畢業(yè)設(shè)計(jì)--dc-dc芯片測(cè)試-資料下載頁
2024-11-30 19:47本頁面
【導(dǎo)讀】?jī)?nèi)容上主要分為六個(gè)章節(jié)第一章DC-DC芯片簡(jiǎn)介概況性的介紹DC-DC芯片增強(qiáng)對(duì)。于全文的初步認(rèn)識(shí)第二章DC-DC芯片測(cè)試了解該章節(jié)主要從大體上對(duì)于芯片測(cè)。試必要性和內(nèi)容予以說明第三章DC-DC芯片測(cè)試方法它主要是講ASL1000測(cè)試。析測(cè)試中和結(jié)果分析給出了見解有一個(gè)定性的分析第五章芯片LM2576測(cè)試案。例用一個(gè)DC-DC芯片測(cè)試的例子簡(jiǎn)化來加強(qiáng)學(xué)習(xí)和理解第6章總結(jié)概要了論文。該文的主要意義是通過對(duì)于DC-DC芯片的認(rèn)識(shí)一方面對(duì)于電源芯片有更加。深刻的理解同時(shí)對(duì)于以后的應(yīng)用有莫大的幫助還有就是芯片的測(cè)試的學(xué)習(xí)對(duì)于。整個(gè)測(cè)試有了直觀的了解明白了DC-DC芯片測(cè)試的方法和一些理論技巧通過在。三工作計(jì)劃及方案論證500字左右。在完成論文期間首先查閱了大量的資料關(guān)于DC-DC芯片測(cè)試主要目的是熟。悉DC-DC芯片以及芯片測(cè)試方面的知識(shí)具體情況是首先先是熟悉ASL1000測(cè)試手。是結(jié)合測(cè)試程序去認(rèn)識(shí)測(cè)試機(jī)的整個(gè)測(cè)試流程和方法從而加深對(duì)于芯片測(cè)試認(rèn)。系部負(fù)責(zé)人簽字日期。創(chuàng)新是同步整流飛輪二極管替換"抗"低功率FET從而減少開關(guān)損耗
【正文】 合去分析不要獨(dú)立去看待失效模式不是說看到頻率失效就要去換TMU trim 后失效的最可能的原因是因?yàn)?fuse 沒有被 trim 通常情況下和 TMU 無關(guān)的若有某個(gè) site 測(cè)試連續(xù) fail 斷斷續(xù)續(xù) fail 等異常對(duì)于 trim 參數(shù)要整體考慮不能夠認(rèn)為頻率 after trim 后失效就是 TMU 的問題 [10]但最可能的原因是其中某個(gè) fuse 沒有被燒斷 異常處理中可能的解決方法有以下情況 1 由于掃描步長(zhǎng)過大導(dǎo)致電壓誤差也偏大所以需要減小掃描的步長(zhǎng)需要把 scan step 由 20mv 改為 1mv 以便于減小CS pin 電壓值的誤差但這樣會(huì)大大增加測(cè)試時(shí)間使整片 wafer 的時(shí)間延長(zhǎng)不利于生產(chǎn) 2 和客戶溝通制定 2 點(diǎn)法的測(cè)試方案不需掃描不存在 scan step 的誤差即根據(jù)計(jì)算公式求得 cs_peak 的電壓值進(jìn)而去測(cè)量 Gate pin 的頻率 3 有問題的 wafer 由于是 fail 的芯片里部分芯片應(yīng)該是 pass 的 所以將 fail 的芯片 retest 一次避免了損失 第五章 芯片 LM2576 測(cè)試案例 51 LM2576 簡(jiǎn)介 LM2576 是從美國國家半導(dǎo)體的直流 直流 IC 產(chǎn)品范圍之一還有各種品牌的直流 直流穩(wěn)壓 IC 可用穩(wěn)壓器轉(zhuǎn)換器或另一個(gè)名稱稱為降壓穩(wěn)壓器或開關(guān)穩(wěn)壓器提供了穩(wěn)定的調(diào)整的輸出電壓供應(yīng)電子線路開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器 LM2576 如使用切換控制平均減少輸入的直流電壓這相當(dāng)于最低熱消散導(dǎo)致低輸入電壓控件將導(dǎo)致更好地調(diào)整輸出較少的能源浪費(fèi)通過熱和高當(dāng)前應(yīng)用程序中的使用LM257675 以上較少的外圍元件內(nèi)置 52KHz 固定頻率發(fā)生器內(nèi)置過流過熱保護(hù)電路具有非常小的電壓電流調(diào)整率帶載能力為 3A 輸出電壓誤差范圍為177。 