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正文內(nèi)容

igbt的用途及參數(shù)和接線(參考版)

2024-09-09 01:09本頁面
  

【正文】 只要精心設(shè)計(jì),規(guī)范運(yùn)行,是能確保使用中安全性和可靠性,這亦是無疑的。 結(jié) 論 IGBT 的使用綜合性能是非常優(yōu)越的,決非其它功率器件所能替代的,因此成為當(dāng)今 逆變電路 DC/AC中主要器件,亦是理應(yīng)所在的。切莫當(dāng) G極懸空或未穩(wěn)定時(shí)就加 Vce(幾百一千伏),因?yàn)?Cgc 極間的耦合電容就可將 IGBT 誤導(dǎo)通,以致過高的 dv/dt造成電擊穿而損壞。515V電壓,但 Vce是由主電路經(jīng)三相整流橋?yàn)V波后的 DC電源( P N )提供的 ,為確保 IGBT 的使用安全及誤導(dǎo)通,故對(duì) Vge 與 Vce 加電壓次序有要求。 對(duì) IGBT 的 Vge 與 Vce的加壓次序眾所周知變頻器內(nèi)部的測(cè)量電路、保護(hù)電路、驅(qū)動(dòng)電路、轉(zhuǎn)換電路、隔離電路、 CPU、柵極電路等,所用的電子器件,例 TTL、 COMS、運(yùn)放、光耦等都由開關(guān)電源提供所需的不同電壓值,對(duì) IGBT 來講 Vge 是由開關(guān)電源提供amp。有的專業(yè)廠例富士等將整流、制動(dòng)、 IGBT、保護(hù)、驅(qū)動(dòng)、控制全部一體化集成模塊,那樣使用更方便、安全、可靠。例德國慕尼黑 TYCO公司生產(chǎn)的 1200V系列, 475A 600V系列,它包含了單相 /三相輸入整流橋 +制動(dòng)單元(或 PFC功率因數(shù)單元) +六單元 IGBT+NTC溫度監(jiān)測(cè)。有表 3 可供選用參考。結(jié)溫還是 125℃,柵控 ,就可安全地工作。 IPM 有四種電路形式:?jiǎn)喂芊庋b( H),雙管封裝( D), ****一封裝( C),七合一封裝( R)。 智能 IPM模塊智能 IPM模塊問世已有十年之久,目今有 110KW的模塊,可供變頻器選用。 C、 總 之 IGBT 的串并聯(lián)應(yīng)盡量避免,不要以低壓小電流器件,通過串并聯(lián)企圖解決高電壓大電流,這樣做法往往失得其反,而器件增多可靠性更差,電路亦復(fù)雜化等,在不得而已的條件下,要慎重。成都佳靈公司提出的容性母板技術(shù)( 1+N)只串聯(lián)動(dòng)態(tài)電壓箝位均壓方式已處于工業(yè)實(shí)驗(yàn)階段。柵控電路要分開,除靜態(tài)均流外,還有動(dòng)態(tài)均流問題,并使溫度相接近,以免影響電流的均衡分配,因 IGBT 是負(fù)阻特性的器件。ge。105℃,在 245℃時(shí)浸入焊接 34秒,松香焊劑。波峰焊接時(shí), PCB板要預(yù)熱 80℃ amp。plusmn。plusmn。 F、 焊接 G 極時(shí),電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵最合適。電阻與 G 極串聯(lián)。 D、 儀器測(cè)量時(shí),將100amp。 B、 主電路用螺絲擰緊,控制極 G 要用插件,盡可能不用焊接方式。 使用注意事項(xiàng) A、 柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,以免產(chǎn)生靜電而擊穿,所以包裝時(shí)將 G極和 E 極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,將它短接。mdash。Vge在 18V以下,對(duì)小功率器件,可在 G極與 E極之間用齊納二極管箝位。 B、 Vge 箝位 amp。mdash。mu。 C、 柵極電路的電感 Lg應(yīng)降至最低。 dv/dt及短路保護(hù)在 IGBT關(guān)斷時(shí),柵極要加反向偏置,由于柵極的阻抗很大,該電流令 Vge 增加,惡劣條件下可達(dá)閾值電壓時(shí),則 IGBT 將開通,導(dǎo)致上下臂同時(shí)開通使橋臂每一相短路,為防止這現(xiàn)象的發(fā)生要注意以下幾點(diǎn): A、 在斷態(tài)時(shí)要加足夠的負(fù)柵極電壓值至少 5V。S,柵
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