【導(dǎo)讀】《半導(dǎo)體光電子技術(shù)》教學(xué)大綱························································································4-1. 《半導(dǎo)體材料物理》教學(xué)大綱···························································································4-9. 《電力半導(dǎo)體器件》教學(xué)大綱·························································································4-12. 《Verilog硬件描述語(yǔ)言》教學(xué)大綱···················································································4-17. 《CMOS集成電路》教學(xué)大綱······················&#18

　　

【正文】 述英文文獻(xiàn) 自動(dòng)化與信息工程學(xué)院 412 《 電力半導(dǎo)體器件 》 教學(xué)大綱 Teaching Outline of Power Semiconductor Devices 第一部分 大綱說(shuō)明 1．課程代碼： 050105 2．課程類型： 非學(xué)位課 3．開(kāi)課時(shí)間： 春 4．學(xué)時(shí) /學(xué)分： 32/2 5．課程目標(biāo)： 通過(guò)該課程的學(xué)習(xí)使學(xué)生深入了解半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)類型和工作原理，正確使用和設(shè)計(jì)電力半導(dǎo)體器件，培養(yǎng)學(xué)生分析、設(shè)計(jì)電力半導(dǎo)體器件和開(kāi)發(fā)新器件的能力。 6．面向?qū)W科： 電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)及相關(guān)學(xué)科。 7．考試方式 ：考 查 8． 預(yù)修課程 ：微電子技術(shù)基礎(chǔ)或半導(dǎo)體器件物理、半導(dǎo)體工藝原理。 9． 本課程的學(xué)時(shí)分配表 序號(hào) 教學(xué)內(nèi)容 課堂講課學(xué)時(shí) 實(shí)踐 課時(shí) 課堂討論學(xué)時(shí) 課外自學(xué)學(xué)時(shí) 1 介紹電力半導(dǎo)體器件概念、分類及其發(fā)展概況 2 2 功率二極管、雙極功率晶體管及晶閘管及其派生器件 6 3 靜電感應(yīng)功率器件 4 1 4 場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管 7 5 MOS－雙極型復(fù)合功率器件 8 6 寬禁帶功率半導(dǎo)體器件 4 合計(jì) 31 1 10． 教材及教學(xué)參考資料 教材： (1)維捷斯拉夫 .本達(dá)等著 .吳郁，張萬(wàn)榮，劉興明譯 .功率半導(dǎo)體器件 —— 理論及應(yīng)用 .化學(xué)工業(yè)出版社， 2020 (2)聶代祚 .電力半導(dǎo)體器件 .電子工業(yè)出版社 ,1994 (3)校內(nèi)自編講義 第二部分 教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)要求 《電力半導(dǎo)體器件》是研究電力半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、原理、特性和設(shè)計(jì)的一門重要課程，是電子類專業(yè)的一門院級(jí)任選課。對(duì)學(xué)生深入了解半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)類型和工作原理，正確使用和設(shè)計(jì)電力半導(dǎo)體器件，以及分析半導(dǎo)體器件制造工藝都具有重要的理論指導(dǎo)作用，培養(yǎng)學(xué)生分析、設(shè)計(jì)電力半導(dǎo)體器件和開(kāi)發(fā)新西安理工大學(xué) 研究生課程教學(xué)大綱 413 器件的能力。 第一章 介紹電 力半導(dǎo)體器件概念、分類及其發(fā)展概況 1．本章主要內(nèi)容 介紹電力半導(dǎo)體器件概念、分類及其發(fā)展概況。 2．本章的重點(diǎn)與難點(diǎn) 使學(xué)生了解分類及其國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀，重點(diǎn)掌握電力半導(dǎo)體器件概念。 3． 預(yù)備知識(shí)要求 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)理論知識(shí)。 4．主要參考資料 (1)張為佐 .功率半導(dǎo)體器件的新發(fā)展 .