【正文】 ? 下面程序所實(shí)現(xiàn)的功能是當(dāng) K1閉合時， LED導(dǎo)通。 ? RC4工作在輸入時：當(dāng)無 K1未按下時，輸入為高電平；當(dāng) K1按下時，輸入為低電平。 SMBUS（ system Management BUS）詳見 I2C總線 端口數(shù)據(jù) /外圍設(shè)備數(shù)據(jù)選擇 0 1 ∨ ∧ ∨ 外圍設(shè)備輸出允許 外圍設(shè)備輸入 0 1 CKE SSPSTAT（ 6） SMBUS P N SMBUS是兩線雙向同步串行總線，他首先由 INTEL提出，與 I2總線兼容， I2是PHILIP提出。 RC RC3 I/O電路結(jié)構(gòu) 外圍數(shù)據(jù)輸出 施 密 特 觸 發(fā) 器 RC RC3 I/O 電路結(jié)構(gòu)是在 RC7~RC RC2～ RC0 I/O電路結(jié) 構(gòu)基本上，為擴(kuò)大對外圍 輸入信號的兼容，通過對 同步串行狀態(tài)寄存器 D6 位 CKE的設(shè)置 (P261)， 當(dāng) CKE為 “ 1”，選擇輸入 的是 SMBUS電平的信號； 當(dāng) CKE為 “ 0”，選擇輸入 的是符合 CMOS電平的信 號。 ? 同樣 RC4和 RC3當(dāng)用于外圍模塊實(shí)現(xiàn) I2C通信時， TRISC[4： 3]必須設(shè)置為“ 1”，即 RC RC3工作在輸入狀態(tài)。 RC0/T1OSO/T1CKI RC1/CCP2/T1OSI T1OSCEN T1OSC 3． RC RC3 I/O電路結(jié)構(gòu) ? RC RC3 I/O電路結(jié)構(gòu)是在 RC7~RC RC2～ RC0 I/O電路結(jié)構(gòu)基本上，為擴(kuò)大對外圍輸入信號的兼容，通過對同步串行狀態(tài)寄存器D6位 CKE的設(shè)置，增加一個 SMBUS電平的信號。 端口數(shù)據(jù) /外圍設(shè)備數(shù)據(jù)選擇 OE 0 1 + amp。 而由外圍模塊的工作方式確 定各 I/O位輸入 /輸出的工 作方式。 RC7~RC RC2~RC0 I/O電路結(jié)構(gòu) 外圍數(shù)據(jù)輸出 施 密 特 觸 發(fā) 器 當(dāng) PORTC作為 I/O使 用時，其輸入 /輸出的工作 方式，由對方向寄存器 TRISC的設(shè)置來確定， “ 0” 為輸出； “ 1”為輸入。 RC7~RC0輸出必須將方向寄存器 TRISC所對應(yīng)的位設(shè)置為 0（輸出為輸出數(shù)據(jù)鎖存器中的狀態(tài)）； TRISC所對應(yīng)的位設(shè)置為“ 1”，則對應(yīng)位工作為輸入。 ?RBUF=0 允許上拉、 RBUF=1禁止上拉 ?因此在設(shè)置各端口的輸入 /輸出方式時，必須注意體的選擇。 INT_SER : ；保護(hù)現(xiàn)場 BTFSS INTCON， RBIE GOTO OTHER INT BTFSS INTCON， RBIF ；是 RB中斷？是間跳 GOTO OTHER_INT ；否，執(zhí)行其他中斷 BTFSS PORTB,RBX ；是上升沿中斷， RBX為 “ 1”間跳 執(zhí)行中斷服 ；務(wù)程序 GOTO CLR_RBIF ； RBX不是 “ 1”，置 RBIF為 “ 0” CLR_RBIF ； MOVF PORTB,1 ；讀 RB端口 BCF INTCON,RBIF ；置 RBIF為 “ 0” GOTO INT_RET ；處理完畢返回 OTHER_INT ；其他中斷 : INT_RET : ；恢復(fù)現(xiàn)場 RETFIE ；中斷返回 中斷服 務(wù)程序 ；執(zhí)行由 RBx產(chǎn)生的中斷服務(wù)程序 4． PORTB相關(guān)的寄存器 地址 寄存器名 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 06H、 106H PORTB 86H、 186H TRISB 0輸出 1輸入 81H、 181H OPTION RBUF ?PORTB端口寄存器在體 1（ 06H）和體 3（ 106H）中。 