4 振蕩頻率誤差范圍為177。 10 待機(jī)電流 50uA 52 Kelvin 測(cè)試 兩線測(cè)試缺點(diǎn)決定了使用四線測(cè)試當(dāng)電壓或電流源接入一個(gè)負(fù)載時(shí)從電壓或電流源的內(nèi)部的輸出點(diǎn)到負(fù)載之間會(huì)有繼電器接插件電纜等多個(gè)環(huán)節(jié)如果接探針臺(tái)機(jī)械手等自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備都會(huì)有更多的接觸環(huán)節(jié)這些環(huán)節(jié)都會(huì)表現(xiàn)出一定的電阻包括接觸電阻這些電阻在較大的電流下會(huì)產(chǎn)生附加的電壓降在采用兩線測(cè)試的情況下會(huì)影響負(fù)載兩端電壓的驅(qū) 動(dòng)和測(cè)量精度 VI 源恒壓狀態(tài)會(huì)因?yàn)檫@些附加電阻的存在而造成負(fù)載兩端的實(shí)際電壓偏低 VI 源測(cè)壓狀態(tài)則會(huì)因?yàn)檫@些附加電阻的存在而導(dǎo)致測(cè)量電壓偏高另外接觸電阻通常是不穩(wěn)定的電阻因此兩線測(cè)試會(huì)導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)的不穩(wěn)定 Kelvin 測(cè)試描述 開爾文 Kelvin 測(cè)試就是通常所說的四線測(cè)試方式四線開爾文測(cè)試的目的是扣除導(dǎo)線電阻帶來的壓降 圖 51 測(cè)試回路 Kelivn 測(cè)試應(yīng)用 參數(shù) 最小參數(shù) 樣本 最大參數(shù) 單位 開爾文測(cè)試 05 0 05 V 測(cè)試原理 VI源的輸出端分為 FORCE和 SENSE兩種 線 FORCE線用于電流的輸入和輸出只有 FORCE線中會(huì)流過負(fù)載電流 ILSENSE線用于電壓的反饋和測(cè)量 SENSE線的輸入端接有高阻抗輸入的緩沖器因此 SENSE線中不會(huì)有電流流過即便有附加電阻也不會(huì)產(chǎn)生附加電壓降 FORCE 線中的附加的電阻雖然會(huì)在大電流下產(chǎn)生附加電壓降但由于 SENSE 線獨(dú)立接到負(fù)載兩端可以有效地扣除掉 FORCE線中附加電阻和壓降的作用從而保證負(fù)載兩端電壓的驅(qū)動(dòng)和測(cè)量精度 圖 52 kelvin 測(cè)試 53 程序樣例 cbitSetOn K2 1 pvi0Connect in delay_ms 1 pvi0SetModeFIMV PVI_IRNG_1MA 100e6f PVI_VRNG_1V 1 1 pvi0Enable delay_ms 3 pvi0Measure adresult AD_SAMPLE for int i 0 i 4 i KelvinSetTestResult i 0 adresult[i] pvi0Disable pvi0Connect in 還需要測(cè)試的參數(shù)有 Iol 輸入輸出漏流 Vsat 飽和壓降 DutyCycle 占空比測(cè)試 [11]Icl 極限電流 Vout 輸出電壓 VihVil 使能高電壓關(guān)斷低電壓 IihIil 關(guān)斷使能電流工作使能電流 IL 輸出漏電流 Fosc 振蕩頻率 Fosc 振蕩頻率 