模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學(xué)-資料下載頁
2025-02-05 16:35本頁面
【正文】 電場 產(chǎn)生空穴 電子對電流劇增耗盡區(qū)窄拉出共價(jià)鍵中電子37 PN結(jié)的電容效應(yīng) PN結(jié)具有一定的電容效應(yīng)，它由兩方面的因素決定。 一是勢壘電容 CB ， 二是擴(kuò)散電容 CD 。38 (1) 勢壘電容 CB 勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。勢壘電容示意圖 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。39 (1) 勢壘電容 CB隨著外加電壓的變化離子薄層的厚度的變化情況。外加反向電壓高 外加正向電壓低V=0時(shí)的n ： 為變?nèi)葜笖?shù) 為內(nèi)建電位差40 擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。 (2) 擴(kuò)散電容 CD 反之，由 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)的空穴，在 N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。 PN結(jié)正偏時(shí) ，由 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴(kuò)散過來的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。41擴(kuò)散電容示意圖PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同正向偏置外加電壓不同擴(kuò)散電流大小不同相當(dāng)電容的充放電過程。勢壘電容和擴(kuò)散電容均是非線性電容42(2) 擴(kuò)散電容 CD如果引起 的電壓變化量為 則 :PN結(jié)上的總電容為 :43?溫度升高時(shí)，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加。?對 硅材料 溫度每增加 10℃ ，反向電流將約增加一倍。?對 鍺材料 溫度每增加 12℃ ，反向電流大約增加一倍。? 溫度升高時(shí)， PN結(jié)的正向壓降將減小， 每增加 1℃ ，正向壓降 VF(VD)大約減小 2mV， 即具有負(fù)的溫度系數(shù)。 PN結(jié)的溫度特性溫度對 PN結(jié)的性能有較大的影響 。44 溫度對 PN結(jié)性能的影響圖示? 溫度每升高 1℃ ,結(jié)電壓減小 2~。? 溫度每升高 1０ ℃ ,反向飽和電流增大一倍?？? 結(jié)45謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAI
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