【摘要】綱要?半導(dǎo)體材料是什么?半導(dǎo)體材料的物理基礎(chǔ)?什么樣的半導(dǎo)體材料適合作為光伏材料?光生伏特效應(yīng)1?何謂半導(dǎo)體?半導(dǎo)體材料的分類?半導(dǎo)體材料的性質(zhì)2何謂半導(dǎo)體?導(dǎo)體,電阻率在,如各種金屬?半導(dǎo)體,電阻率在10-5到,如硅,鍺,硫化鋅等等?絕緣體:電阻率在10-6到,如云母,水泥,玻璃,橡膠,塑料等等3半導(dǎo)體材料
2025-01-03 06:44
【摘要】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2024-08-05 02:12
【摘要】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產(chǎn)生率G復(fù)合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
2025-05-09 12:47
【摘要】導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體物體的導(dǎo)電能力,一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大,說明這種材料的導(dǎo)電能力越弱。表1-1給出以電阻率來區(qū)分導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體的大致范圍。物體電阻率導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體Ω·CM10e9
2025-01-16 12:26
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個(gè)能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個(gè)價(jià)電子Si的4個(gè)價(jià)電子金剛石的4個(gè)價(jià)電子134,
2024-08-14 06:42
【摘要】第一章半導(dǎo)體器件第一節(jié)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識第二節(jié)PN結(jié)及其單向?qū)щ娦缘谌?jié)半導(dǎo)體二極管第四節(jié)雙極性三極管半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識一、半導(dǎo)體概念導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和
2025-01-10 03:13
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)晶體生長和外延1晶體生長和外延現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2023,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)晶體生長和外延2晶體生長與外延對分立器件而言,最重要的半導(dǎo)
2025-01-25 03:14
【摘要】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵?能級與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性:固態(tài)材料可分為三類,即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于104S
2025-01-16 12:27
【摘要】半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)與起源(~1900)在二十世紀(jì)的近代科學(xué),特別是量子力學(xué)發(fā)展知道金屬材料擁有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱特性,而陶瓷材料則否,性質(zhì)出來之前,人們對于四周物體的認(rèn)識仍然屬于較為巨觀的瞭解,那時(shí)已經(jīng)介于這兩者之間的,就是半導(dǎo)體材料。英國科學(xué)家法拉第(MIChaelFaraday,1791~1867),在電磁學(xué)方面擁有許多貢獻(xiàn),為人所知的,則是他在1833年發(fā)現(xiàn)的其中一種半
2025-04-07 02:20
【摘要】半導(dǎo)體材料的發(fā)展及應(yīng)用讓我們來看兩組半導(dǎo)體的圖片?下面是具體形象的物品所應(yīng)用到的半導(dǎo)體蘋果4代蘋果筆記本石油館激光筆半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),是信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“糧食”。半導(dǎo)體材料應(yīng)用已經(jīng)成為衡量一個(gè)國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展科技進(jìn)步和國防實(shí)力的重要
2025-02-28 01:37
【摘要】11半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)知識講座李本成2021/06/2522目錄?一、什么是半導(dǎo)體??(Conductor)?(Insulator)?(Semiconductor)?二、半導(dǎo)體材料的分類?????三、半導(dǎo)體硅材料
2025-05-17 17:48
【摘要】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運(yùn)動(dòng)非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)
2025-01-16 12:12
【摘要】半導(dǎo)體物理與器件第四章第二講邱偉彬§非本征半導(dǎo)體?非本征半導(dǎo)體:摻入定量的特定的雜質(zhì)原子(施主或受主),從而熱平衡電子和空穴濃度不同于本征載流子濃度的半導(dǎo)體材料。–摻入的雜質(zhì)原子會(huì)改變電子和空穴的分布。費(fèi)米能級偏離禁帶中心位置。–摻入施主雜質(zhì),雜質(zhì)電離形成導(dǎo)帶電子和正電中心(施主離子),而不產(chǎn)生空穴
2025-01-09 14:50
【摘要】南京工業(yè)大學(xué)課程教學(xué)進(jìn)程表課程半導(dǎo)體物理學(xué)時(shí)56院(系)別理專業(yè)應(yīng)物年級20082010—2011學(xué)年第二學(xué)期教師陳愛平日期2011/2/21教研室負(fù)責(zé)人蔡永明日期2011/2/21周次及起訖日期講課
2025-06-12 23:36
【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量?本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴?常見半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)重點(diǎn):有效質(zhì)量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似:假設(shè)每個(gè)電子是在周期性排列且固定不動(dòng)的原子核勢場及其他電子的平均勢場中運(yùn)動(dòng)。該勢
2025-03-25 06:44