中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)五屆三次理事會(huì)議論文集 ,2020 (2)段寶興 ,張波 ,李肇基 .功率半導(dǎo)體器件發(fā)展概述 [A].中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第十屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集 [C],2020 (3)甘祥彬 .大功率 IGBT 驅(qū)動(dòng)技術(shù)的現(xiàn)狀 與發(fā)展 .中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)第九屆全國(guó)電技術(shù)節(jié)能學(xué)術(shù)會(huì)議論文集 ,2020 (4)江利 ,王建華 ,黃慶安 ,等 .PIN 二極管的研究進(jìn)展 .電子器件 ,2020,(02) (5)李思淵 ,孫卓 ,劉肅 .靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)作用機(jī)制的理論研究 .電力電子技術(shù) ,1994,(02) (6)Laska T,Munzer M,Pfirsch F. The field stop IGBT(FS IGBT):a new power device concept with great i mprovement potential .Proceedings of the12th International Symposiumon Power Semiconductor Devices and ICs. 2020, :355. (7)JUNICHI NISHIZAWA. FieldEffect Transistor Versus Analog Transistor (Static Induction Transistor) .IEEE Transactions on Electron Devices. 1975, ED22(4) :185197. (8)Ogura,T.,Nakagawa,A.,Atusta,M.,Kamei,Y. High Frequency 6000V DoubleGTOs,1993 IEEE Electron ,62833 第二章 功率雙極功率晶體管、晶閘管及其派生器件 1．本章主要內(nèi)容 功率二極管 (PIN、雙基區(qū)二極管 )及普通晶閘管 (SCR)、快速晶閘管 (KP)、門極可關(guān)斷晶閘管（ GTO）、雙向晶閘管（ TRIAC）和光觸發(fā)（ LTT）等雙極功 率晶體管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理，分析其結(jié)構(gòu)參數(shù)與基本電學(xué)參數(shù)的關(guān)系以及基本靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電學(xué)參數(shù)分析；晶閘管的基本結(jié)構(gòu)的分析設(shè)計(jì)。 2．本章的重點(diǎn)與難點(diǎn) 功率二極管及雙極功率晶體管的結(jié)構(gòu)參數(shù)與基本電學(xué)參數(shù)的關(guān)系；大電流下二極管基區(qū)和晶體管集電區(qū)電導(dǎo)調(diào)制、基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)以及其它大電流密度效應(yīng)。普通晶閘管 (SCR)、快速晶閘管 (KP)、門極可關(guān)斷晶閘管（ GTO）的基本結(jié)構(gòu)分析設(shè)計(jì)；動(dòng)態(tài)電學(xué)參數(shù)分析設(shè)計(jì)。 3． 預(yù)備知識(shí)要求 PN結(jié)基本理論、器件基礎(chǔ)知識(shí)。 4． 主要參考資料 (1)張海濤 ,張斌 ,王均平 .采用緩沖層結(jié)構(gòu)的軟 恢復(fù)二極管研究 .電力電子技術(shù) ,2020,(02) 自動(dòng)化與信息工程學(xué)院 414 (2)劉古 ,將建飛 .雙極晶體管基區(qū)寬變效應(yīng)的分析和計(jì)算 .電子學(xué)報(bào) ,1983,(02) (3)徐之韜 ,王明福 ,肖宗蘭 等 .3DD260 型高反壓大功率晶體管的設(shè)計(jì)與制造 .物理 ,1994,(04) (4)Pathak Gower, Solutions for Surface Electric Field Distributions in Avalanching pin Power ,I130,1723 (5)Benda, for fast Soft Reverse Recovery Diodes, EPE‘93 Conference, 28892 (6)Aloisi,. The Innovation in the Field of High Voltage Bipolar Transistor, Journal,1,4754 (7)趙善麒 ,高鼎三 ,潘福泉 .高靈敏度 500A,2020V 光控晶閘管的研制 .半導(dǎo)體學(xué)報(bào) ,1990,(06) (8)大 呂征宇 .