cmos反相器原理圖版圖的仿真設(shè)計(jì)學(xué)年畢業(yè)論文(存儲(chǔ)版)
【正文】 圖22所示。 繪制反相器按照N Well層、P Select層、Active層、Ploy層、Mental1層、Active contact層的流程編輯PMOS組件[7]。圖24 NMOS組件結(jié)果圖 其他部分由于LEDIT軟件默認(rèn)是使用P型襯底，所以要在P管加上N阱做襯底。通過(guò)這次是實(shí)踐行動(dòng)讓我對(duì)Tanner EDA 軟件的各各模塊的操作也變得更加熟練。 參考文獻(xiàn)[1]微電子技術(shù)專業(yè)英語(yǔ) 主編：竇雁巍，邱成軍，張輝軍 哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社2007年 P160173[2]Digital Intergrated Circuits A Design Prespective. Jan ,Anantha Changdrakasn,Borivoje Nikolic 北京：電子工業(yè)出版社，2005．P130133[3]CMOS Analog Circuit Design. Phillip E Allen，Douglas R Holberg 北京：電子工業(yè)出版社，2005．P145148[4]模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 童詩(shī)白 華成英 著 高等教育出版社 2000年 P156166[5] 廖裕評(píng), Pro : 科學(xué)出版社, [6] 周潤(rùn)德[譯].集成電路掩模設(shè)計(jì)[M].清華大學(xué)出版,2006,1. P133155[7]CMOS Circuit Design,Layout and Simulation Baker. Harry . David . P233257[8]模擬集成電路設(shè)計(jì)與仿真．何樂(lè)年，王憶．北京：科學(xué)出版社2008 P244269[9] 集成電路掩模設(shè)計(jì):基礎(chǔ)版圖技術(shù)Christopher Saint,Judy ，金申美譯 清華大學(xué)出版社,2006年 P156178[10] COMS電路設(shè)計(jì)布局與仿真 貝克 (Baker .) 著 譯者：陳中建 機(jī)械工業(yè)出版社2006年 P128147[11] IC Mask Design。單擊仿真按鈕進(jìn)行仿真，自動(dòng)彈出的仿真波形如圖27所示。其中，N Select層寬為18個(gè)格點(diǎn)、高為9個(gè)格點(diǎn)，Active層寬為14個(gè)格點(diǎn)、高為5個(gè)格點(diǎn)，Ploy層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為9個(gè)格點(diǎn)，Mental1層寬為4個(gè)格點(diǎn)、高為4個(gè)格點(diǎn)，Active contact層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為2個(gè)格點(diǎn)。接著選擇Grid選項(xiàng)卡，其中包括使用格點(diǎn)顯示設(shè)定、鼠標(biāo)停格設(shè)定與坐標(biāo)單位設(shè)定。每次打開一個(gè)新文件時(shí)便自動(dòng)打開一個(gè)組件并命名為“Cell0”；也可以重命名組件名。即輸入等于輸出、輸出緩慢減?。ㄋ俾始涌欤?、輸出急劇下降、輸出再減?。ㄋ俾首兟┖洼敵鰩缀鯙榱阄鍌€(gè)階段，與理論分析一致，分別對(duì)應(yīng)N管截止，P管飽和導(dǎo)通階段，N管飽和導(dǎo)通，P管非飽和導(dǎo)通階段，N管、P管都飽和導(dǎo)通階段，N管非飽和導(dǎo)通，P管飽和導(dǎo)通階段，N管N管非飽和導(dǎo)通，P管截止階段。添加文件后的Spice稍后給出。操作流程如下：進(jìn)入SEdit建立反相器直流傳輸仿真電路生成Spice文件在TSpice環(huán)境下插入仿真命令并仿真查看與分析仿真結(jié)果。此次設(shè)計(jì)中主要觀察輸入節(jié)點(diǎn)IN和輸出接點(diǎn)OUT的電壓，則可以在Plot type下拉列表中選擇Vlotage選項(xiàng)，在Node Name 文本框中輸入IN（區(qū)分大小寫），單擊Add按鈕，就將節(jié)點(diǎn)IN加入到了觀察節(jié)點(diǎn)列表中。簡(jiǎn)便的方法是單擊TSpice軟件的命令菜單欄中的”插入命令” (Insert Commend）按鈕，在彈出的對(duì)話框中選擇Include file項(xiàng)。并使用TSpice組件仿真。移動(dòng)各個(gè)對(duì)象到合適位置后，選擇原理圖工具條中的連線按鈕連接各個(gè)對(duì)象節(jié)點(diǎn)以組建成反相器。每次打開一個(gè)新文件時(shí)便自動(dòng)打開一個(gè)模塊并命名為“Module0”；也可以重命名模塊名。操作流程如下:進(jìn)入SEdit建立新文件—環(huán)境設(shè)置—編輯模塊—引用模塊—編輯反相器—加入輸入輸出—完成反相器電路。輸入噪聲容限可達(dá)到VDD/2。目錄摘要 IAbstract II前言 3第一章 使用SEdit編輯設(shè)計(jì)CMOS反相器原理圖 4 4 4 4 5 5 6 7 反相器的輸出成果 7 8 8 8 9 10 11 12 進(jìn)入SEdit 12 加入工作電源和輸入直流信號(hào) 12 編輯直流電壓源 13 輸出spice文件 13 14 15 16第二章 使用SEdit編輯設(shè)計(jì)
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