設(shè)備工藝-真空及薄膜基礎(chǔ)-資料下載頁(yè)
2025-02-18 02:22本頁(yè)面
【正文】 內(nèi)部真空抽至 5Pa左右? 打開(kāi)燈絲? 通過(guò)波紋管連接檢漏儀至待檢管路，起動(dòng)用 相應(yīng)的泵抽待檢管路及波紋管真空至 5Pa左右。? 打開(kāi)檢漏儀上的閥門(mén)，使管路與檢漏儀聯(lián)通。? 調(diào)節(jié)漏率指示條位置及喇叭聲響大小? 對(duì)要檢部位噴氦檢漏? 檢漏結(jié)束，關(guān)閉燈絲。? 關(guān)閉檢漏儀真空閥門(mén)，關(guān)機(jī)。? 打開(kāi)放氣閥，關(guān)閉電源。 檢測(cè)部位? 腔門(mén)密封圈? 法蘭，拆卸過(guò)的重點(diǎn)檢測(cè)? 氣動(dòng)閥門(mén)，拆卸過(guò)的重點(diǎn)檢測(cè)? 焊縫? 接口? 注： 每次檢漏都是有針對(duì)性的進(jìn)行，各拆卸過(guò)的部件，密封圈及閥門(mén)是重點(diǎn)。檢漏儀技術(shù)參數(shù)? 靈敏度：也即最小檢漏率? 啟動(dòng)時(shí)間：一般是指預(yù)抽真空時(shí)間? 漏率檢測(cè)范圍：工作范圍? 反應(yīng)時(shí)間： 指儀器節(jié)流閥完全開(kāi)啟 ,本底訊號(hào)為零 (或補(bǔ)償?shù)搅?)時(shí) ,由恒定的氦流量使輸出儀表訊號(hào)上升到最大值的 ? 清除時(shí)間： 指輸出儀表訊號(hào)穩(wěn)定到最大值后 ,停止送氦 , 其訊號(hào)下降到最大值的 ? 質(zhì)譜室工作真空及極限真空：描述儀器性能的重要參數(shù)，可用檢漏儀的真空規(guī)測(cè)定? 入口處抽速：重要參數(shù)，可用流量計(jì)測(cè)定等離子體? 等離子體狀態(tài)（ plasma）：等離子體就是處于自由運(yùn) 動(dòng)狀態(tài)下陰陽(yáng)帶電粒子共存并呈電中性狀態(tài)的物質(zhì)， 也把等離子體稱(chēng)作物質(zhì)的第四種狀態(tài)。? 物質(zhì)隨著能量的增加，通過(guò)熔化，蒸發(fā)，離子化的方式可實(shí)現(xiàn)固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、等離子體四種狀態(tài)的變化，宇宙中約 99%的物質(zhì)都處于等離子體狀態(tài)。? 等離子體生成方式：輝光放電， X射線、 g射線照射，激光照射等。? 常用方式：氣體放電，即在平板電容結(jié)構(gòu)的兩個(gè)平板電極上施加射頻或直流脈沖電壓，使處于真空環(huán)境下的氣體產(chǎn)生輝光放電，形成等離子體。等離子體的發(fā)生：? 如果使低壓氣體處于電場(chǎng)中，在氣體中所存在的少量的自由電子就會(huì)被加速，由于氣體比較的稀薄，電子的平均自由程較大，因而容易被加速到較高的速度。這些高速電子與中性的原子、分子碰撞后，便會(huì)失去部分能量，如果所發(fā)生的是彈性碰撞，就會(huì)增加中性原子，分子的動(dòng)能，于是氣體的溫度便會(huì)相應(yīng)地升高，如果發(fā)生的是非彈性碰撞，那么就會(huì)發(fā)生離解、離化、激發(fā)等現(xiàn)象，因而產(chǎn)生出大量的各種離子，游離基。這些粒子在化學(xué)性質(zhì)上是活化的，他們有助于生成新的粒子和發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。而電子在損失掉能量以后又會(huì)被電場(chǎng)加速，他們不斷地反復(fù)著被加速 與分子原子碰撞的過(guò)程，于是氣體便很快地電離而成為等離子體發(fā)生放電現(xiàn)象。? 并非任何的電離氣體都是等離子體。只要絕對(duì)溫度不為零，任何氣體中總存在有少量的分子和原子電離。嚴(yán)格地說(shuō)來(lái)，只有當(dāng)帶電粒子地密度足夠大，能夠達(dá)到其建立的空間電荷足以限制其自身運(yùn)動(dòng)時(shí)，帶電粒子才會(huì)對(duì)體系性質(zhì)產(chǎn)生顯著的影響， 也即只有這樣密度的電離氣體才能轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體。 除此之外，等離子體的存在還有其特征的空間和時(shí)間限度 。? 放電的維持靠的是 2次電子。Pecvd設(shè)備? 