xps能譜分析方法及原理-wenkub.com
2025-05-06 16:44 本頁面
【正文】 信號來自表面幾個原子層，樣品量可少至 108g，絕對靈敏度高達 1018g。 ? 能夠觀測化學位移，化學位移同原子氧化態(tài)、原子電荷和官能團有關。 ? 先確定最強或較強的光電子峰（或俄歇電子峰），再鑒定弱的譜線。 ? 樣品荷電的校正： (絕緣體的荷電效應是影響結(jié)果的一個重要因素 ) ： 用電子中和槍是目前減少荷電效應的最好方法；另一種方法是，在導電樣品托上制備超薄樣品，使譜儀和樣品托達到良好的電接觸狀態(tài)。 ? 樣品的安裝： 一般是把粉末樣品粘在雙面膠帶上或壓入銦箔（或金屬網(wǎng)）內(nèi)，塊狀樣品可直接夾在樣品托上或用導電膠帶粘在樣品托上進行測定。 、刮剝和研磨。 ? 自旋 軌道偶合引起的能級分裂，譜線分裂成雙線（強度比），特別對于微量元素： 對于 P1/2和 P3/2的相對強度為 1:2， d3/2和 d5/2為 2:3， f5/2和 f7/2為 3:4；下圖是 Si的 2P電子產(chǎn)生的分裂峰 (1:2): ? 利用俄歇化學位移標 識譜圖鑒定物質(zhì)： 如： Cu與 CuO的化學位移為 Ag與 Ag2SO4化學位移為 而對它們來說俄歇化學位移相當大。（如右圖所示） 強度 I 動能 Ek 振離峰 振激峰 主峰 ? 能量損失峰： 其特點是隨 Xray的波動而波動。 ? 俄歇電子峰： Auger有兩個特征： Xray源無關，改變 Xray， Auger不變。 (主要有 Ka3,4構(gòu)成 ) ? 多重分裂 (Multiplet splitting):一般發(fā)生在基態(tài)有未成對電子的原子中。 1/2| , 在 ι 0的各亞殼層將分裂成兩個能級， XPS中出現(xiàn)雙峰。 非導電材料的表面荷電效應； 固體的熱效應； 自由分子的壓力效應； 凝聚態(tài)物質(zhì)的固態(tài)效應 . hν Eb Eb’ ΔEb E=0 ΔEk Ek Ek’ 化學位移為： ΔEb= ΔEk ? 光電效應： 原子在 Xray的作用下，內(nèi)層電子得到能量 而發(fā)生電離成為自由電子 (光電子 )的現(xiàn)象。 常見的 X射線激發(fā)源有： Mg :Ka1,2(1254ev,線寬 ) A
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