【摘要】1輝鉬新電子半導(dǎo)體材料概念股評述一覽輝鉬新電子半導(dǎo)體材料概念股評述一覽輝鉬的半導(dǎo)體材料實際比石墨烯還要先進和節(jié)能,輝鉬是良好的下一代半導(dǎo)體材料,在制造超小型晶體管、發(fā)光二極管和太陽能電池方面具有很廣闊的前景,將對太陽能和軍事等領(lǐng)域的發(fā)展產(chǎn)生極大的推進作用。,中短線可以關(guān)注。,對比金鉬股份的毛利率和收益率可知每年的凈收益將至少達到10億元,再對應(yīng)現(xiàn)在的股本,每股收益大約為1元,
2025-05-17 03:30
【摘要】半導(dǎo)體車載冰箱電子制冷原理介紹(圖)????半導(dǎo)體電子制冷又稱熱電制冷,或者溫差電制冷,它是利用“帕爾帖效應(yīng)”的一種制冷方法,與壓縮式制冷和吸收式制冷并稱為世界三大制冷方式。1843年,法國物理學(xué)家帕爾帖在銅絲的兩頭各接一根鉍絲,再將兩根鉍絲分別接到直流電源的正負極上,通電后,他驚奇的發(fā)現(xiàn)一個接頭變熱,另一個接頭變冷;這個現(xiàn)象后來就被稱為“帕爾帖
2025-06-25 12:02
【摘要】半導(dǎo)體材料—硅摘要半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。本文就半導(dǎo)體硅材料作了簡單介紹。引言能源、信息、材料是人類社會的三大支柱。半導(dǎo)體硅材料則是電子信息產(chǎn)業(yè)(尤其是集成電路產(chǎn)業(yè))和新能源、綠色能源硅光伏產(chǎn)業(yè)的主體功能材料,硅材料的使用量至今仍然占全球半導(dǎo)體材料的9
2024-08-16 03:43
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場的方向有關(guān),在它兩端加一個正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過來,它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長:在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延生長。如果襯底材料和外延層是同一種
2025-01-18 01:43
【摘要】 2.兩種金屬A和B通過金屬C相接觸,若溫度相等,證明其兩端a,b的電勢差同A,B直接接觸的電勢差一樣。如果A是Au,B是Ag,C是Cu或Al,則Vab為多少?4.受主濃度NA=1017CM-3的P型鍺,室溫下的功函數(shù)是多少?若不考慮表面態(tài)的影響,它分別同Al,Au,Pt接觸時,形成阻擋層還是反阻擋層?鍺的電子親和
2025-04-07 02:20
【摘要】電子半導(dǎo)體景氣技術(shù)分析-----------------------作者:-----------------------日期:半導(dǎo)體景氣分析對半導(dǎo)體景氣不宜過度樂觀在臺灣兩大晶圓代工業(yè)者-臺積電、聯(lián)電于四月底的法人說明會上公布公司經(jīng)營狀況,以及發(fā)表對半導(dǎo)體景氣看法之后,此一話題再度成為討論的焦點。由于兩業(yè)者所占的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的超過10%,
2025-06-20 14:20
【摘要】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長技術(shù)?體單晶生長技術(shù)單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長可以獲得電子級(%)的單晶硅?外延生長技術(shù)外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長問
2024-12-11 07:59
【摘要】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價電子)都是四個。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識通過一定的
2025-03-12 23:13
【摘要】名詞解釋本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。名詞解釋N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體,其自由電子濃度進大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷、砷、銻等),使乊取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子,主要靠自由電子導(dǎo)電。自由
2025-01-03 06:43
【摘要】半導(dǎo)體材料的拋光摘要磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片必要方式,然而磨削和研磨會導(dǎo)致單晶硅晶片的表面完整性變差。因此拋光和平面化對生產(chǎn)微電子原件來說是十分重要的。這次講座將會介紹到寄出的拋光過程以及不同的過程模型。另外也會對硅、砷化鎵等不同的半導(dǎo)體襯底材料進行討論。關(guān)鍵字:化學(xué)機械拋光(CMP)三軸拋光機床半導(dǎo)體拋光1簡介,但拋光和平展化任然是制備微電子原
2024-08-05 13:57
【摘要】第八章半導(dǎo)體電子材料材料優(yōu)值的概念?某類器件究竟采用哪種材料更合適??材料的某些基本性質(zhì)決定的材料優(yōu)值,并用此材料優(yōu)值來定量比較常用的幾種材料優(yōu)值?約翰遜優(yōu)值?凱斯優(yōu)值?巴利加優(yōu)值?高頻器件用材料優(yōu)值?熱性能優(yōu)值約翰遜優(yōu)值?最大輸出功率:電壓?
2025-01-07 09:27
【摘要】第二章半導(dǎo)體材料特性1提綱2原子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵材料分類硅可選擇的半導(dǎo)體材料新型半導(dǎo)體電子與光電材料原子結(jié)構(gòu)原子由三種不同的粒子構(gòu)成:中性中子和帶正電的質(zhì)子組成原子核,以及圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶負電核的電子,質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)相等呈現(xiàn)中性。圖碳原子的基本模型
2025-03-12 23:56
【摘要】第一篇半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題1-1、什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說明之。解:在一定溫度下,價帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對的電子-空穴對。如果溫度升高,則禁帶寬度變窄,躍遷所需的能量變小,將會有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。1-2、試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫
2025-03-27 23:10
【摘要】第一章半導(dǎo)體中電子狀態(tài)(二)量子力學(xué)初步第一朵烏云出現(xiàn)在光的波動理論上,第二朵烏云出現(xiàn)在關(guān)于能量均分的麥克斯韋-玻爾茲曼理論上世紀(jì)之交的1900年,經(jīng)典物理學(xué)輝煌的大廈已近完成。物理學(xué)泰斗開爾文爵士在物理學(xué)大會的演講中宣布:“Thereisnothingnewtobediscoveredin
2025-05-04 22:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運動和有效質(zhì)量?半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生及導(dǎo)電機構(gòu)?半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1、金剛石型結(jié)構(gòu)和共價鍵?化學(xué)鍵:構(gòu)成晶體的結(jié)合力.?共價鍵:由同種晶體組成的元素半導(dǎo)體,其
2025-01-21 16:52