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半導(dǎo)體材料的拋光(參考版)

2025-07-28 13:57本頁面
  

【正文】 。此技術(shù)由玻璃拋光衍生而來,由于有可用的模型,CMP技術(shù)將會在實(shí)踐中進(jìn)一步發(fā)展。3總結(jié)如今,半導(dǎo)體材料的拋光是半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)鍵。顆粒濃度的增加也會使去除率增加,一般使用1%(質(zhì)量百分比)濃度。由于化學(xué)和機(jī)械之間的相互作用,總除去率比每個(gè)單獨(dú)去除的總和要高。CMP材料去除過程包括一個(gè)化學(xué)過程和機(jī)械過程。但是,在理論上,這個(gè)問題被已經(jīng)被解決了。合適的工藝適應(yīng)調(diào)節(jié)工具仍沒有充分開發(fā)。具有高剛度的聚氨酯磁盤通常被用作拋光墊。用具有相對小的尺寸分布且極為光滑的球狀微粒可以達(dá)到最優(yōu)的效果。拋光墊及漿料是進(jìn)行拋光所需的重要工具,對結(jié)果有很大的影響。這樣做的原因是,在晶片內(nèi)的干擾雜質(zhì)原子,傾向于擴(kuò)散到僅被研磨和磨削后的未拋光的晶片背面。如果進(jìn)行雙面拋光,晶片不必要被緊固,因?yàn)樗鼈儽徊迦氲綊伖鈾C(jī)中。這種方法的優(yōu)點(diǎn)在于,晶片拋光側(cè)也可以作為參考面。晶片被壓到一個(gè)浸漬、多孔的柔性盤上,由于粘合力作用使得它粘附到拋光頭部。此外,蠟的粘附是不適合用于盒式對
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