模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學(xué)(文件)
【正文】 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?1其中PN結(jié)的伏安特性IS —— 反向飽和電流UT —— 溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（ T=300K） PN結(jié)的 IV方程PN結(jié)的電壓和電流之間的關(guān)系為：32PN結(jié)的伏安特性曲線如圖所示。 一是勢(shì)壘電容 CB ， 二是擴(kuò)散電容 CD 。外加反向電壓高 外加正向電壓低V=0時(shí)的n ： 為變?nèi)葜笖?shù) 為內(nèi)建電位差40 擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。41擴(kuò)散電容示意圖PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同正向偏置外加電壓不同擴(kuò)散電流大小不同相當(dāng)電容的充放電過程。? 溫度升高時(shí)， PN結(jié)的正向壓降將減小， 每增加 1℃ ，正向壓降 VF(VD)大約減小 2mV， 即具有負(fù)的溫度系數(shù)。總 結(jié)45謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。44 溫度對(duì) PN結(jié)性能的影響圖示? 溫度每升高 1℃ ,結(jié)電壓減小 2~。?對(duì) 硅材料 溫度每增加 10℃ ，反向電流將約增加一倍。 PN結(jié)正偏時(shí) ，由 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。勢(shì)壘電容示意圖 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。? 正向偏置 ： v? 反向偏置 ： |V|33 PN結(jié)的反向擊穿 當(dāng) PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 —— 可逆此現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 反向擊穿。內(nèi)電場(chǎng)IS外電場(chǎng) 在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個(gè)電流也稱為 反向飽和電流 IS 。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響， PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性 。結(jié)論27 定義 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為 正向偏置 ，簡(jiǎn)稱 正偏 。此時(shí)發(fā)光二極管導(dǎo)通而發(fā)光。實(shí)驗(yàn) ： P
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1