模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學-wenkub
2023-02-24 16:35:02 本頁面
【正文】 提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為 正離子 ，因此五價雜質(zhì)原子也稱為 施主雜質(zhì) 。 本征半導體2 1 半導體基礎知識8 空穴的移動（ 動畫 21）空穴在晶格中的移動9本征激發(fā)和復合的過程 （ 動畫 11） 本征半導體二、 本征激發(fā)和復合2 1 半導體基礎知識10 價電子 獲得能量 掙脫原子核的束縛，成為自由電子，從而可能參與導電。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。典型的半導體 ： 硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等。半導體導電性能受 溫度、光照 和 摻雜影響 。純凈的含義 ?無雜質(zhì) ? 晶體結(jié)構(gòu)完整2 1 半導體基礎知識5一、 半導體中的載流子１ 、熱力學溫度 0K無外界激發(fā) 本征半導體2 1 半導體基礎知識6 本征半導體熱力學 300K室溫，產(chǎn)生自由電子一、 半導體中的載流子光照激發(fā)(c)自由電子空穴本征激發(fā)7一、 半導體中的載流子１、熱力學溫度 0K無外界激發(fā)自由電子： 價電子能量增高，有的價電子掙脫原子核的束縛，而參與導電。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā) ?本征激發(fā)?復合 自由電子 釋放能量 而進入有空位的共價鍵，使自由電子和空穴成對消失這一現(xiàn)象稱為復合 。本征激發(fā)本征激發(fā) 參雜參雜 本征激發(fā)本征激發(fā) 電子是電子是 多數(shù)載流子多數(shù)載流子 ，主要由摻雜形成；，主要由摻雜形成； 空穴是空穴是 少數(shù)載流子少數(shù)載流子 ，由熱激發(fā)形成，由熱激發(fā)形成 。本征激發(fā)本征激發(fā) 參雜參雜 本征激發(fā)本征激發(fā) 空穴是空穴是 多數(shù)載流子多數(shù)載流子 ，主要由摻雜形成；，主要由摻雜形成； 電子是電子是 少數(shù)載流子少數(shù)載流子 ，由熱激發(fā)形成，由熱激發(fā)形成 。 擴散電流大小與濃度梯度有關。4. 在 N型和 P型半導體界面的 N型區(qū)一側(cè)會形成正離子薄層；5. 在 N型和 P型半導體界面的 P型區(qū)一側(cè)會形成負離子薄層。對于 P型半導體和 N型半導體結(jié)合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結(jié) 。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱 耗盡層 。 P區(qū)為正極； N區(qū)為負極。這個實驗說明 PN結(jié)（二極管）具有單向?qū)щ娦浴? 正向偏置 反向偏置28 PN結(jié)加正向電壓時的導電情況外電場 外加的 正向電壓 有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與 PN結(jié)內(nèi)電場方向相反， 削弱了內(nèi)電場 。 內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。
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