洞細(xì)小均勻()；當(dāng)電壓較大的時候，膜層表面的顆粒較大。從而，在微弧放電過程中，隨著電壓的提高，表面逐漸由顆粒堆積轉(zhuǎn)變?yōu)橛商沾少|(zhì)感較強(qiáng)的平面構(gòu)成，氣孔也由封閉轉(zhuǎn)為開放，陶瓷層表面變的平整，從微孔中向外噴射的熔融氧化物就會越多[26]，熔融的氧化物在微孔口附近迅速的凝固并堆積在微孔口周圍。下面是不同電壓，相同電參數(shù)下（脈寬500μs脈間1500μs時間20min配方NaOH2g/L、Na2SiO3 8g/L）的微弧氧化處理表面形貌： 、電壓為450V的SEM圖片 a）低倍 b）高倍 、電壓為500V的SEM圖片 a）低倍 b）高倍從圖中可以看出，隨電壓的增大，微弧氧化表面微孔數(shù)量減少、微孔孔徑增大、陶瓷膜的顆粒(微孔噴射冷凝物)變大。時間（min）5102030電阻（kΩ）2 ，在5min到10min這個時間段里，膜絕緣電阻增加很緩慢，因為在