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cmos反相器原理圖版圖的仿真設(shè)計(jì)學(xué)年畢業(yè)論文(留存版)

2025-08-06 18:34上一頁面

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【正文】 從略。 在命令工具對(duì)話框中選擇Output項(xiàng)中的Transient results選項(xiàng),在List Of Plot框中分別添加要觀察的節(jié)點(diǎn)電壓。圖16 反相器電路圖在此次實(shí)例設(shè)計(jì)中采用軟件中的SEdit組件設(shè)計(jì)CMOS反相器順?biāo)矔r(shí)仿真的原理圖[5],進(jìn)一步掌握SEdit的基本功能和使用方法。圖 12 設(shè)定顏色SEdit編輯方式是以模塊為單位而不是以文件為單位,一個(gè)文件中可以包含多個(gè)模塊,而每一個(gè)模塊則表示一種基本組件或者一種電路。(2)抗干擾能力很強(qiáng)。版圖。集成電路專業(yè)學(xué)年論文論文題目:CMOS反相器原理圖版圖設(shè)計(jì)與仿真摘要門電路是構(gòu)成各種復(fù)雜數(shù)字電路的基本邏輯單元,掌握各種門電路的邏輯功能和電氣特性,對(duì)于正確使用數(shù)字集成電路是十分必要的。Abstract The plex digital circuits are constituted by the basic gate circuits,and the Gate circuits is the logic at various kinds of logic gates39。輸入噪聲容限可達(dá)到VDD/2。每次打開一個(gè)新文件時(shí)便自動(dòng)打開一個(gè)模塊并命名為“Module0”;也可以重命名模塊名。并使用TSpice組件仿真。此次設(shè)計(jì)中主要觀察輸入節(jié)點(diǎn)IN和輸出接點(diǎn)OUT的電壓,則可以在Plot type下拉列表中選擇Vlotage選項(xiàng),在Node Name 文本框中輸入IN(區(qū)分大小寫),單擊Add按鈕,就將節(jié)點(diǎn)IN加入到了觀察節(jié)點(diǎn)列表中。添加文件后的Spice稍后給出。每次打開一個(gè)新文件時(shí)便自動(dòng)打開一個(gè)組件并命名為“Cell0”;也可以重命名組件名。其中,N Select層寬為18個(gè)格點(diǎn)、高為9個(gè)格點(diǎn),Active層寬為14個(gè)格點(diǎn)、高為5個(gè)格點(diǎn),Ploy層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為9個(gè)格點(diǎn),Mental1層寬為4個(gè)格點(diǎn)、高為4個(gè)格點(diǎn),Active contact層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為2個(gè)格點(diǎn)。 參考文獻(xiàn)[1]微電子技術(shù)專業(yè)英語 主編:竇雁巍,邱成軍,張輝軍 哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社2007年 P160173[2]Digital Intergrated Circuits A Design Prespective. Jan ,Anantha Changdrakasn,Borivoje Nikolic 北京:電子工業(yè)出版社,2005.P130133[3]CMOS Analog Circuit Design. Phillip E Allen,Douglas R Holberg 北京:電子工業(yè)出版社,2005.P145148[4]模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 童詩白 華成英 著 高等教育出版社 2000年 P156166[5] 廖裕評(píng), Pro : 科學(xué)出版社, [6] 周潤(rùn)德[譯].集成電路掩模設(shè)計(jì)[M].清華大學(xué)出版,2006,1. P133155[7]CMOS Circuit Design,Layout and Simulation Baker. Harry . David . P233257[8]模擬集成電路設(shè)計(jì)與仿真.何樂年,王憶.北京:科學(xué)出版社2008 P244269[9] 集成電路掩模設(shè)計(jì):基礎(chǔ)版圖技術(shù)Christopher Saint,Judy ,金申美譯 清華大學(xué)出版社,2006年 P156178[10] COMS電路設(shè)計(jì)布局與仿真 貝克 (Baker .) 著 譯者:陳中建 機(jī)械工業(yè)出版社2006年 P128147[11] IC Mask Design。圖24 NMOS組件結(jié)果圖 其他部分由于LEDIT軟件默認(rèn)是使用P型襯底,所以要在P管加上N阱做襯底。如圖22所示。即在文件結(jié)尾插入命令“.dc lin param vin 0 ”.其設(shè)置如下: Insert Commend Analysis DC transfer SweepSweep1,在打開的對(duì)話框中的Sweep type下拉列表中選擇Liner項(xiàng),在Paramemter type下拉框中選擇Source項(xiàng),在name文本框中輸入“v3”,之后先單擊Accept按鈕,在單擊Insert Commend按鈕即可。最后單擊Insert Commend按鈕即可。操作流程如下:進(jìn)入SEdit—建立反相器仿真電路生成Spice文件在TSpice環(huán)境下插入仿真命令并仿真查看與分析仿真
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