模擬電子電路2章1(xxxx02)西北工業(yè)大學(xué)(專業(yè)版)
【正文】 勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容均是非線性電容42(2) 擴(kuò)散電容 CD如果引起 的電壓變化量為 則 :PN結(jié)上的總電容為 :43?溫度升高時(shí)，反向電流將呈指數(shù)規(guī)律增加。此時(shí) PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的 漂移電流大于擴(kuò)散電流 ，可忽略擴(kuò)散電流， PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ?24濃度差擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 促使漂移運(yùn)動(dòng)動(dòng)態(tài)平衡25PN結(jié)最重要的特性是單向?qū)щ娞匦?，先看如下?shí)驗(yàn)。16本征 室溫下 ,本征激發(fā)產(chǎn)生的電子和空穴濃度 :n = p =10 10/cm3摻雜Add Your Title 摻雜濃度 :n =510 16/cm3本征硅Add Your Title本征硅的原子濃度 : 10 22/cm3 雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響2 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)典型的數(shù)據(jù)如下 :17 半導(dǎo)體中的電流飄移電流擴(kuò)散電流 在電場(chǎng)作用下，載流子定向運(yùn)動(dòng)形成的電流。2 1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)導(dǎo) 體半導(dǎo)體絕緣體2?結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：１、外層４個(gè)電子；２、共價(jià)健＋４半導(dǎo)體特性 ： 物質(zhì)的導(dǎo)電能力由物質(zhì)原子的 內(nèi)部 結(jié)構(gòu) 和原子間的 組合方式 決定。?漂移電流產(chǎn)生電子空穴對(duì)11導(dǎo)電性能發(fā)生變化(1) N型半導(dǎo)體(2) P型半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中參入 雜質(zhì) 的半導(dǎo)體稱 雜質(zhì)的半導(dǎo)體 雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素參入少量五價(jià)元素參入少量三價(jià)元素2 1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)TextTextText參雜結(jié)果 形成兩種半導(dǎo)體材料12 (1） N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（例如磷），可形成 N型半導(dǎo)體 ,也稱 電子型半導(dǎo)體 。在半導(dǎo)體中還存在少子，內(nèi)電場(chǎng)的電場(chǎng)力會(huì)對(duì)少子產(chǎn)生作用，促使少數(shù)載流子產(chǎn)生 漂移運(yùn)動(dòng) 。結(jié)論27 定義 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為 正向偏置 ，簡(jiǎn)稱 正偏 。勢(shì)壘電容示意圖 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)上壓降發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng) PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。總 結(jié)45謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF
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