【摘要】本文檔由十月團隊收集制作緒論一.符號約定·大寫字母、大寫下標(biāo)表示直流量。如:VCE、IC等?!ば懽帜?、大寫下標(biāo)表示總量(含交、直流)。如:vCE、iB等?!ば懽帜?、小寫下標(biāo)表示純交流量。如:vce、ib等。·上方有圓點的大寫字母、小寫下標(biāo)表示相量。如:等。二.信號(1)模型的轉(zhuǎn)換
2025-04-20 04:37
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子是空穴)。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的
2025-04-20 04:21
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。本征半導(dǎo)體中載流子熱平衡濃度的高低取決于溫度和價電子擺脫共價鍵所需的能量4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征
2024-08-22 02:51
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的
2024-11-10 03:05
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第五版第八章作業(yè)題解答湖呵呵
2024-11-02 07:01
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第五版)教學(xué)課件《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版第二章邏輯代數(shù)基礎(chǔ)《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》第五版概述?基本概念邏輯:事物的因果關(guān)系邏輯運算的數(shù)學(xué)基礎(chǔ):邏輯代數(shù)在二值邏輯中的變量取值:0/
2025-01-02 18:15
【摘要】.選擇題:1.下列各式中哪個是四變量A、B、C、D的最小項?()a.A′+B′+Cb.AB′Cc.ABC′Dd.ACD2.組合邏輯電路的分析是指()。a.已知邏輯要求,求解邏輯表達(dá)式并畫邏輯圖的過程b.已知邏輯要求,列真值表的過程c.已知邏輯圖,求解邏輯功能的過程3.正邏輯是指
2025-06-03 12:19
【摘要】復(fù)習(xí)題一.選擇題:1.下列各式中哪個是四變量A、B、C、D的最小項?()a.A′+B′+Cb.AB′Cc.ABC′Dd.ACD2.組合邏輯電路的分析是指()。a.已知邏輯要求,求解邏輯表達(dá)式并畫邏輯圖的過程b.已知邏輯要求,列真值表的過程c.已知邏輯圖,求解
2024-08-17 01:11
【摘要】1第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是
2024-11-11 06:41
【摘要】第一章數(shù)字邏輯習(xí)題1.1數(shù)字電路與數(shù)字信號圖形代表的二進制數(shù)0101101001.1.4一周期性數(shù)字波形如圖題所示,試計算:(1)周期;(2)頻率;(3)占空比例MSBLSB0121112(ms)解:因為圖題所示為周期性數(shù)字波,所以兩個相鄰的上升沿之間持續(xù)的時間為周期,T=10ms頻率為周期的倒數(shù),f=1/T=1/=1
2025-06-30 16:02
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電路AnalogCircuit▲教材《電子技術(shù)基礎(chǔ)——模擬部分(第五版)》康華光主編,高教出版社▲參考書《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)》童詩白主編,高教出版社《模擬電子技術(shù)簡明教程》楊素行編,高教出版社《電子線路(線性部分)》謝嘉奎主編,高教出版社
2025-02-07 15:03
【摘要】模電復(fù)習(xí)資料第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子是空穴)。
2025-04-20 04:47
【摘要】解:正弦波電壓表達(dá)式為,由于,于是得(1)(2)(3)(4)解:(1)方波信號在電阻上的耗散功率(2)可知直流分量、基波分量、三次諧波分量分別為、、,所以他們在電阻上的耗散功率為直流分量:基波分量:三次諧波分量:(3)三個分量占電阻上總耗散功率的百分比:前三者之和為:所占百分比:解:由圖可知,,所
2024-08-21 20:20
【摘要】第一章數(shù)字邏輯習(xí)題1.1數(shù)字電路與數(shù)字信號圖形代表的二進制數(shù)0101101001.1.4一周期性數(shù)字波形如圖題所示,試計算:(1)周期;(2)頻率;(3)占空比例MSBLSB012 1112(ms)解:因為圖題所示為周期性數(shù)字波,所以兩個相鄰的上升沿之間持續(xù)的時間為周期,T=10ms頻率為周期的倒數(shù),
2025-06-09 18:10
【摘要】第一篇:南京工業(yè)大學(xué)模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料_模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第一章半導(dǎo)體二極管 (如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。 。 、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻...
2024-11-13 06:39