容量門極可關(guān)斷晶閘管的 研究 .電子與信息學(xué)報(bào) ,1988,(06) (9)楊大江 ,姚振華 ,朱長(zhǎng)純 ,等 .新型功率器件 (IGCT)的工作原理及其設(shè)計(jì)技術(shù) .電力電子技術(shù) ,1999,(05) (10)Wolley,. Gate Turnoff in pnpn Devices .IEEE Trans on Electron Devices,1996 ED13,5907 (11)Ogura,T.,Nakagawa,A.,Atusta,M.,Kamei,Y. High Frequency 6000V DoubleGTOs,1993 IEEE Electron ,62833 (12).,Yamamoto,M.,Nakagawa,T. and Kawakami, A. and High Power Devices GCT. ‘97 ,70 第三章 場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管 1． 本章主要內(nèi)容 功率 JFET、靜電感應(yīng)晶體管 SIT、靜電感應(yīng)晶閘管 SITH 等靜電感應(yīng)功率器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及基本靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電學(xué)參數(shù)分析。 2．本章的重點(diǎn)與難點(diǎn) 靜電感應(yīng)功率器件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，導(dǎo)電溝道電導(dǎo)調(diào)制。 3．預(yù)備知識(shí)要求 晶閘管、晶體管器件基礎(chǔ)知識(shí)。 4．主要參考資料 (1)李思淵 ,孫卓 ,劉肅 .靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)作用機(jī)制的理論 研究 .電力電子技術(shù) ,1994,(02) (2)李海霞 .功率靜電感應(yīng)器件 SIT/SITH 的研制 .蘭州大學(xué) ,碩士論文 ,2020 (3)孟雄暉 ,李思淵 ,劉瑞喜 .靜電感應(yīng)晶體 管 (SIT)電性能參數(shù)的研究 .蘭州大學(xué)學(xué)報(bào) (自然科學(xué)版 ),2020,(02) (4)Yang Jianhong。 Wang Zaixing。 and Li Siyuan. An SITBJT Operation Model for SITH in the Blocking State, 2020. Journal of Semiconductors,2020 (5)Wang Yongshun。 Li Hairong。 Wu Rong。 and Li Siyuan. Mechanism of Reverse Snapback on IV Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure,1993, Journal of Semiconductors, (6)JUNICHI NISHIZAWA. FieldEffect Transistor Versus Analog Transistor (Static Induction Transistor) .IEEE Transactions on Electron Devices. 1975, ED22(4):185197 第四章 場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管 1．本章主要內(nèi)容 MOS 晶體管、 MOSFET 器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性、電學(xué)參數(shù)。 2．本章的重點(diǎn)與難點(diǎn) 西安理工大學(xué) 研究生課程教學(xué)大綱 415 MOSFET 器件的開(kāi)通過(guò)程、關(guān)斷過(guò)程及其頻率特性。 3． 預(yù)備知識(shí)要求 場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)知識(shí)。 4．主要參考資料 (1)羅小蓉 ,李肇基 ,張波 ,等 .屏蔽槽 SOI 高壓器件新結(jié)構(gòu)和耐壓機(jī)理 .半導(dǎo)體學(xué)報(bào) ,2020,26(11) (2)吳秀龍 ,陳軍寧 ,孟堅(jiān) ,高珊 ,柯導(dǎo)明 . SOI LDMOS 晶體管耐壓結(jié)構(gòu)的研究 ,半導(dǎo)體技術(shù) ,第 30 卷第 3期 ,2020 (3)黃淮 ,吳郁 ,亢寶位 .降低功率 MOSFET 導(dǎo)通電阻 R_(ON)的研究進(jìn)展 .電力電子 ,2020,(04） (4)Zhang Guohe。 Shao Zhibiao。 Han Bin。 