【正文】 目檢 IC底材是否 有隆起浮出之現(xiàn)象 烘烤溫度： 125?C 烘烤時間： 12HRS 於清潔液浸泡 2分鐘並以抗靜電刷及乾布擦拭底材。 使用烙鐵與吸錫線去除錫球，若有氧化的 Pad，需使用錫絲使其重新沾錫。 使用植球治具與加熱器。 溫度設(shè)定： 240?C 加熱時間： 3分鐘 冷卻時間： 1分鍾 目檢 BGA否有漏球或錫球溶錫不良 於清潔液浸泡 2分鐘並以乾布擦拭。 57. BGA (Rework)救回 程序流程圖： END Page 51 of 87 58. VT8633 BallOut Definition : Page 52 of 87 第 6 章製程 ESD / EOS 防護技術(shù) 61. EOS : 電壓過應(yīng)力 (Electrical Over Stress) ESD : 靜電放電 (Electrostatic Discharge) 62. EOS / ESD 簡介： (EOS)和靜電放電 (ESD)是造成金屬氧化 物半導(dǎo)體 (CMOS)最普通的故障模式。 VIA 2023年 RMA 分析，所有電子系統(tǒng)故障的 9% 是因 EOS和 ESD引起。 EOS和 ESD所導(dǎo)致的不良佔 前三位 ( IC Product)。 Page 53 of 87 IC外形，線寬等設(shè)計越來越薄，細，使 IC更易 受 EOS及 ESD的破壞。 625. ESD會引起潛在的不良 (如短路造成漏電流 100181。A ) 而無法在 工廠製程上 發(fā)現(xiàn)，但在市場上卻出現(xiàn)毀滅 性的不良。 Distribution of failure modes in siliconsESD2%Good Devices56%Design Testprogram Issue2%EOS7%Popcorn Filure9%Customers39。ApplicationRelated Failure24%Source : VIA RMA Analysis , 2023 Page 54 of 87 EOS及種類 EOS : Electrical Over Stress 來源廣，時間較長。 ? 系統(tǒng)暫態(tài)脈波 (STP) ? 閃電 (LIGHTNING) ? 靜電放電 (ESD) ? 電磁脈波 (EMP) Page 55 of 87 在高電流和短時間時 ， 熱無法快速流過氧化物 (SiO2)， 故金屬化合物熔化 。 Page 56 of 87 在長脈波寬度和低電力時 ，熱有足夠的時間流 過氧化物，終致熔化電線。 Page 57 of 87 63. EOS的起因： 631. 不正確的工作程序 a. 無標準工作程序 ( SOP)。 b. 零件方向 (極性 )錯誤。 c. 開機時，裝置移 離零件。 d. 基板裝配品，系統(tǒng)未完全連結(jié)就供電 。 632. 無 EOS管制設(shè)備，特別是在『雜訊』生產(chǎn)環(huán)境 : 故應(yīng)具備 a. 電源穩(wěn)壓器 b. 電源濾波器 ※ 在多臺高電力設(shè)備同時運作下，交流電源線最易產(chǎn)生暫態(tài)火花。 633. 不適當(dāng)?shù)販y試零件或基板 a. 快速切換開關(guān)。 b. 不正確的測試程序 ，如 IC未加電壓之前便輸入信號。 c. 電壓力測試設(shè)計不當(dāng) ，致預(yù)燒 (BurnIn)對敏感零件產(chǎn)生過應(yīng)力。 Page 58 of 87 634. 使用不好的電源供應(yīng)器 a. 特別是轉(zhuǎn)換式電源供應(yīng)器，如設(shè)計不當(dāng)會成為 雜訊產(chǎn)生源。 b. 無過電壓 (over voltage)保護線路。 c. 電源濾波不足。 d. 暫態(tài)抑制不足。 e. 保險絲選擇不當(dāng)，未能提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo。 635. 無適當(dāng)?shù)脑O(shè)備保養(yǎng)和電源監(jiān)測 a. 設(shè)備未接地 (注意 :如 SMT/CLEANING/ICT/錫爐 /拆焊機 /電 烙鐵 設(shè)備 …. ) 。 b. 