模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學-資料下載頁
2025-02-05 16:35本頁面
【正文】 電場 產生空穴 電子對電流劇增耗盡區(qū)窄拉出共價鍵中電子37 PN結的電容效應 PN結具有一定的電容效應，它由兩方面的因素決定。 一是勢壘電容 CB ， 二是擴散電容 CD 。38 (1) 勢壘電容 CB 勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。勢壘電容示意圖 當外加電壓使 PN結上壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當 PN結中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。39 (1) 勢壘電容 CB隨著外加電壓的變化離子薄層的厚度的變化情況。外加反向電壓高 外加正向電壓低V=0時的n ： 為變容指數 為內建電位差40 擴散電容是由多子擴散后，在 PN結的另一側面積累而形成的。 (2) 擴散電容 CD 反之，由 P區(qū)擴散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內也形成類似的濃度梯度分布曲線。 PN結正偏時 ，由 N區(qū)擴散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內緊靠 PN結的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。41擴散電容示意圖PN結兩側堆積的多子的濃度梯度分布也不同正向偏置外加電壓不同擴散電流大小不同相當電容的充放電過程。勢壘電容和擴散電容均是非線性電容42(2) 擴散電容 CD如果引起 的電壓變化量為 則 :PN結上的總電容為 :43?溫度升高時，反向電流將呈指數規(guī)律增加。?對 硅材料 溫度每增加 10℃ ，反向電流將約增加一倍。?對 鍺材料 溫度每增加 12℃ ，反向電流大約增加一倍。? 溫度升高時， PN結的正向壓降將減小， 每增加 1℃ ，正向壓降 VF(VD)大約減小 2mV， 即具有負的溫度系數。 PN結的溫度特性溫度對 PN結的性能有較大的影響 。44 溫度對 PN結性能的影響圖示? 溫度每升高 1℃ ,結電壓減小 2~。? 溫度每升高 1０ ℃ ,反向飽和電流增大一倍。總 結45謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAI
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1