and Liu Derui. A Novel FullyDepleted DualGate MOSFET , Journal of Semiconductors, (5)Hu,C.,Chi,. and Patel,V. M. Optimum Design of Power MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices. 1984, ED31, 16931700 (6)Lin Xi, He Ping, Tian Lilin et al. Investigation of Thermal Property of Novel DSOI MOSFETs Fabricated with Local SIMOX Technique. Chinese Journal of Semiconductors, 2020, 24(2), 117121 (7)Fang Jian, Yi Kun, Li Zhaoji et al. OnState Breakdown Model for High Voltage RESURF LDMOS. Chinese Journal of Semiconductors,2020,26(3),436442 第五章 MOS－雙極型復(fù)合功率器件 1．本章主要內(nèi)容 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 、 MOS 控制晶閘管 MCT、注入增強(qiáng)型柵極晶體管 IEGT 及派生器件的結(jié)構(gòu)、工作特性以及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性、電學(xué)參數(shù)；新器件結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)介紹。 2．本章的重點(diǎn)與難點(diǎn) 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 的通態(tài)特性以及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性；開(kāi)關(guān)速度和阻斷能力。 3．預(yù)備知識(shí)要求 MOSFET 和雙極晶體管相關(guān)知識(shí)。 4．主要參考資料 (1)王浩 ,胡冬青 ,吳郁 ,周文定 ,亢寶位 .一種新結(jié)構(gòu) IGBT——內(nèi)透明集電極 IGBT 的仿真 .半導(dǎo)體學(xué)報(bào) ,2020,(02) (2)袁壽財(cái) ,王曉寶 ,劉欣榮 .800V/10A 和 1200V/6A IGBT 的研制 .電力電子技術(shù) ,1994,(01) (3)吳滔 .絕緣柵雙極晶體管（ IGBT）的研究與設(shè)計(jì) .碩士論文 ,浙江大學(xué) ,2020 (4)Laska T,Munzer M,Pfirsch F. The field stop IGBT(FS IGBT):a new power device concept with great i mprovement potential .Proceedings of the12th International Symposiumon Power Semiconductor Devices and ICs. 2020,355 (5)Tomomatsu,Y,. Suekawa,E,. Kondo, H,.Enjoji, T.,Takeda,M.,Hagino,H. An Analysis for Tralnsient Characteristics of Shorted Collector IGBT sin Free Wheeling Mode of Operation,proc. ‘97,20912 (6)Kurlagunda, R. and Baliga, . 600vDual Gate MCT ‘97, 2736 自動(dòng)化與信息工程學(xué)院 416 第六章 寬禁帶功率半導(dǎo)體器件 1． 本章主要內(nèi)容 SiC、 GeN、 AIN 等寬禁帶材料的二極管、晶體管、 MOS、 MOSFET、 IGBT 等功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、工作原理以及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性、電學(xué)參數(shù)等。 2．本章的重點(diǎn)與難點(diǎn) 寬禁帶材料的二極管、晶體管、 MOS、 MOSFET、 IGBT 等功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)以及寬禁帶材料高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、電子遷移速度高等優(yōu)良的 物理化學(xué)參數(shù)與功率器件靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性相互關(guān)系。 3． 預(yù)備知識(shí)要求 寬禁帶材料，器件的基本結(jié)構(gòu)和原理以及寬禁帶材料物理化學(xué)參數(shù)與功率器件特性關(guān)系。 4．主要參考資料 (1)劉海濤 ,陳啟秀 .寬禁帶半導(dǎo)體 功率器件 .半導(dǎo)體技術(shù) ,1999,(2) (2)張玉明 ,湯曉燕 ,張義門 .SiC 功率器件的研究和展望 .