模擬電子技術(shù)(華中理工版)第二章學(xué)習(xí)課件-文庫吧在線文庫
【正文】 質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子 和 空穴 。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成 共價(jià)鍵 ，共用一對價(jià)電子。難點(diǎn) ： 重點(diǎn)難點(diǎn) 半導(dǎo)體的基本知識 半導(dǎo)體二極管 二極管基本電路及其分析方法 特殊二極管 PN結(jié)的形成及特性 半導(dǎo)體的基本知識 半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料 一、物體的導(dǎo)電特性 根據(jù)物體導(dǎo)電能力 (電阻率 )的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體?？昭?—— 共價(jià)鍵中的空位 。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。 2. P型半導(dǎo)體 因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。 (1) PN結(jié)加正向電壓時(shí)? 低電阻? 大的正向擴(kuò)散電流PN結(jié)的伏安特性－－－－++++R E（ 1） PN 結(jié)正向偏置內(nèi)電場外電場變窄P N+ _內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 —— 可逆 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 二極管的伏安特性 二極管的參數(shù) 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 在 PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。 應(yīng)用舉例二極管的應(yīng)用二極管的應(yīng)用應(yīng)用一、箝制電位的作用：應(yīng)用一、箝制電位的作用： 將電路某點(diǎn)的電位箝制在將電路某點(diǎn)的電位箝制在某一數(shù)值某一數(shù)值 。分析二極管陽極和陰極的電位。2V例例 5：：ui3V參考點(diǎn)參考點(diǎn)二極管陰極電位為二極管陰極電位為 2 VDUSRuoui+ +– –應(yīng)用三、限幅的作用應(yīng)用三、限幅的作用：： 將輸出電壓的幅值將輸出電壓的幅值限制在某一數(shù)值。(2)最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin2. 穩(wěn)壓二極管主要參數(shù) 穩(wěn)壓二極管(1) 當(dāng)輸入電壓變化時(shí)如何穩(wěn)壓根據(jù)電路圖可知 輸入電壓 VI的增加，必然引起 VO的增加，即 VZ增加，從而使 IZ增加， IR增加，使 VR增加，從而使輸出電壓 VO減小。利用這些性能可制作成具有各種特性的半導(dǎo)體器件。? 半導(dǎo)體光電器件分光敏器件和發(fā)光器件，可實(shí)現(xiàn)光 — 電、電 — 光轉(zhuǎn)換。? 晶體二極管實(shí)際上就是一個(gè) PN結(jié)，描述二極管的性能 常用二極管的伏安特性，可用二極管的電流方程來描述即二極管兩端的電壓和流過的電流滿足 I=Is(e U/UT1).硅管：當(dāng) UD，二極管導(dǎo)通，導(dǎo)通后， UD=鍺管：當(dāng) UD，二極管導(dǎo)通，導(dǎo)通后， UD=? 穩(wěn)壓管是一種應(yīng)用很廣的特殊類型的二極管，工作區(qū)在反向擊穿區(qū)。 IZ的減小必然使 IR減小， VR減小，從而使輸出電壓 VO增加。應(yīng)用四、整流的作用應(yīng)用四、整流的作用定義：交流 直流整流逆變本課小結(jié)本課小結(jié)二極管的應(yīng)用二極管的應(yīng)用應(yīng)用一、
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