【正文】 ,3個電極分別為陽極（ A）、陰極（ K）和控制極（ G）。光敏三極管（光電三極管）。 其主要功能是實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。開關(guān)三極管。 具有較高的開關(guān)速度和較好的開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電路中。A KG C(+)E()C(+)E()可控硅符號光敏三極管符號三、三極管的特性及作用三極管的工作狀態(tài)三極管是電流控制器件，通過控制三極管基極電流可達(dá)到控制集極電流或發(fā)射極電流的目的。當(dāng)三極管的基極電流 IB在不同的數(shù)量范圍時，三極管的特性有顯著變化，可將其分為三極管的 3種工作狀態(tài)：（ 1）放大狀態(tài) —— 起放大作用。（ 2）截止?fàn)顟B(tài)與飽和狀態(tài) —— 起開關(guān)作用。三極管在電路中的接法根據(jù)三極管在電路中輸入和輸出電路的公共電極情況，其接法可分為三種：（ 1）共發(fā)射極電路（共發(fā)或共射） —— 常用于電壓、功率放大電路及開關(guān)電路等。（ 2）共基極電路（共基） —— 常用于高頻放大及振蕩電路等。（ 3）共集電極電路（射極輸出電路或共集） —— 適用于阻抗變換電路等。四、三極管的主要參數(shù) 直流參數(shù)（ 1）直流（靜態(tài)）放大倍數(shù) hFE(β)。 hFE=IC/IB.hFE0~15~25~40~55~80~120~180~270~400~色標(biāo) 棕 紅 橙 黃 綠 藍(lán) 紫 灰 白 黑（ 2）集電極反向截止電流 ICBO。 IE=0時， C極與 B極間加上定的反向電壓時的集電結(jié)漏電流。良好的三極管 ICBO值很小。（ 3）集電極 — 發(fā)射極反向電流 ICEO， 也稱穿透電流。指基開路時，集電極與發(fā)射極間加上規(guī)定的反向電壓時的集電極漏電流。 交流參數(shù)（ 1）交流（動態(tài)）放大倍數(shù) β(hfe)。 Β=ΔIC/ΔIB。（ 2）特征頻率 β值下降到 1時的頻率值。三極管在這個頻率下工作時，已完全失去了交流放大能力。 極限參數(shù)（ 1）集電極最大允許電流 ICM。 放大倍數(shù)下降到額定值的 2/3或 189。時的集電極電流。（ 2）集電極最大允許耗散功率 PCM。 PCM=ICM*VCE。（ 3）集電極 — 發(fā)射極反向擊穿電壓 BVCEO。 當(dāng)基極開路時，集電極與發(fā)射極間允許加的最高電壓。五、三極管的檢驗 三極管來料主要檢查項目：三極管來料檢查時需檢查以下內(nèi)容：包裝、標(biāo)示、數(shù)量、尺寸、絲印、焊接面、外表、本體完整性等外觀項目，功能檢查內(nèi)容有：三極管放大倍數(shù)、開短路情況（有否擊穿或燒壞開路）、集電極 — 發(fā)射極反向擊穿電壓等（有要求時檢測）。 三極管來料檢查常見不良項目：三極管來料檢查常見不良項目有：包裝變形、破損；標(biāo)示不清、錯漏；多數(shù)、少數(shù)；尺寸不符；絲印不清、脫落；引腳氧化、變形、斷；本體破損、劃傷；放大倍數(shù)不符；擊穿、開路；反向擊穿電壓不符；極性錯（各極排列與規(guī)格不符）等。附表——三極管檢查項目第六節(jié)、晶振一、晶體的種類及在電路中的符號：Y二、晶體的作用：晶體在電路中的作用是調(diào)換頻率，為數(shù)字電路提供時鐘信號等。 晶振可分為無源晶振 、有源晶振兩種。無源晶振一般只有兩只引腳，有源晶振一般為四只引腳，并且在插機(jī)時對相應(yīng)腳位有嚴(yán)格的要求，如果插反方向會將晶振損壞。 (同時貼片晶振的振膜很薄 ,拿取時要輕拿輕放 ).晶體在電路中的符號如右圖所示： 晶振又叫晶體振蕩器，是一種通過一定電壓激勵產(chǎn)生固定頻率 的一種電子元器件，被廣泛的用于家電儀器和電腦等方面。在電路中晶振用字母 “Y”表示。三、晶體的主要參數(shù)標(biāo)稱起振頻率： 晶體本體注的或表示晶體規(guī)格的頻率。使用溫度范圍： 即晶體能夠正常工作的溫度范圍。保存溫度范圍： 即晶體有效存儲的溫度范圍。頻率公差 :在常溫下（參考點(diǎn) 25℃ ）中心頻率的偏差值，用最大值和最小值來定義，單位用百分 (%)或百萬分比（ ppm)。