模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學(專業(yè)版)
【正文】 勢壘電容和擴散電容均是非線性電容42(2) 擴散電容 CD如果引起 的電壓變化量為 則 :PN結(jié)上的總電容為 :43?溫度升高時，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加。此時 PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場作用下形成的 漂移電流大于擴散電流 ，可忽略擴散電流， PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 多子的擴散運動 ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ?24濃度差擴散運動電荷區(qū)形成內(nèi)電場阻止擴散運動 促使漂移運動動態(tài)平衡25PN結(jié)最重要的特性是單向?qū)щ娞匦?，先看如下實驗?6本征 室溫下 ,本征激發(fā)產(chǎn)生的電子和空穴濃度 :n = p =10 10/cm3摻雜Add Your Title 摻雜濃度 :n =510 16/cm3本征硅Add Your Title本征硅的原子濃度 : 10 22/cm3 雜質(zhì)對半導體導電性的影響2 1 半導體基礎(chǔ)知識典型的數(shù)據(jù)如下 :17 半導體中的電流飄移電流擴散電流 在電場作用下，載流子定向運動形成的電流。2 1 半導體物理基礎(chǔ)導 體半導體絕緣體2?結(jié)構(gòu)特點：１、外層４個電子；２、共價?。窗雽w特性 ： 物質(zhì)的導電能力由物質(zhì)原子的 內(nèi)部 結(jié)構(gòu) 和原子間的 組合方式 決定。?漂移電流產(chǎn)生電子空穴對11導電性能發(fā)生變化(1) N型半導體(2) P型半導體 雜質(zhì)半導體在本征半導體中參入 雜質(zhì) 的半導體稱 雜質(zhì)的半導體 雜質(zhì)主要是三價或五價元素參入少量五價元素參入少量三價元素2 1 半導體基礎(chǔ)知識TextTextText參雜結(jié)果 形成兩種半導體材料12 (1） N型半導體 在本征半導體中摻入五價雜質(zhì)元素（例如磷），可形成 N型半導體 ,也稱 電子型半導體 。在半導體中還存在少子，內(nèi)電場的電場力會對少子產(chǎn)生作用，促使少數(shù)載流子產(chǎn)生 漂移運動 。結(jié)論27 定義 當外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為 正向偏置 ，簡稱 正偏 。勢壘電容示意圖 當外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應地隨之改變，這相當 PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電?？? 結(jié)45謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF
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