【正文】 總 結(jié) 。 ③ TTL電路的優(yōu)點(diǎn)是 開(kāi)關(guān)速度較高，抗干擾能力較強(qiáng)，帶負(fù)載的能力也比較強(qiáng)，缺點(diǎn)是功耗較大 。 （ 3） TTL電路和 CMOS電路之間一般不能直接連接，而需利用接口電路進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換或電流變換才可進(jìn)行連接，使前級(jí)器件的輸出電平及電流滿足后級(jí)器件對(duì)輸入電平及電流的要求，并不得對(duì)器件造成損害。 （ 2）數(shù)字集成電路中多余的輸入端在不改變邏輯關(guān)系的前提下可以并聯(lián)起來(lái)使用，也可根據(jù)邏輯關(guān)系的要求接地或接高電平（最好接入限流電阻）。 （ 7） CMOS電路容易受靜電感應(yīng)而擊穿 ， 在使用和存放時(shí)應(yīng)注意靜電屏蔽 ，焊接時(shí)電烙鐵應(yīng)接地良好 ， 尤其是 CMOS電路多余不用的輸入端不能懸空 ，應(yīng)根據(jù)需要接地或接高電平 。 （ 5） CMOS集成電路的集成度比 TTL電路高 。 （ 4） CMOS電路的功耗比 TTL電路小得多 。 （ 2） CMOS帶負(fù)載的能力比 TTL電路強(qiáng) 。 C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C 當(dāng) c端接低電壓 ?5V時(shí) ?5V +5V ?5V~+5V 開(kāi)關(guān)斷開(kāi) C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C 當(dāng) c端接高電壓 +5V +5V ?5V ?I＜ ?3V ?I+3V － 3V~+3V 一管導(dǎo)通程度愈深，另一管導(dǎo)通愈淺，導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。 由互補(bǔ)的信號(hào)電壓來(lái)控制，分別用 C和 C 表示。 CMOS與非門 二輸入 “ 與非 ” 門電路結(jié)構(gòu)如圖 每個(gè)輸入端與一 個(gè) NMOS管和一個(gè) PMOS管的柵極相連 ?當(dāng) A和 B為高電平時(shí) : 1 兩 個(gè) 并 聯(lián) 的PMOS管 T T4 兩個(gè)串聯(lián)的NMOS T T2 通 通 止 止 0 1 通 止 通 1止 ?當(dāng) A和 B有一個(gè)或一個(gè)以上為低電平時(shí) : 電路輸出高電平 輸出低電平 ? 電路實(shí)現(xiàn)“與非”邏輯功能 ABF ?0 T P2 B A T N2 T N1 V DD L 1 ?當(dāng) A、 B全為低電平時(shí) 0 0 輸出為高電平 CMOS或非門 ?當(dāng)輸入端 A、 B都為高電平時(shí)， ?當(dāng) A、 B全為低電平時(shí)， BAL ???當(dāng) A、 B中有一個(gè)為高電平時(shí) T P2 B A T N2 T N1 V DD L 0 1 1 輸出為高電平 輸出為低電平 輸出必為低電平 C T P v O / v I v I / vO + 5V – 5V T N C C v O / v I v I / v O TG C TG 是一種傳輸信號(hào)的可控開(kāi)關(guān)，截止電阻 107Ω，導(dǎo)通電阻 幾百 Ω，所以是一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。 VO ≈ VDD V DD T P T N v O v I 當(dāng) vI = VDD 時(shí) VO ≈ 0 VGSN =VDD VTN TN管導(dǎo)通； |VGSP|= 0 VTP TP管截止。 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 P溝 道 場(chǎng)效應(yīng)管 柵極 源極 ui=VIL uo=VDD G D S RD +VDD 截止?fàn)顟B(tài)等效電路 ui=VIH uo=0 G D S RD +VDD 導(dǎo)通狀態(tài)等效電路 0)(當(dāng)導(dǎo) 通 ???? ????OLOTGSIHiVuthVVu2. N溝道場(chǎng)效應(yīng) 管的開(kāi)關(guān)特性 ui uo G D S RD +VDD DDOHOTGSILiVVuthVVu???? ????