頻率溫度特性： 經(jīng)過規(guī)定的使用溫度范圍內(nèi)，在室溫下的值作為基準(zhǔn)，頻率改變的大小與其的比值。年老化特性： 一般以晶體經(jīng)過一年后，頻率變化量與初始頻率的比值。激勵功率： 使晶體能夠起振的功率。等效電阻 : 通常我們測量串聯(lián)諧振頻率下的電阻，并聯(lián)諧 振負(fù)載頻率下的電阻稱為實際電阻。單位歐姆（ Ω ）。 負(fù)載電容： 晶體的負(fù)載電容是和晶體聯(lián)合決定工作頻率的 外部電容，單位皮法（ pF).靜態(tài)電容四、晶體的檢驗晶體的檢查內(nèi)容：晶體檢查通常包括以下內(nèi)容：包裝狀況、晶體封裝（外型）、表面絲印、引腳或焊端、尺寸規(guī)格等；若條件允許，則需檢測晶體的串聯(lián) /并聯(lián)諧振頻率、串聯(lián) /并聯(lián)諧振電阻、頻偏、靜態(tài)電容、溫度特性、耐沖擊性等；若只有部分條件允許，只需調(diào)整晶體的等效阻抗、負(fù)載電容或激勵功率等，檢測其標(biāo)稱起振頻率。晶體的常見不良項：晶體檢查中的常見不良項有：不起振、頻偏過大、串聯(lián) /并聯(lián)諧振阻抗偏大、高溫后頻偏大、包裝不良、封裝不良、絲印不清、耐沖擊不良、引腳 /焊端氧化等。附表——晶振檢查項目第七節(jié)、集成電路集成電路也叫 “IC”或 “芯片 ”，在電路中用字母 “U”表示。一、集成電路的分類 IC的分類主要依據(jù) IC的封裝形式，基本可分為： SOJ（雙排內(nèi)側(cè) J形） PLCC(四方 J形引腳） QFP（正四方 ) BGA (底部球狀形 ) DIP、 SIP等。注： SMT芯片可參考后附封裝式二、集成電路的方向集成電路的引腳是按一定的順序排列的，即集成電路是有方向區(qū)分的，根據(jù)集成電路的封裝形式及生產(chǎn)廠家的不同，集成電路的方向有不同的表示方法，下面舉例說明：以缺口為標(biāo)示 以標(biāo)示線為標(biāo)示 以圓點(diǎn)為標(biāo)示以斜切角為標(biāo)示 以小圓點(diǎn)為標(biāo)示 國際上采用 IC腳位的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)：將 IC的方向標(biāo)示朝左邊，靠近自己一邊的引腳從左至右為第一腳至第 N腳，遠(yuǎn)離自己的一邊從右至左為第 N＋ 1腳至最后一腳。（即以標(biāo)示位對應(yīng)的第一腳開始，逆時針數(shù)腳）。三、集成電路的絲印集成電路的絲印一般包括：制造商名或其 LOGO、集成電路規(guī)格型號、集成電路的運(yùn)行速度、集成電路的生產(chǎn)周期、集成電路的產(chǎn)地及生產(chǎn) LOTNO等。如下例示：制造商 LOGO集成電路規(guī)格生產(chǎn)周期制造商 LOGO集成電路規(guī)格型號生產(chǎn)周期IC產(chǎn)地IC運(yùn)行速率四、集成電路的檢驗集成電路的檢查項目：（ 1）包裝：包裝方式 — 管裝、卷裝、盤裝、散袋裝；真空包裝、靜電袋包裝等；包裝狀況 — 變形、破損、混裝、少數(shù)、多數(shù)等；（ 2）標(biāo)示：狀態(tài)標(biāo)示 — 名稱、編號、 DateCode、 LotNo、制造商、供應(yīng)商、數(shù)量、 Rohs等；特性標(biāo)示 —ESD （防靜電）、濕度等級、防強(qiáng)電磁等；（ 3）絲?。航z印內(nèi)容 — 制造商名或商標(biāo)、規(guī)格、產(chǎn)地、周期、速度等；絲印狀況 — 清晰正確、模糊可辨、錯漏不符、模糊不可辨等；（ 4） IC本體：引腳狀況 — 氧化、變形、斷等；本體狀況 — 缺口、破裂、傷等。 集成電路檢查注意事項：（ 1）檢查集成電路需配戴靜電手環(huán)、手指套等防靜電用具。（ 2）檢查集成電路需根據(jù)其特性標(biāo)示檢查其包裝方式。（ 3）需確認(rèn)集成電路的有效時限，并在檢查完后加貼時效性貼紙。（ 4）注意檢查 IC的規(guī)格及其制造商。附表 —— 集成電路檢查項目謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH