南昌大學論文格式樣板(參考版)
2025-06-22 22:31本頁面
【正文】 壓力不是有人比你努力，而是那些比你牛幾倍的人依然比你努力。最值得欣賞的風景，是自己奮斗的足跡。不要做金錢、權利的奴隸；應學會做“金錢、權利”的主人。贈語； 如果我們做與不做都會有人笑，如果做不好與做得好還會有人笑，那么我們索性就做得更好，來給人笑吧！ 現(xiàn)在你不玩命的學，以后命玩你。內容：宋體，小四，兩邊對齊。電子文獻載體類型標志：磁帶 MT；磁盤 DK；光盤 CD；聯(lián)機網(wǎng)絡 OL。加熱電阻―――□―――■■―――□――→氣流測溫元件 測溫元件圖11 熱風速計原理…………. . . .第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 MOCVD材料生長機理…………轉換控制 頻率信 號 源 頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲 器Ｄ／Ａ轉換器濾波器 頻率設置波形數(shù)據(jù)設置圖21 DDS方式AWG的工作流程…………. . . .標題：中文宋體，四號，居中參考文獻[1] Well．Multiplemodulator fractionn divider[P]．US Patent，5038117．19860202參考文獻內容：中文宋體，英文Times New Roman，四號，參考文獻應在文中相應地方按出現(xiàn)順序標引。104~180。180。10470059GaN/Al2O3光致發(fā)光180。10499661GaN/Al2O3光致發(fā)光190。1．2 III族氮化物的基本結構和性質 …………表11 用不同技術得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、ac和T0的值樣品類型實驗方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻GaN/Al2O3光致發(fā)光180。III－Ⅴ族氮化物半導體材料已引起了國內外眾多研究者的興趣。III－Ⅴ族氮化物半導體材料及器件研究歷時30余年，前20年進展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。以Si為代表的第一代半導體誕生于20世紀40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機的發(fā)明。 在科學技術的發(fā)展進程中，材料永遠扮演著重要角色?！疚牡玫搅藝?63計劃、國家自然科學基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項目的資助。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結果：1．首次提出了采用偏離化學計量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實現(xiàn)。本文在自制常壓MOCVD和英國進口MOCVD系統(tǒng)上對III－Ⅴ族氮化物的生長機理進行了研究，對材料的性能進行了表征。盡管如此，這項高技術仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長的關鍵思想及核心技術仍未公開，還無法從參考文獻及專利公報中獲取最重要的材料生長信息。（請在以上相應方框內打“√”）作者簽名： 日期：導師簽名： 日期：. . .
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