Iq 靜態(tài)工作電流 Istby 靜態(tài)工作電流 根據(jù) LM2576 芯片各個(gè)參數(shù)的最大值和最小值與實(shí)際測(cè)試之作比較分析 54 調(diào)試注意事項(xiàng) a 器件敏感管腳 在調(diào)試 PWM 器件時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注的管腳是 feedback sense 端FeedBack 端為誤差放大器的高阻輸入端很容易接收到外部的干擾對(duì)地 并聯(lián)旁路電容或者串接阻尼電阻是個(gè)不錯(cuò)的選擇 b． LC 電路的選擇 首先 LC乘積與輸出紋波的關(guān)系為了取得振蕩頻率的穩(wěn)定 C值應(yīng)取得大些好這樣可以減小晶體管極間電容和引線寄生電容的影響然而 C 值取得過大時(shí)則會(huì)使振蕩回路的 Q 值和諧振阻抗降低使電路的負(fù)載能力和振蕩振幅減小波形變壞 LC 電路在測(cè)試回路中的擺放位置主要包括合理的利用濾波電容輸入輸出端濾波電容的選擇小電容濾高頻 如 102 大電容濾低頻 如 104 還有就是盡量靠近輸入輸出管腳 cPCB 板繪制的建議 首先輸入輸出端預(yù)留電容 焊盤上 ADJ器件 FB端分壓電阻的地端要接AGND_S 還需要去解決如何敷銅 – 頂層和底層打上過孔這樣可以讓兩層的鋪地連通起來和如何測(cè)得準(zhǔn)確的輸出電壓 LC 電路的輸出端也就是反饋端也就是測(cè)量源 Force 和 Sence 端短接的 位置一定要在一個(gè)點(diǎn)上這樣測(cè)量到的電壓值才是最準(zhǔn)確的 第六章 結(jié)語 由于集成電路設(shè)計(jì)規(guī)模的不斷擴(kuò)大集成電路驗(yàn)證和測(cè)試的時(shí)間往往數(shù)倍于IC 設(shè)計(jì)開發(fā)的時(shí)間 IC 測(cè)試將占據(jù)越來越重要的地位 IC 設(shè)計(jì)工程師通常需要在設(shè)計(jì)階段就要考慮到芯片的測(cè)試問題包括導(dǎo)人可測(cè)性設(shè)計(jì)自動(dòng)生成測(cè)試模式等加速故障診斷以使產(chǎn)品盡快 量產(chǎn)上市隨著集成電路產(chǎn)業(yè)分工日益明晰集成電路測(cè)試作為設(shè)計(jì)制造和封裝的有力補(bǔ)充推動(dòng)了整個(gè) IC 產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展 參考文獻(xiàn) 〔 1〕 胡黎強(qiáng)林爭(zhēng)輝李林森 一種高效率低功耗開關(guān) 電源的實(shí)現(xiàn) 微電子學(xué)2021 年 〔 2〕 周政海鄧先燦樓向雄 低壓高頻 PWM DCDC 轉(zhuǎn)換器芯片設(shè)計(jì) 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 2021 年 [3] Making 5V 14bit Quietby Kevin Hoskins 1997 [4] 楊光 1985年半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展情況和對(duì) 1986年的預(yù)測(cè) [J]全球科技經(jīng)濟(jì)瞭望 1986 年 Z1 期 [8] G Perry The Fundamentals of Digital Semiconductor Testing Soft Test Inc California 1998 年 [9] ASl 1000 手冊(cè) TMT 公司 [11]STS8017 編程培訓(xùn) 2021
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