以實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法提高擠壓式填孔的良率-資料下載頁(yè)
2025-07-27 16:46本頁(yè)面
【導(dǎo)讀】層與層的訊號(hào)導(dǎo)通，就需靠沖孔后再填入的金屬膏來(lái)達(dá)成。妥，則會(huì)造成斷路；若填入的高度太高，會(huì)造成線路印刷品質(zhì)不佳。因子及最佳化的制程條件，并進(jìn)行小量試產(chǎn)，填孔的良率可提升到%以上。此實(shí)驗(yàn)是一個(gè)以實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法成功改善制程的案例。由于此技術(shù)符合高頻化、積體化及模塊化之發(fā)展趨勢(shì)，故被視。為無(wú)線通訊元組件制作最具潛力的關(guān)鍵技術(shù)。而孔洞之位置則完全和生胚之通孔位置相同。金屬膏涂布在Mask上，利用氣體。而充填用的金屬膏，其配方及。流變特性則對(duì)充填質(zhì)量之好壞有決定性的影響。為了避免燒結(jié)后通孔形成孔穴或。撐裂陶瓷層，必須要調(diào)整其固含量以配合陶瓷體之收縮率。90wt％以上，而黏度約106cp。填完后也不能呈現(xiàn)中空，否則會(huì)造成斷路，使。非常重要，若選擇不當(dāng)，將會(huì)導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)失敗?？锥创笮〖皦|紙材質(zhì)，且總貢獻(xiàn)度均超過70%，表示第一階段實(shí)驗(yàn)成功。第一階段的ANOVA分析結(jié)論，定出各因子的三水平（表四）。
【正文】 表五、第二階段實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù) 配制順序 填入高度 （ μm ） 填入率 （空洞個(gè)數(shù)） 高度均勻性 （ μm ） 1 3 2 0 3 0 4 12 5 2 6 10 7 8 8 0 9 0 經(jīng)九次子實(shí)驗(yàn)后結(jié)果如表五所示，有 4個(gè)實(shí)驗(yàn)全部填入。經(jīng) ANOVA分析（表六），填入率特性仍然出現(xiàn)顯著因子：填充時(shí)間及填充壓力，表示此二因子水平開太廣。對(duì)于水平開太廣的因子，可運(yùn)用最小顯著差（ LSD）之計(jì)算，將填充時(shí)間水平開在 A1與 A3（ 3545秒 ）之間，將填充壓力水平開在 B2與 B3（ 1525 psi）區(qū)間。最后選擇貢獻(xiàn)率大、成本低且生產(chǎn)效益高的水平，做為最適化的制程條件。 表六、第二階段實(shí)驗(yàn)多特性的 Cross Table 因子 A B 填入高度 A1 B1 顯著性 無(wú) 無(wú) 貢獻(xiàn)度 6 23 填入率 A2 B2 顯著性 ＊ ＊ 貢獻(xiàn)度 43 40 高度均勻性 A1 B3 顯著性 無(wú) 無(wú) 貢獻(xiàn)度 8 10 結(jié)論 LSD（ A1, A3） LSD（ B2, B3） 三、結(jié) 論 本實(shí)驗(yàn)室利用實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法，找到以擠 壓方式填孔，控制填入率、填入高度及高度均勻性的顯著因子，并由兩段式實(shí)驗(yàn)，獲得最佳化的制程條件，在小量試產(chǎn)實(shí)驗(yàn)中，計(jì)算出良率已提升達(dá) %以上。未來(lái)若生胚材料系統(tǒng)有所改變，我們只需適度調(diào)整顯著因子的工作區(qū)間，即可快速找到擠壓式填孔的最佳制程條件。
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