igbt管的結(jié)構(gòu)與工作原理(參考版)
2024-09-09 01:08本頁(yè)面
【正文】 。 此外，閂鎖電流對(duì) PNP 和 NPN 器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在 結(jié)溫和增益提高的情況下， P基區(qū)的電阻率會(huì)升高，破壞了整體特性。 為防止寄生 NPN 和 PNP 晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止 NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級(jí)別。 只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為 IGBT 閂鎖，具體地說(shuō)，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系。在特殊條件下，這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通。 (6)閂鎖。 當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個(gè)正電壓時(shí)， P/NJ3 結(jié)受反向電壓控制。另一方面，如果過(guò)大地增加這個(gè)區(qū)域尺寸，就會(huì)連續(xù)地提高壓降。 當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí)， J1 就會(huì)受到反向偏壓控制，耗盡層則會(huì)向 N區(qū)擴(kuò)展。 柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)， MOSFET 內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷， IGBT 關(guān)斷。 鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、 IC 和 VCE 密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時(shí)電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)?，層次厚度和溫度? (3)關(guān)斷 當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒(méi)有空穴注入 N區(qū)內(nèi)。 uGE 大于開(kāi)啟電壓 UGE(th)時(shí)， MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流， IGBT 導(dǎo)通。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在 范圍內(nèi)，那么， J1將處于正向偏壓，一些空穴注入 N區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽(yáng)極之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗，并啟動(dòng)了第二個(gè)電荷流?；膽?yīng)用在管體的 P+和 N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè) J1結(jié)。 IGBT 的驅(qū)動(dòng)原理與電力 MOSFET
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