截止)(當(dāng)MOS管的 DS極可以看成是受 ui控制的開(kāi)關(guān) 。 3 CMOS邏輯門電路 場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)特性 CMOS反相器及 其他 邏輯門 CMOS邏輯門的特點(diǎn) 場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)特性 場(chǎng)效應(yīng)管是一種用輸入電壓控制輸出電流的的半導(dǎo)體器件。 與 TTL邏輯電路比較， MOS管的優(yōu)點(diǎn)是功耗低，可達(dá) ，缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度稍低。 小結(jié) 三極管非門 ： 分析了最簡(jiǎn)單的三極管非門，并分析了其優(yōu)缺點(diǎn)。 74LS系列產(chǎn)品具有最佳的綜合性能，是 TTL集成電路的主流，是應(yīng)用最廣的系列。 ③ 74S：肖特基系列，是在 74H系列基礎(chǔ)上改進(jìn)得到的，其典型電路與非門的平均傳輸時(shí)間 tpd＝ 3ns，平均功耗 P＝ 19mW。 TTL電路常識(shí) ① 74：標(biāo)準(zhǔn)系列 ， 其典型電路與非門的平均傳輸時(shí)間 tpd＝ 10ns，平均功耗 P＝ 10mW。 ② 信號(hào)雙向傳輸 ：E=0時(shí)信號(hào)向右傳送， B=A； E=1時(shí)信號(hào)向左傳送，A=B 。 L 區(qū)別？ CS 數(shù)據(jù)輸入端 輸出端 L A B 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 高阻 CS 數(shù)據(jù)輸入端 輸出端 L A B 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 高阻 高電平 有效 A B CS amp。 L 高電平使能 ? ? 高阻狀態(tài) 與非功能 Z L ABL CS = 0 ____ CS =1 結(jié)論：電路的輸出有高阻態(tài)、高電平和低電平 3種狀態(tài)。 Rp的值可在 985W至 ,之間選擇 ,可選 1kW的電阻器為宜。 解：從器件手冊(cè)查出得： VCC=5V， VOL(max)=，IOL(max)=8mA， IIL= 400?A， VIH(min) =2V，IIH=20?A。 另一方面， Rp的大小影響 OC門 的開(kāi)關(guān)速度， Rp的值愈大，因而 開(kāi)關(guān)速度愈慢 ，故在滿足要求的前提 下， Rp越小越好。 V CC (5V) R c 4 130 W R c2 W R b 2 W T 4 T 2 T 3 T 1 A B R e 2 1k W D OC與非門的電路結(jié)構(gòu) A B + V CC Y R T 1 T 2 T 3 u B1 OC門實(shí)現(xiàn)的線與 CDABCDABYYYYYYY?????? 2121 才為高，即為低，只有兩者同高有一個(gè)低、?T3 T’3 集電極開(kāi)路后，并不影響原有的電路功能 L 寫出邏輯函數(shù)表達(dá)式： EDBCABL ????線與：實(shí)現(xiàn)與的邏輯功能 DBCABL ??? 集電極開(kāi)路門上拉電阻 Rp 的計(jì)算 TTL 電路 TTL 電路 D C B A T 1 T 2 V CC L R P 在極限情況，上拉電阻 Rp具有限制電流的作用。 A B Y1 +5V T 1 T 2 D T 4 T 3 R 1 R 2 R 3 R 4 4k 130 W 1k A B Y2 +5V T 1 T 2 D T 4 T 3 R 1 R 2 R 3 R 4 4k 130 W 1k 這兩個(gè)邏輯門是否可以直接并聯(lián)？ A B amp。 DP的值愈小，表明它的特性愈接于理想情況。 延時(shí) ?功耗積 DP = tpdPD 指的是當(dāng)電路沒(méi)有狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)的功耗 是在門的狀態(tài)轉(zhuǎn)換的瞬間的功耗。 tPHL為由高電平轉(zhuǎn)換到低電平所經(jīng)歷的時(shí)間。 例題： 扇出數(shù)計(jì)算舉例 電路在輸入脈沖波形的作用下，其輸出波形相對(duì)于輸入波形延遲了多長(zhǎng)的時(shí)間。 OHOHIH()()INI?驅(qū)動(dòng)門負(fù)載門IIH IOH 例 查得基本的 TTL與非門 7410的