模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學(xué)(完整版)
【正文】 空穴成對消失這一現(xiàn)象稱為復(fù)合 。本征激發(fā)本征激發(fā) 參雜參雜 本征激發(fā)本征激發(fā) 空穴是空穴是 多數(shù)載流子多數(shù)載流子 ，主要由摻雜形成；，主要由摻雜形成； 電子是電子是 少數(shù)載流子少數(shù)載流子 ，由熱激發(fā)形成，由熱激發(fā)形成 。4. 在 N型和 P型半導(dǎo)體界面的 N型區(qū)一側(cè)會形成正離子薄層；5. 在 N型和 P型半導(dǎo)體界面的 P型區(qū)一側(cè)會形成負離子薄層。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。這個實驗說明 PN結(jié)（二極管）具有單向?qū)щ娦浴? 內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。 一是勢壘電容 CB ， 二是擴散電容 CD 。41擴散電容示意圖PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同正向偏置外加電壓不同擴散電流大小不同相當(dāng)電容的充放電過程。總 結(jié)45謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。?對 硅材料 溫度每增加 10℃ ，反向電流將約增加一倍。勢壘電容示意圖 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。內(nèi)電場IS外電場 在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為 反向飽和電流 IS 。結(jié)論27 定義 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為 正向偏置 ，簡稱 正偏 。實驗 ： PN結(jié)的導(dǎo)電性 。在半導(dǎo)體中還存在少子，內(nèi)電場的電場力會對少子產(chǎn)生作用，促使少數(shù)載流子產(chǎn)生 漂移運動 。 電場越強，載流子濃度越大飄移電流越強。?漂移電流產(chǎn)生電子空穴對11導(dǎo)電性能發(fā)生變化(1) N型半導(dǎo)體(2) P型半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中參入 雜質(zhì) 的半導(dǎo)體稱 雜質(zhì)的半導(dǎo)體 雜質(zhì)主要是三價或五價元素參入少量五價元素參入少量三價元素2 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識TextTextText參雜結(jié)果 形成兩種半導(dǎo)體材料12 (1） N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素（例如磷），可
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