igbt的用途及參數(shù)和接線(編輯修改稿)
2024-10-11 01:09 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 amp。mu。m。關(guān)于不同功率的模塊散熱器面積的計(jì)算，請(qǐng)參閱有關(guān)的設(shè)計(jì)資料。 參數(shù)的合理選擇參數(shù) 的選擇一條原則是適當(dāng)留有余地，這樣才能確保長(zhǎng)期、可靠、安全地運(yùn)行。工作電壓 amp。le。50%60%，結(jié)溫 amp。le。7080%在這條件下器件是最安全的。制約因素A、在關(guān)斷或過載條件下， IC 要處于安全工作區(qū)，即小于 2 倍的額定電流值； B、 IGBT 峰值電流是根據(jù) 200%的過載和 120%的電流脈動(dòng)率下來(lái)制定的； C、結(jié)溫一定 150℃以下，指在任何情況下，包括過載時(shí)。具體選用時(shí)可查表 2。 A、開通電壓 15Vamp。plusmn。10%的正柵極電壓，可產(chǎn)生完全飽和，而且開關(guān)損耗最小，當(dāng) 12V 時(shí)通態(tài)損耗加大， 20V 時(shí)難以實(shí)現(xiàn)過流及短路保護(hù)。 B、關(guān)斷偏壓 5 到 15V 目的是出現(xiàn)噪聲仍可有效關(guān)斷，并可減小關(guān)斷損耗最佳值約為 10V。 C、 IGBT 不適用線性工作，只有極快開關(guān)工作時(shí)柵極才可加較低 3amp。mdash。11V 電壓。 D、飽和壓降直接關(guān)系到通態(tài)損耗及結(jié)溫大小，希望越小越好，但價(jià)格就要大。飽和壓降從 amp。mdash。 以每 amp。mdash。 為一個(gè)等級(jí)，從Camp。rarr。M十個(gè)級(jí)。 柵極電阻 Rg它是串接在柵極電路中可見圖 4。目的是改善控制脈沖前沿，后沿的陡度和防止振蕩，減小 IGBT集電極電壓的尖脈沖 值。又因 IGBT 的開通或關(guān)斷是通過柵極電路的充放電來(lái)實(shí)現(xiàn)的，所以 Rg的值對(duì)動(dòng)態(tài)特性產(chǎn)生極大的影響，具體如下述： A、 Rg值小 amp。mdash。amp。mdash。充放電較快，能減小開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗，增強(qiáng)工作的耐固性，避免帶來(lái)因 dv/dt的誤導(dǎo)通。不足的是承受噪聲能力小，易產(chǎn)生寄生振蕩，使開通時(shí) di/dt變大，增加逐流二極管（ FWD） 恢復(fù)時(shí)的浪涌電壓，具體值可參見表 4。 B、 Rg值大 amp。mdash。amp。mdash。性能與上述相反。柵極驅(qū)動(dòng)的布線對(duì)防止?jié)撛谡袷?，減慢柵極電壓上升，減小噪音損耗，降低柵極電壓或減小柵極保護(hù)電路的效率有較大的影響。要注意事項(xiàng)如下： A、 將驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)和 IGBT之間的寄生電感減至最低。 B、 驅(qū)動(dòng)板和屏蔽柵極驅(qū)動(dòng)電路要正確放置，以防功率電路和控制電路之間的電感耦合。 C、 采用輔助發(fā)射極端子連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路。 D、 當(dāng)驅(qū)動(dòng) PCB板和 IGBT控制端子不可能作直接連接時(shí)，建議用雙股絞線（ 2轉(zhuǎn) /CM小于 3CM長(zhǎng)）或帶狀線，同軸線。 ，必須按低電感布線，并盡量放置于 IGBT 模塊的柵極， 發(fā)射極控制端子附近。 F、 由于 IGBT 的開關(guān)會(huì)使用相互電位改變， PCB板的線條之間彼此不宜太近， 過高的 dv/dt 會(huì)由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。若布線無(wú)法避免交叉或平衡時(shí)，必須采用屏蔽層，加以保護(hù)。 G、要減少各器件之間的寄生電容，避免產(chǎn)生耦合噪聲。 H、 用光耦器來(lái)作隔離柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其最小共模抑制比要在 。S，柵極回路除上述外而防止柵極電路出現(xiàn)高壓尖峰，一般在 G、 E極間并一個(gè)電阻 Rge，再并二只反串的穩(wěn)壓二極管，以使工作更可靠、安全、有效。 Rge值在 10005000歐之間，見圖 4。
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