半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(參考版)

【摘要】第一章半導(dǎo)體中電子狀態(tài)(二)量子力學(xué)初步第一朵烏云出現(xiàn)在光的波動理論上，第二朵烏云出現(xiàn)在關(guān)于能量均分的麥克斯韋-玻爾茲曼理論上世紀(jì)之交的1900年，經(jīng)典物理學(xué)輝煌的大廈已近完成。物理學(xué)泰斗開爾文爵士在物理學(xué)大會的演講中宣布：“Thereisnothingnewtobediscoveredin

2025-05-04 22:23

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(參考版)

【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運動和有效質(zhì)量?半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生及導(dǎo)電機(jī)構(gòu)?半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1、金剛石型結(jié)構(gòu)和共價鍵?化學(xué)鍵:構(gòu)成晶體的結(jié)合力.?共價鍵:由同種晶體組成的元素半導(dǎo)體,其

2025-01-21 16:52

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體物理教材：劉恩科王延來15124750239固體物理的分支半導(dǎo)體的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀物理特性的關(guān)系物理特性電學(xué)特性微觀結(jié)構(gòu)原子排列的方式、鍵合結(jié)構(gòu)、電子的運動狀態(tài)等學(xué)習(xí)要求深刻理解概念、物理機(jī)制48學(xué)時，3學(xué)分，閉卷考試，平時30%，期末70%第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)n半導(dǎo)體材料分類n晶體材料：單晶和多晶

2025-01-03 06:43

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人：代國章物理樓110室，13786187882Email:?課程代碼：14010022?課程性質(zhì)：專業(yè)課程/選修課學(xué)分：?時間：周三（9,10）、（單周）周四（3,4）?教室：B座111?課程特點：內(nèi)容廣、概念多，理論和系統(tǒng)性較強(qiáng)。?課程要求：著重物理概

2025-01-03 07:03

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題(參考版)

【摘要】第一篇半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題1-1、什么叫本征激發(fā)？溫度越高，本征激發(fā)的載流子越多，為什么？試定性說明之。解：在一定溫度下，價帶電子獲得足夠的能量（≥Eg）被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對的電子-空穴對。如果溫度升高，則禁帶寬度變窄，躍遷所需的能量變小，將會有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。1-2、試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫

2025-03-27 23:10

1第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(參考版)

【摘要】?半導(dǎo)體獨特的物理性質(zhì)與半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和運動特點密切相關(guān)。所以，為了研究和利用半導(dǎo)體的這些物理性質(zhì)，本章簡要介紹半導(dǎo)體單晶材料中電子狀態(tài)和運動規(guī)律。?半導(dǎo)體單晶材料由大量原子周期性重復(fù)排列而成，而每個原子又包含原子核和許多電子。如果能寫出半導(dǎo)體中所有相互作用著的原子核和電子系統(tǒng)的薛定諤方程，并求出其解，就能了解半導(dǎo)體的許多物理性質(zhì)

2025-08-07 18:02

固體與半導(dǎo)體物理平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體(參考版)

【摘要】我的信息最高能帶填滿，再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā)，滿帶電子躍遷到上面的空帶，兩個能帶都成了不滿帶，具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體？Ge的4個價電子Si的4個價電子金剛石的4個價電子134,

2025-08-06 06:42

半導(dǎo)體中電子運動及有效質(zhì)量(參考版)

【摘要】§半導(dǎo)體中電子（在外力下）的運動、有效質(zhì)量半導(dǎo)體中電子運動速度、加速度電子的有效質(zhì)量一、自由空間的電子:對自由空間的電子:從粒子性出發(fā),它具有一定的質(zhì)量m0和運動速度V。從波動性出發(fā),電子的運動看成頻率為ν、波矢為K的平面波在波矢方向的傳輸過程。V2P=m0vv=P/m0=hk/

2025-05-16 20:52

lect半導(dǎo)體電子ppt課件(參考版)

【摘要】內(nèi)容：?黑體輻射與能量量子化的假設(shè)?光電效應(yīng)?康普頓效應(yīng)?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測不準(zhǔn)關(guān)系?薛定鄂方程?無限深勢阱中的粒子?激光原理?晶體點陣及電子波在周期勢場中的傳播應(yīng)用Atoms（原子核）（外層電子、價帶電子）（激發(fā)態(tài)電子）Moretha

2025-05-08 18:14

半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷(參考版)

【摘要】第二章半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷理想半導(dǎo)體：1、原子嚴(yán)格周期性排列，具有完整的晶格結(jié)構(gòu)。2、晶體中無雜質(zhì)，無缺陷。3、電子在周期場中作共有化運動，形成允帶和禁帶——電子能量只能處在允帶中的能級上，禁帶中無能級。?本征半導(dǎo)體——晶體具有完整的（完美的）晶格結(jié)構(gòu)，無任何雜質(zhì)和缺陷。由本征激發(fā)提供載流子。

2025-05-16 20:52

半導(dǎo)體光電子ppt課件(參考版)

【摘要】半導(dǎo)體的光學(xué)特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導(dǎo)體光電子器件工作的本質(zhì)就是?光子與半導(dǎo)體中電子的相互作用，因此，了解這種作用是掌握光電子器件的關(guān)鍵。?光子與半導(dǎo)體電子的作用可以用散射理論來描述?在光子的散射作用下，電子從一個狀態(tài)進(jìn)入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來表

2025-01-17 10:03

電力電子半導(dǎo)體器件scr(參考版)

【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器，可控硅，SCR。一、結(jié)構(gòu)：四層PNPN結(jié)構(gòu)，三端器件符號正向阻斷：A—K接正電壓，J2反偏，漏電流很小。反向阻斷：A—K接負(fù)電壓，J1，J3反偏，漏電流很小。等效電路：由PN

2025-05-03 01:43

電力電子半導(dǎo)體器件g(參考版)

【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管（GTO）特點：是SCR的一種派生器件；具有SCR的全部優(yōu)點，耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng)，造價便宜；為全控型器件，工作頻率高，控制功率小，線路簡單，使用方便?！霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu)：四層PNPN結(jié)構(gòu)，三端器件；特點：①

2025-05-04 06:14

半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子(參考版)

【摘要】第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子1第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子?6．1載流子的產(chǎn)生與復(fù)合?6．2過剩載流子的性質(zhì)?6．3雙極輸運?6．4準(zhǔn)費米能級?*6．5過剩載流子的壽命?*6．6表面效應(yīng)2?平衡狀態(tài)下產(chǎn)生率等于復(fù)合率

2025-05-19 01:07

半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子(參考版)

【摘要】第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子1第6章半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子?6．1載流子的產(chǎn)生與復(fù)合?6．2過剩載流子的性質(zhì)?6．3雙極輸運?6．4準(zhǔn)費米能級?*6．5過剩載流子的壽命?*6．6表面效應(yīng)2?平衡狀態(tài)下產(chǎn)生率等于復(fù)合率

2025-06-15 18:07

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(更新版)

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(專業(yè)版)

半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(留存版)

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