cmos反相器原理圖版圖的仿真設計學年畢業(yè)論文-全文預覽
【正文】 鈕，按照路徑..\Samples\SPR\example1\“”文件，單擊OK即可。 第二章使用SEdit編輯設計CMOS反相器原理圖本章采用TannerEDA軟件的LEdit模塊繪制CMOS反相器的版圖并對其仿真[6]。圖117 分析設定細則圖118 最后的直流分析網表 進行模擬此步驟和“反相器瞬時分析”中的相同，在此從略，如圖119。即在文件結尾插入命令“.dc lin param vin 0 ”.其設置如下: Insert Commend Analysis DC transfer SweepSweep1,在打開的對話框中的Sweep type下拉列表中選擇Liner項，在Paramemter type下拉框中選擇Source項，在name文本框中輸入“v3”，之后先單擊Accept按鈕，在單擊Insert Commend按鈕即可。如下圖115 和116所示。由于設計是用來進行反相器的直流分析，所以要加入兩個直流電壓源。 .print tran v(IN) v(OUT)。最后單擊Insert Commend按鈕即可。此時在Spice文件中會出現命令行“.tran 1n 400n”。之后單擊Insert Commend按鈕即可。圖18 輸出成Spice格式文件由于不同的流程有不同的特性，所以在仿真之前，必須引入MOS組件的模型文件，以供TSpice模擬用。操作流程如下：進入SEdit—建立反相器仿真電路生成Spice文件在TSpice環(huán)境下插入仿真命令并仿真查看與分析仿真結果。圖 15 加入輸入端口IN引入輸入輸出端口后完整的反相器電路圖如圖16所示。編輯后反相器結果圖[4]如圖14所示。結果如圖 13所示。SEdit本身附有4個組件庫， , , 。如圖圖 12所示。在本例中在SEdit文件夾中新建立“inv”文件夾，并將新文件以文件名“inv”存與此文件夾中。（6）邏輯擺幅大（低電平0V，高電平VDD ）。多數CMOS電路可在3～18V的電源電壓范圍內正常工作。CMOS電路靜態(tài)電流很小，約為納安數量級。在P型硅襯底上專門制作一塊N型區(qū)域(n阱)，作為PMOS的襯底。 simulation。s integrated circuits, especially largescale circuits, VLSI mainstream technology. Inverter is a basic digital circuit modules. The two serial output of the inverter as a register input to constitute a latch. Latch, data selectors, decoders and state machines and other precision parts are required to use a few characters in the basic inverter. Therefore, the schematic for the CMOS inverter layout design and simulation is necessary to learn their own Tanner EDA software. Further understanding of the transient characteristics of CMOS inverter DC characteristics and layout drawing.Key wordsCMOS。仿真。關鍵詞CMOS。將兩個串行反相器的輸出作為一位寄存器的輸入就構成了鎖存器。 MOS門電路，尤其是CMOS門電路具有制造工藝簡單、集成度高、抗干擾能力強、功耗低、價格便宜等優(yōu)點，得到了十分迅速的發(fā)展。MOS門電路：以MOS管作為開關元件構成的門電路。反相器是數字電路中的一種基本功能模塊。也進一步了解了CMOS反相器直流特性瞬態(tài)特性和版圖的繪制。設計。 functions and electrical characteristics for the proper use of digital integrated circuits is essential. MOS gate[1]: The MOS tube as a switching element constitute the gate. MOS gate
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