c11新半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)稿-wenkub.com
2024-12-04 21:40 本頁面
【正文】 PN結(jié)正向偏置電壓越高 ， 非平衡少子的積累越多 。 PN結(jié)反偏動畫演示 (1) 勢壘電容 CB（ Barrier) 勢壘電容是由 空間電荷區(qū) 的離子薄層形成 表現(xiàn)為： 勢壘電容 CB（ barrier) 擴(kuò)散電容 CD (diffusion) .4 電容效應(yīng) PN結(jié)變窄 空間電荷層中的電荷量減少 a. 當(dāng) PN結(jié)正反偏置電壓降低時 U+?U (?U0) LL ??N P + + + + PN結(jié)變寬 空間電荷層中的電荷量增大 b. 當(dāng) PN結(jié)反向偏置電壓升高時 可見，空間電荷量隨著 PN結(jié)偏置電壓的變化而變化。阻止兩區(qū)多子的擴(kuò)散 PN結(jié)一方面阻礙多子的擴(kuò)散 , 另一方面加速少子的漂移 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P 當(dāng)多子 擴(kuò)散 和少子 漂移 達(dá)到 動態(tài)平衡，形成 PN結(jié) 勢壘 U0 形成電位勢壘 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P 當(dāng)擴(kuò)散與漂移作用平衡時 a. 流過 PN結(jié)的凈電流為零 b. PN結(jié)的厚度一定（約幾個微米） c. 接觸電位一定（約零點(diǎn)幾伏） N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P PN結(jié)形成過程動畫演示 當(dāng) N區(qū)和 P區(qū)的摻雜濃度不等時 離子密度大 空間電荷層較薄 離子密度小 空間電荷層較厚 高摻雜濃度區(qū)域用 N+表示 + + + + + + _ _ _ _ _ _ P N + 1． PN結(jié)正向偏置 PN結(jié)正向偏置 —— 當(dāng)外加直流電壓使 PN結(jié) P型半 導(dǎo)體的一端的電位高于 N型半導(dǎo)體一端的電位時，稱 PN結(jié)正向偏置，簡稱正偏。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P (2) 在濃度差的作用下，空穴從 P區(qū)向 N區(qū)擴(kuò)散。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。 2. 空穴移動產(chǎn)生的電流。 a. P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中 摻入少量的三價 雜質(zhì)元素形成的。 (2) P型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入 三價雜質(zhì)元素 ，如硼等。 ，稱這種半導(dǎo)體為 N (negative)型或 電子型半導(dǎo)體。 共價鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體 每個原子和周圍四個原子組成四個共價鍵。 基本分析方法包括電路的識別方法、性能指標(biāo)的估算方法、在特定 需求下電路的選擇等 ＊ 不同類型的電路滿足不同的需求，具有不同的結(jié)構(gòu)特征， 需用不同的參數(shù)描述，而不同參數(shù)有各自的求解方法。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程是入門性質(zhì)的基礎(chǔ)課 具有能夠繼續(xù)深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)新發(fā)展的能力和將所學(xué)知識用于本專業(yè)的能力。 目的 一、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程的特點(diǎn) 了解各元件參數(shù)對
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