D Q CK D Q CK Q Q D EN VDD DATA BUS WR PORT WR TRIS RD PORT RD TRIS U1 U2 U3 I/O位 方向寄存器 輸入 數(shù)據(jù) 鎖存 器 輸出數(shù)據(jù)鎖存器 3。 中斷服務(wù)程序執(zhí)行時間 窄脈沖上升沿中斷處理 若進(jìn)入中斷服務(wù)程 序就執(zhí)行讀 RBX操 作，則即將 RBIF置 “ 0”，這樣在執(zhí)行中 斷服務(wù)程序時，若 發(fā)生由高電平變低 電平，此時又將 RBIF置“ 1”，當(dāng)中 斷服務(wù)程序執(zhí)行完 返回主程序時，便 產(chǎn)生了錯誤的中斷。 amp。 amp。 PEIE RBIF RBIE INTF INTE T0IF T0IE GIE amp。 ；當(dāng) RB0/INT輸入為下降邊沿觸發(fā) ；中斷，或?qū)?CPU從休眠中喚醒。 例： RB0/INT中斷初始化 BSF SATAUS ， RP0 ；設(shè)置 RP0為“ 1”，選擇體 1。這個特 點(diǎn)特別適用于用電池供電的設(shè)備，如遙控器、計算 器等。在中斷服務(wù)程序中通過對 INTCON中的RBIF位執(zhí)行置“ 0”操作。在中斷服務(wù)程序中對 PORTB執(zhí)行一次讀操作（此時 PORTB輸入端的狀態(tài)未變化），即執(zhí)行讀操作時，由于 A點(diǎn)和 B點(diǎn)處的邏輯相同，通過“異或”電路后輸出使 RBIF為“ 0”。 Q D U4 EN 異 或 ： RD PORT Q3 Q1 RB7： RB6串行編程模式 設(shè)置 RBIF 狀 態(tài) 鎖 存 器 A B 電平變化中斷 Q1 Q2 Q3 Q4 PC1 PC PC+1 004H 時鐘 INTIF標(biāo)志 GIE CPU檢測到 RB7~RB4 =1的 下一個周期的 Q2將 GIE置“ 0” Q1 Q2 RB7~RB4 PC+1 只要“異或”電路輸出為“ 1”， RBIF即為“ 1”。 當(dāng) RB7~RB4工作在輸 入方式時，若 RB7~RB4輸 入的邏輯電平和狀態(tài)鎖存器 中所鎖存的狀態(tài)不同時就將 RBIF中斷標(biāo)志置 “ 1”。 PORTB RB7~RB4 I/O電路結(jié)構(gòu) ∧ RBPU 施密特觸發(fā)器 TTL input Buffer 弱上拉 RB7~RB4接口的內(nèi)部 電路比 RB3~RB0接口電路 多一個狀態(tài)鎖存器。 amp。 所謂弱上拉，即引腳 內(nèi)部的 P型場效應(yīng)管， 當(dāng) RBPU的設(shè)置為 “ 0” 時， P型場效應(yīng)管相當(dāng)于 是一個大阻值電阻。 當(dāng) PORTB中的某位 RBi設(shè)置為 輸出時 ， 則弱 上拉自動斷開 。若 TRISB對應(yīng)位設(shè)置為“ 0”，則對應(yīng)位工作為輸出（輸出為輸出數(shù)據(jù)鎖存器中的狀態(tài)）；若TRISB對應(yīng)位設(shè)置為“ 1”，則對應(yīng)位工作為輸入。 二． PORTB端口和 PORTB有關(guān)的寄存器 1． PORTB可實(shí)現(xiàn)的功能 ? 8個 I/O位 ? 一個外部中斷輸入 ? 