模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學(xué)-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 正極 P N發(fā)光二極管發(fā)光 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?6 此時(shí)發(fā)光二極管不發(fā)光，說(shuō)明 PN結(jié)不導(dǎo)電。內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)IF29 PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況 PN結(jié)加反向電壓時(shí)，有一部分降落在 PN結(jié)區(qū)，方向與 PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。34 PN結(jié)的擊穿特性雪崩擊穿 PN結(jié)的反向電壓大于某一值 ( )時(shí) ,反向電流突然劇增，這種現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 擊穿發(fā)生擊穿所需的電壓稱為 擊穿電壓（ VBR）低參雜、高電壓齊納擊穿 高參雜、低電壓35雪崩擊穿反向電壓 少子動(dòng)能 少子速度碰撞共價(jià)鍵中電子產(chǎn)生自由電子電流劇增條件： 低參雜、高電壓 （ 耗盡區(qū)寬碰撞機(jī)會(huì)多 ）對(duì)硅材料：36齊納擊穿條件： 高摻雜、低電壓 （ 耗盡區(qū)窄，低電壓產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng) ）對(duì)硅材料：低電壓產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng) 產(chǎn)生空穴 電子對(duì)電流劇增耗盡區(qū)窄拉出共價(jià)鍵中電子37 PN結(jié)的電容效應(yīng) PN結(jié)具有一定的電容效應(yīng)，它由兩方面的因素決定。剛擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。? 溫度每升高 1０ ℃ ,反向飽和電流增大一倍。?對(duì) 鍺材料 溫度每增加 12℃ ，反向電流大約增加一倍。39 (1) 勢(shì)壘電容 CB隨著外加電壓的變化離子薄層的厚度的變化情況。內(nèi)電場(chǎng)30 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中P區(qū)的電位低于 N區(qū)的電位， 稱為 反向偏置 ， 簡(jiǎn)稱 反偏 。按如下方式進(jìn)行 PN結(jié)導(dǎo)電性的實(shí)驗(yàn)，因?yàn)镻N結(jié)加上封裝外殼和電極引線就是二極管，所以拿一個(gè)二極管來(lái)當(dāng)成 PN結(jié)。內(nèi)電場(chǎng)漂移電流22內(nèi)電場(chǎng)擴(kuò)散電流漂移電流擴(kuò)散電流 漂移電流 最后 ,多子的 擴(kuò)散 和少子的 漂移 達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡 。 由于載流子濃度不均勻，從濃度大處向濃度小處擴(kuò)散，形成擴(kuò)散電流。自由電子13(2) P型半導(dǎo)體 提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為 正離子 ，因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱為 施主雜質(zhì) 。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。半導(dǎo)體導(dǎo)電性能受 溫度、光照 和 摻雜影響 。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā) ?本征激發(fā)?復(fù)合 自由電子 釋放能量 而進(jìn)入有空位的共價(jià)鍵，使自由電子和
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