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電子顯微鏡第五章掃描電子顯微術(參考版)

2024-12-11 11:08本頁面
  

【正文】 采用角光柵掃描方式可獲通道花樣。 )的幾率 , 意味著這些入射方向是不利于進入晶體的禁道;而當 γθB時 , 入射電子的前向散射幾率大于背向散射幾率 , 意味著這些入射方向是易于進入到晶體中去的通道 ,這種物理現(xiàn)象稱為電子通道效應 。 當 γθB時 , 入射電子被背向散射 (即散射角大于90176。深度內所經(jīng)路程隨面法線間夾角 ?的變化 ?B 二次電子產(chǎn)額 圖象襯度 ?A ?C 形貌襯度形成原理 形貌襯度的影響因素 電子檢測器 電子檢測器 檢測器 ?B 強度 ?A ?D A B C D IA IB IC ID ?成分襯度 背散射電子像的形成:樣品表面上平均原子序數(shù) Z
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