千赫mosfet感應加熱電源的電路設計(參考版)
2025-01-19 10:34本頁面
【正文】 清楚地表明，這些波形的振蕩已被消除，并且是通過高效率和有效的方式來實現的。通過使用濾波器來抑制振蕩的方法也在上面詳細的說明了，傅里葉函數變換分析一直作為這種含有濾波器電路結構原理分析的常用方法。修改后的振蕩電路已成功地用于商業(yè)應用，如蓋密封，閥門電極退火和化學分離工廠。流經4 CDs(IcM)的環(huán)流元件是有MOSFET器件實現的，如果tDB被認為是可以忽略的，那么它的均方根的值可以有以下公式計算：單個MOSFET管的電流峰值計算公式為：，作為修改后的儲能電路反饋電流， A，與實驗值相一致（見圖9（b））。對于高次諧波成分，電容CT是一個低阻抗，因而在高次諧波電壓情況下，電容CT相對于電感L“的影響作用非常小，如圖示9（e）。），從而支持在圖8提出使用的電路模型。在忽略Ls的情況下，通過使用電腦，修改后的振蕩電路（9）準許導納軌跡的問題已經得到解決，較低的并聯諧振頻率被認為是140KHz。修正后的儲能電路存在兩個并聯諧振頻率，如圖8所示，務必要注意較小的那個頻率值。Ls可以是波形是在儲能電路的最低并聯諧振頻率取得的。該單位的設計也簡化了，因為MOSFET的電流波形，等等，都更適合進行分析。因此，利用修正后的儲能電路，MOSFET開關容量的使用率就提高了30%，并且漏極電流的波形也可以預測，將變的更好。相比于圖9(b)中的波形，如圖4(b)中MOSFET漏極電流的均方根計算較為困難。圖4(a)和圖9(a)相比，過濾器的摻入提高了晶體管的維持電壓利用率的能力，至少提高了百分之三十。修正后的儲能電路中，LT = uH (Q =24) 、L = (Q = 16), CT = 50 nF 、 CDs = 20nF. 電壓和電流如圖9中所示。當直流電流最低，其中一個并聯諧振頻率將反饋給儲能電路。電路的電壓電流波形如圖4所示。另外，工作的線圈的Q值需要進一步的計算。非負載工作線圈與一個并聯電容發(fā)生諧振。Ls是MOSFET和連接在儲能電路之間的寄生電感。修改后的振蕩電路如圖8所示。儲能電路和濾波器ZF的共同作用，避免濾波器ZF不再出現低阻抗的問題，這是因為在加熱周期循環(huán)中，這個值是會發(fā)生變化的。V. 濾波器的實驗驗證在商用感應加熱裝置中，逆變橋開關頻率各不相同，因此，儲能電路常常處于諧振狀態(tài)。為確保在不同負載和驅動電路情況下，濾波器能正?？煽康倪\行，需要考慮括號中的
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