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（ PECVD）技術(shù) 是基于通過(guò)輝光放電方式得到的低溫等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種薄膜制備技術(shù)。可以充分利用等離子體各反應(yīng)粒子及活性基團(tuán)從高頻電場(chǎng)獲得的能量在較低溫度襯底上鍵合成膜。? Pecvd成膜一般包括三個(gè)基本過(guò)程：1） 電子獲得能量撞擊反應(yīng)氣體，使其分解電離生成含有離子和活性基團(tuán)的混合物。 2） 各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面即襯底表面擴(kuò)散輸運(yùn)，因?yàn)榛鶊F(tuán)平均自由程很短故同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物的次級(jí)反應(yīng)。3） 到達(dá)生長(zhǎng)表面的各種初級(jí)及次級(jí)反應(yīng)的產(chǎn)物被表面吸附并發(fā)生反應(yīng)，生成薄膜。? 因?yàn)檩x光放電過(guò)程中反應(yīng)氣體的激勵(lì)主要是電子碰撞，因此等離子體內(nèi)各基團(tuán)之間及基團(tuán)與表面之間的反應(yīng)與作用都極其的復(fù)雜，這給 pecvd成膜機(jī)理研究增加了很多困難，很多重要的反應(yīng)體系都是通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)來(lái)優(yōu)化實(shí)驗(yàn)參數(shù)，從而獲得具有優(yōu)異特性的薄膜。PECVD主要工藝參數(shù)? 生長(zhǎng)速率：沉積太快會(huì)導(dǎo)致反應(yīng)物沒(méi)有充分反映即沉積在襯底上，會(huì)造成制備的薄膜膜質(zhì)疏松，各種性能品質(zhì)下降。太慢則會(huì)影響生產(chǎn)效率和生產(chǎn)節(jié)拍，生長(zhǎng)太慢對(duì)薄膜的品質(zhì)也有影響。? 襯底溫度：襯底溫度對(duì)制備的薄膜性質(zhì)的影響很大，一般而言襯底溫度越高，各種反應(yīng)粒子能夠在襯底表面進(jìn)行充分反映，得到品質(zhì)優(yōu)異的薄膜，但是太高的溫度會(huì)造成單位玻璃能耗太高，電費(fèi)還是很貴的 ~ 造成產(chǎn)品生產(chǎn)成本過(guò)高，所以合適的襯底溫度很重要。? 功率：功率過(guò)大，薄膜生長(zhǎng)速率提高，但生長(zhǎng)速率提高會(huì)影響到薄膜的品質(zhì)，因此功率的選取也應(yīng)綜合考慮各方面的因素，適當(dāng)選擇。? 氣壓：反應(yīng)室內(nèi)工藝過(guò)程中的氣體壓力的大小，會(huì)直接影響到輝光放電的效果，同事對(duì)反應(yīng)速度也有一定的影響，反應(yīng)室內(nèi)的氣體壓力也要適中。? 偏置電壓：偏置電壓可提高摻雜效率，研究表明在 n層薄膜的制備中這一參數(shù)比較重要。? 稀釋氣體：在薄膜制備中，常常會(huì)通入 H惰性氣體等稀釋氣體，稀釋氣體一方面起到保護(hù)工藝環(huán)境的目的，另一方面少量的稀釋氣體摻雜到所制備的薄膜當(dāng)中，提高薄膜品質(zhì)。? 氣體流量、電極間距和電場(chǎng)分布。入氣口的分布，氣體的流速和流量、平板電極之間的間距、電場(chǎng)的分布等參數(shù)，對(duì)所制備薄膜的各項(xiàng)性能如：平面的均勻性、厚度的均勻性等有很大的影響。? 本地真空 :本地真空的高低，將影響到制備薄膜的純度和性能品質(zhì)。? 氣體的種類(lèi)和混合比薄膜沉積用到特氣及作用? Ar 檢驗(yàn) RF電極是否接觸良好，觀測(cè)輝光放電是否正常穩(wěn)定，利用產(chǎn)生的等離子體實(shí)現(xiàn)對(duì) TCO膜層的清洗。? N2 吹掃腔體，稀釋特氣，開(kāi)腔。? CH4 做窗口層，提高帶隙，減少入射光在 p層的吸收，提高短路電流? H2 稀釋反應(yīng)氣體，載氣，填補(bǔ)懸鍵、減少缺陷? SH4 沉積非晶硅膜層? TMB P層摻雜? PH5 N層摻雜THE ENDTHANKS!演講完畢，謝謝觀看！
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