接點鬆動引起斷續(xù)事故。 c. 電源線管理不當(dāng)或未注意防止線材絕緣不良 ,造成漏電。 d. 未監(jiān)測交流電源的暫態(tài)電壓或雜訊。 e. 供給產(chǎn)品測試用的電源供應(yīng)器電壓輸出功能無適當(dāng)之校驗 機制 。 Page 59 of 87 636. EOS 不良品分析圖片： Serious Burn out area by EOS a. EOS 嚴重?zé)龤е庥^不良 IC 圖片： VDD5VSTB core (Metal 2) of VT82C586B was serious burned out Burnout spot GND core (Metal 3) of VT82C586B was burned out b. EOS 嚴重?zé)龤е?Chip . 圖片 (1)： Page 60 of 87 c. EOS 嚴重?zé)龤е?Chip . 圖片 (2) GND and VCC of VT82C598MVP were serious burned out. Page 61 of 87 64. EOS的預(yù)防 641. 建立和裝置適當(dāng)?shù)墓ぷ鞒绦颉? 642. 定期地執(zhí)行交流電源的監(jiān)測，必要時裝置 EOS管 制設(shè)備 (如濾波線路，暫態(tài)抑制線路 )，及電源設(shè) 備校驗。 643. 確保適當(dāng)?shù)販y試 IC、基板等。 a. 審查測試計劃，是否有快速切換開關(guān)，不正確的測 試程序。 b. 從零件供應(yīng)商取得最安全的定額率，以確保它們完 全不會被過度驅(qū)動。 c. 確保適當(dāng)?shù)卦O(shè)計可靠度應(yīng)力測試，特別是 BurnIn。 d. 確認排除 /降低大於 200 mv的雜訊。 e. 用突波吸收器 (surge absorber)來箝制電壓火花。 Page 62 of 87 644. 用好的電源供應(yīng)器 (SPS) a. 過電壓防護 (注意 →+5V 輸出：應(yīng)在 ~ )。 b. 適當(dāng)?shù)纳崮芰Α? c. 在重要位置要使用保險絲。 645. 工廠頇維持嚴密的設(shè)備 /治具 /轉(zhuǎn)接卡 (金手指 ) 保養(yǎng)制度，並 每日 點檢 : a. 設(shè)備各部份皆適當(dāng)?shù)?接地。 b. 無鬆動連接。 c. 輸出功能正常。 (注意 :電源供應(yīng)器建議每 6個月校驗 1 次 ) d. 設(shè)備漏電檢查 (注意 :高電力設(shè)備 如錫爐 , 清洗機 , 拆焊機 , 電烙鐵 ….. ) 。檢查設(shè)備金屬外殼對電源接地端 是否 Vac ? e. 轉(zhuǎn)接卡接觸點 (金手指 )檢查是否有 近似短路 之情形。 Page 63 of 87 2 交流電源 : 是 否 a. 很多高電力機器共用一電源 , 可能會產(chǎn)生突波 , 暫態(tài) ? b. 現(xiàn)有設(shè)備易受電壓火花或暫態(tài) 影響 ? c. 經(jīng)常發(fā)生電壓跳動 ? d. 任何電源開關(guān) , 插座無鬆動連 接 ? 備註 : 646. EOS 稽核查檢表 (範(fàn)例 ) A. 稽核員 : B. 站別 : C. 稽核日期 : 年 月 日 D. 稽核時間 : 時 分 E. 確認者 : 1 基板裝配 : 是 否 a. 產(chǎn)品是否裝在正確的位置 ? b. 產(chǎn)品是否在加電壓前便適當(dāng)?shù)? 裝進插座 ? c. 產(chǎn)品未在加電壓時裝入或移開 ? d. 電烙鐵 , 錫爐 , 拆焊機 , 清洗機 設(shè)備漏電檢查正常 ? ( ) 備註 : Page 64 of 87 3 系統(tǒng)環(huán)境 : 是 否 a. 是否裝置過電壓保護線路 ? b. 保險絲的定額值正確嗎 ? c. 雜訊程度是否大於 200 mv ? 備註 : 4 電性測試 : 是 否 a. 加電壓的順序正確嗎 ? b. 現(xiàn)有測試程序中 , 是否有快速 切換開關(guān) ? c. 測試參數(shù)是否超過規(guī)格界限 值 ? d. 轉(zhuǎn)接卡 , 記憶體卡接觸點 (金 手指 )無近似短路之情形