在線編程或電平變化中斷 ? PORTB端口功能說明 I/O位 緩沖器類型 功能描述 RB0/INT TTL/ST I/O或中斷輸入，編程弱上拉 RB1/RB2/RB4/RB5 TTL I/O或 電平變化中斷 ，編程弱上拉 RB3/PGM TTL I/O或 編程控制引腳， 編程弱上拉 RB6/PGC TTL/ST I/O或 電平變化中斷， 編程弱上拉 RB7/PGD TTL/ST I/O或 電平變化中斷， 編程弱上拉 PGM：單片機(jī)程序 存儲器編程低電 壓引腳 PGC： 單片機(jī)程序 存儲器編程時鐘 PGD： 單片機(jī)程序 存儲器編程數(shù)據(jù) ? RB7~RB0：輸入 /輸出。 TRISA方向寄存器在體 2（ 85H）中。 電子系統(tǒng)中噪聲的抑制與衰減技術(shù) 王培清譯 電子出版社 P237 ?通常情況下，用 150177。手指尖放電 R為 10K；手掌放電時，人體 R為 1K；若用手握住金屬體， R為 500。R=87~190。 電磁兼容原理與設(shè)計技術(shù) 楊克俊 郵電出版社 P206 ? 1976年科克（ Kirk）等人提出的測量方法具有代表意義。 ESD（ Electro Static Discharge ）靜電放電 若二極管最大允許電流為 20mA，設(shè)當(dāng)輸入電壓為 D1導(dǎo)通，那么最大可允許的電壓尖峰為： 20mA 1KΩ+≈25V 1K 5V D1 D2 人體對地電容一般為 100~250pF，設(shè)為 150pF，設(shè)人體帶電荷為 3μC（微庫），則 V=Q/C=20220V 人體電阻一般為 100~500Ω，若人體電阻為 200Ω，則 I=V/R=100A 所以輸入端要加電阻限流。已知每個 I/O端口可提供的最大電流為 20mA，超過這電流極限可能導(dǎo)致電路損壞。 寫操作 讀操作 寫 讀 7。因此對一個 I/O端口執(zhí)行寫操作后，接著執(zhí)行讀操作，必須注意要等到 I/O端口的狀態(tài)穩(wěn)定后才能執(zhí)行讀操作，否則可能讀入的是前一個狀態(tài)，不是當(dāng)前新的狀態(tài)。 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 PC PC PC+1 PC+2 6. I/O端口的連續(xù)操作 PC+3 PORTA 數(shù)據(jù)建立時間 = — TPD ； TPD傳輸延時 當(dāng)時鐘頻率很高時，若負(fù)載較重，因此寫端口后立即再讀端口可能會出問題。 ? 硬設(shè)備是指由集成電路（ IC）、電路板、電纜、電源、打印機(jī)和顯示器等組成。 MOVLW 111XXXXXB ； 原狀態(tài)不能變 MOVWF PORTA ； RA3=RA4=RA5同時為“ 1” 修改上述電路結(jié)構(gòu)，使電阻同 PORTA緊緊相連，這樣在執(zhí)行上述指令時，對 RA3和 RA4所產(chǎn)生的回讀操作的結(jié)果仍為邏輯“ 1”，這樣就保證回讀操作對 T1和 LED1的工作狀態(tài)不產(chǎn)生任何影響。 解決 T1導(dǎo)通 BE為 題是在基極加電阻。 解決的辦法： 可在執(zhí)行完第二條指令后，在執(zhí)行一個延時子程序，保證 C1上充電的電壓幅值大于 VOH_MIN，這樣在執(zhí)行第三條指令時所執(zhí)行的回讀操作，可保證回讀的 RA4電壓幅值滿足邏輯 “ 1”的關(guān)系，這樣再執(zhí)行寫操作時就可保證 RA4輸出為邏輯“ 1”，使 LED1導(dǎo)通，但 RA3回讀仍然是邏輯“ 0”。由于在執(zhí)行完 BSF PORTA ，4 指令后，隨之就執(zhí)行 BSF PORTA ， 5。 第三條指令執(zhí)行后， RA5輸出為高電平。 BSF POR