電力電子技術(shù) ,2020,(12) (3)張志國(guó) ,李麗 ,楊瑞霞 ,楊克武 .GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)效應(yīng)晶體管功率器件 .物理 ,2020,(06) (4)Palmour, .。 Singh, R.。 Glass,and .。 Kordina, O。Silicon carbide for power devices Power Semiconductor Devices and IC39。s, 1997. ISPSD 39。97., 1997 IEEE International Symposium on 2629 May 1997 Page(s):2532 (5)SeiHyung Ryu。 Agarwal, .。 and Singh, R.。 1800 V, A bipolar junction transistors in 4HSiC Device Research Conference, 2020. Conference Digest. 58th DRC 1921 June 2020 Page(s):133134 (6)Wenzel, R.。 Goesmann, F.。 SchmidFetzer, R.。Diffusion barriers on titaniumbased ohmic contact structures on SiCHighTemperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference, 19982227 Feb. 1998 Page(s):159164 西安理工大學(xué) 研究生課程教學(xué)大綱 417 《 Verilog 硬件描述語(yǔ)言 》教學(xué)大綱 Teaching Outline of Verilog Hardware Description language 第一部分 大綱說(shuō)明 1. 課程代碼： 050106 2. 課程類型： 非學(xué)位課 3. 開(kāi)課時(shí)間： 秋 4. 學(xué)時(shí) /學(xué)分： 32/2 5. 課程目標(biāo)： 通過(guò)該課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生掌握 Verilog硬件描述語(yǔ)言的基本語(yǔ)法，掌握利用 Verilog 描述數(shù)字組合電路和時(shí)序電路的方法，最終掌握掌握使用 Verilog設(shè)計(jì)復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的能力。 6. 面向?qū)W科： 微電子學(xué)與固體電子 學(xué) 7. 考核方式： 考查 8. 預(yù)修課程： 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ) 9. 本課程的學(xué)時(shí)分配表 序號(hào) 教學(xué)內(nèi)容 課堂講課 學(xué)時(shí) 實(shí)踐 課時(shí) 課堂討論 學(xué)時(shí) 課外自學(xué) 學(xué)時(shí) 1 第一章 Verilog基本知識(shí) 2 2 第二章 Verilog語(yǔ)法 8 3 第三章 組合電路描述 4 2 4 第四章 時(shí)序電路描述 6 2 5 第五章 可綜合設(shè)計(jì)舉例 6 2 合計(jì) 26 6 10. 教材及教學(xué)參考資料 教材： 夏宇聞 .Verilog數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)教程 .(第 2 版 ).北京航空航 天大學(xué)出版社 ,2020 參考資料： (1)Zainalabedin Navabi Verilong 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì) —— RTL 綜合、測(cè)試平臺(tái)與驗(yàn)證 .(第二版 ).(英文影印版 ),電子工業(yè)出版社 ,2020 (2)Smair Palniktar 著 .夏宇聞等譯 .Verilog HDL 數(shù)字設(shè)計(jì)與綜合 .電子工業(yè)出版社 ,2020 (3)Michael 著 .Advanced Digital Design With the Verilog HDL.(英文影印版 ).電子工業(yè)出版社 ,2020 (3)J. Bhasker 著 徐振林等譯 .Verilog HDL 硬件描述語(yǔ)言 .機(jī)械工業(yè)出版社 ,2020 自動(dòng)化與信息工程學(xué)院 418 第二部分 教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)要求 通過(guò)該課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生掌握 Verilog 硬件描述語(yǔ)言的基本語(yǔ)法，包括 Verilog HDL 模塊結(jié)構(gòu)、變量類型、運(yùn)算符、賦值語(yǔ)句和塊語(yǔ)句、條件語(yǔ)句和循環(huán)語(yǔ)句、結(jié)構(gòu)說(shuō)明語(yǔ)句、任務(wù)和函數(shù)以及一些系統(tǒng)函數(shù)。