半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)(參考版)
2025-01-03 06:43本頁面
【正文】 n 根據(jù)晶體立方對(duì)稱性的要求， 也必有同樣的能量在 共有六個(gè)旋轉(zhuǎn)橢球面，電子 主要分布在這些極值附近?硅、鍺能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)：1）鍺、硅為間接能隙結(jié)構(gòu)2）禁帶寬度隨溫度的增加而減小3） T=0K時(shí) 硅 鍺 4 GaAs的能帶結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：（ 1）負(fù)溫度系數(shù)特性（ 2） T(0K) Eg= （ 3）直接能隙結(jié)構(gòu)溫度特性比較Si： dEg/dT=104eV/KGe: dEg/dT=104eV/K GaAs： dEg/dT = 104eV/K室溫下禁帶寬度Si： Ge: GaAs： 作業(yè)： 1， 2， 3其他其他 其他其他 返回返回謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。設(shè)導(dǎo)帶底位于 ，在晶體中適當(dāng)選取坐標(biāo)軸n 等能面是環(huán)繞 的一系列橢球面n 如果知道了有效質(zhì)量的值，則可求出能帶結(jié)構(gòu)。1可獲得較大的加速度能帶曲率大 小能帶曲率小 大小大5 半導(dǎo)體中的載流子 半導(dǎo)體中存在兩種載流子 電子 空穴空穴：將價(jià)帶電子的導(dǎo)電作用等效為帶正電荷的 準(zhǔn)粒子的導(dǎo)電作用 。內(nèi)層電子能帶窄，有效質(zhì)量大 。13 導(dǎo)體、半導(dǎo)體 、絕緣體的能帶(1)滿帶中的電子不導(dǎo)電 即是說 ， +k態(tài)和 k態(tài)的電子電流互相抵消所以，滿帶中的電子不導(dǎo)電 。相應(yīng)位置，電子的分布幾率是一樣的。n 孤立原子中的電子：在原子核和其他電子的勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)n 自由電子：在一恒定為零的勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)n 晶體中的電子 : 單電子近似n 波函數(shù)：描述微觀粒子的狀態(tài)n 薛定諤方程：決定粒子變化的方程n（ 1）自由電子 :n動(dòng)量 能
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