cmos反相器原理圖版圖的仿真設(shè)計(jì)學(xué)年畢業(yè)論文-wenkub.com
2025-06-19 18:34 本頁(yè)面
【正文】 還有呢就是在LEDIT模塊里面畫好的版圖文件我們可以做DRC驗(yàn)證，這樣還可以在TSpice中對(duì)其進(jìn)一步的驗(yàn)證進(jìn)入激勵(lì)通過(guò)仿真還可以再次觀看其波形以確定其正確性。以前就會(huì)使用TSpice直接寫網(wǎng)表然后添加激勵(lì)進(jìn)行仿真，現(xiàn)在我明白了可以由電路圖直接向spice網(wǎng)表進(jìn)行轉(zhuǎn)化，比如有一個(gè)很大的電路圖可能有幾十個(gè)或者上百個(gè)管子或器件要是直接寫網(wǎng)表是不現(xiàn)實(shí)的因?yàn)楣?jié)點(diǎn)太多工程師很容易寫錯(cuò)，要是能夠由電路原理圖直接向網(wǎng)表轉(zhuǎn)化就會(huì)方便的很多，既節(jié)省了時(shí)間也避免了不必要的的錯(cuò)誤。設(shè)定后的結(jié)果如圖26所示。兩個(gè)管子?xùn)艠O相連打孔并外接出去連接輸入端in，源漏相連外接至out。圖23 PMOS組件結(jié)果圖按照N Select層、Active層、Ploy層、Mental1層、Active contact層的流程編輯NMOS組件[8]。其中，N Well層寬為24個(gè)格點(diǎn)、高為15個(gè)格點(diǎn)，P Select層寬為18個(gè)格點(diǎn)、高為10個(gè)格點(diǎn)，Active層寬為14個(gè)格點(diǎn)、高為5個(gè)格點(diǎn)，Ploy層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為20個(gè)格點(diǎn)，Mental1層寬為4個(gè)格點(diǎn)、高為4個(gè)格點(diǎn)，Active contact層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為2個(gè)格點(diǎn)。此次設(shè)計(jì)設(shè)定1個(gè)Lambda為1000個(gè)Internal Unit，也設(shè)定1個(gè)Lambda等于1個(gè)Micron。圖22 重命名組件為inv繪制布局圖必須要有確實(shí)的大小，因此要繪圖前先要確認(rèn)或設(shè)定坐標(biāo)與實(shí)際長(zhǎng)度的關(guān)系。LEdit編輯方式是以組件（Cell）為單位而不是以文件為單位，一個(gè)文件中可以包含多個(gè)組件，而每一個(gè)組件則表示一種說(shuō)明或者一種電路版圖。 打開LEdit軟件新建版圖文件打開LEdit程序，并將新文件另存以合適的文件名存儲(chǔ)在一定的文件夾下：在自己的計(jì)算機(jī)上一定的位置處打開LEdit程序。圖119 直流傳輸特性波形圖 結(jié)果分析有上圖可以看出隨著輸入信號(hào)的增大，反相器的工作狀態(tài)可以分為5個(gè)階段來(lái)描述。如圖117所示。圖115 修改電壓源vvdd的屬性圖：116 修改電壓源vin屬性 輸出spice文件輸出成Spice文件，包含文件“”： 以上兩步和“反相器瞬時(shí)分析”中兩步驟類似，在此從略。方法和“反相器瞬時(shí)分析”中的步驟 如圖114所示圖114 直流分析原理圖由于再該模塊中有兩個(gè)直流電源符號(hào)，所以為了區(qū)分它們，可以編輯它們，改變其屬性。圖110 添加分析設(shè)定命令行設(shè)定欄目圖111 添加輸出設(shè)定命令行的設(shè)定細(xì)則圖112 設(shè)定后Spice文件單擊命令工具欄中的“開始”按鈕，打開Run Simulation對(duì)話框，如圖示十二所示，選中Showing during單選按鈕，再單擊Start Simulation按鈕，則會(huì)出現(xiàn)模擬狀態(tài)窗口，并自動(dòng)打開WEdit窗口，以便觀察模擬波形如圖113.圖113 瞬態(tài)分析結(jié)果圖此次設(shè)計(jì)主要完成在TSpice軟件中的反相器的直流傳輸特性仿真與分析。此時(shí)在Spice文件中會(huì)出現(xiàn)命令行“.print tran v(IN) v(OUT)”。 在命令工具對(duì)話框中選擇Output項(xiàng)中的Transient results選項(xiàng)，在List Of Plot框中分別添加要觀察的節(jié)點(diǎn)電壓。此時(shí)在Spice文件中會(huì)出現(xiàn)命令行“.include D: \”。“”，即在Spice文件的主程序之前插入文件“”。打開SEdit程序，設(shè)置環(huán)境，編輯好后如圖17.圖17 瞬態(tài)仿真原理圖要想將設(shè)計(jì)好的電路借助TSpice軟件仿真其特性，需先將電路圖轉(zhuǎn)換成Spice格式。圖16 反相器電路圖在此次實(shí)例設(shè)計(jì)中采用軟件中的SEdit組件設(shè)計(jì)CMOS反相器順?biāo)矔r(shí)仿真的原理圖[5],進(jìn)一步掌握SEdit的基本功能和使用方法。圖 14 編輯反相器并連線利用輸入輸出按鈕表明此反相器的輸入輸出信號(hào)的位置和名字，方法如下：選擇輸入端口按鈕，再到工作區(qū)用鼠標(biāo)左鍵選擇要連接的端點(diǎn)，在彈出的Edit Selected Port 對(duì)話框中的Name 文本框中輸入名字，如“IN”，單擊OK按鈕即可。圖 13 Symbol Browser界面按住Alt鍵拖動(dòng)鼠標(biāo)，可移動(dòng)選中對(duì)象?？梢砸闷渲械哪K，也可以添加其他的兩個(gè)組件庫(kù)。圖 12 設(shè)定顏色SEdit編輯方式是以模塊為單位而不是以文件為單位，一個(gè)文件中可以包含多個(gè)模塊，而每一
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