使學(xué)生掌握組合電路和時(shí)序電路的描述方法，并舉例說(shuō)明可綜合 Verilog HDL 設(shè)計(jì)方法。 第一章 Verilog 基本知識(shí) 講述 VERILOG 語(yǔ)言的歷史，利用 Verilog 設(shè)計(jì)復(fù) 雜系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)，介紹 Verilog HDL 設(shè)計(jì)的基本流程。 、需掌握的主要知識(shí) 重點(diǎn)掌握 Verilog 設(shè)計(jì)復(fù)雜系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)和 Verilog HDL 設(shè)計(jì)的基本流程。本章主要難點(diǎn)是 Verilog HDL設(shè)計(jì)的基本流程。 了解數(shù)字電路的基本知識(shí)。 (1)夏宇聞 . Verilog數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)教程 .(第 2 版 ).北京航空航天大學(xué)出版社 ,2020 (2)Zainalabedin Navabi Verilong 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì) RTL 綜合、測(cè)試平臺(tái)與驗(yàn)證 .(第二版 ).(英文 影印版 ).電子工業(yè)出版社 ,2020 (3)Smair Palniktar 著 .夏宇聞等譯 .Verilog HDL 數(shù)字設(shè)計(jì)與綜合 .電子工業(yè)出版社 ,2020 (4)Michael 著 .Advanced Digital Design With the Verilog HDL)(英文影印版 ).電子工業(yè)出版社 ,2020 (5) 著 .徐振林等譯 .Verilog HDL 硬件描述語(yǔ)言 .機(jī)械工業(yè)出版社 ,2020 第二章 Verilog 語(yǔ)法 講述 VERILOG 基本語(yǔ)法，包括 Verilog HDL 模塊結(jié)構(gòu)、變量類型、運(yùn)算符、賦值語(yǔ)句和塊語(yǔ)句、條件語(yǔ)句和循環(huán)語(yǔ)句、結(jié)構(gòu)說(shuō)明語(yǔ)句、任務(wù)和函數(shù)以及一些系統(tǒng)函數(shù)。 、需掌握的主要知識(shí) 重點(diǎn)掌握 VERILOG 基本語(yǔ)法。本章主要難點(diǎn)是阻塞和非阻塞賦值語(yǔ)句、任務(wù)和函數(shù)。 了解數(shù)字電路的基本知識(shí)。 (1)夏宇聞 .Verilog數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)教程 .(第 2 版 ).北京航空航天大學(xué)出版社 ,2020 (2)Zainalabedin Navabi Verilong 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì) —— RTL 綜合、測(cè)試平臺(tái)與驗(yàn)證 .(第二版 ).(英文影印版 ).電子工業(yè)出版社 ,2020 (3)Smair Palniktar 著 .夏宇聞等譯 .Verilog HDL 數(shù)字設(shè)計(jì)與綜合 .電子工業(yè)出版社 ,2020 (4)Michael 著 .Advanced Digital Design With the Verilog HDL.(英文影印版 ).電子工業(yè)出版社 ,2020 (5) 著 .徐振林等譯 .Verilog HDL 硬件描述語(yǔ)言 .機(jī)械工業(yè)出版社 ,2020 西安理工大學(xué) 研究生課程教學(xué)大綱 419 第三章 組合電路描述 講述 VERILOG 描述組合電路的方法，掌握多路器，譯碼器、加法器等基本組合電路的設(shè)計(jì)方法，課堂教授 4 學(xué)時(shí)，課外訓(xùn)練 2 學(xué)時(shí)。 、需掌握的主要知識(shí) 重點(diǎn)掌握 VERILOG 描述組合電路的方法。本章主要難點(diǎn) assign 語(yǔ)句、 always 語(yǔ)句以及各種條件語(yǔ)句描述組合電路的方法。 了解數(shù)字電路的基本知識(shí)。 (1)夏宇聞 . Verilog數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)教程 .(第 2 版 ).北京航空航天大學(xué)出版社 ,2020 (2)Zainalabedin Navabi Verilong 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì) —— RTL 綜合、測(cè)試平臺(tái)與驗(yàn)證 .(第二版 ).(英文影印版 ),電子工業(yè)出版社 ,2020 (3)Smair Palniktar 著 .夏宇聞等譯 .V