【正文】 當(dāng) PN結(jié)加正向電壓時(shí)， PN結(jié)導(dǎo)通，呈現(xiàn)低阻特性。思考思考 ：當(dāng) Us 分別為 2 V、 4 V，而 ui 分別為 3 V、3sinωt V 時(shí)， uo 的波形又將如何？RLui uouiuott（（ 1）） 單相半波整流單相半波整流 利用二極管的單向?qū)щ娦詫⒔涣麟娮儞Q為脈動(dòng)的直流電利用二極管的單向?qū)щ娦詫⒔涣麟娮儞Q為脈動(dòng)的直流電 。 （ 1）電路如圖，求：電路如圖，求： UAB V陽(yáng)陽(yáng) =－－ 6 V V陰陰 =－－ 12 V V陽(yáng)陽(yáng) V陰陰 二極管導(dǎo)通二極管導(dǎo)通若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB =－－ 6V否則，否則， UAB低于－低于－ 6V一個(gè)管壓降，為－一個(gè)管壓降，為－ －Ｖ或－ 例 2： 取取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開二極管，分析二斷開二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電極管陽(yáng)極和陰極的電位。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為 雜質(zhì)半導(dǎo)體 。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為 自由電子 ，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為 空穴 ?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。空穴的移動(dòng)空穴的移動(dòng)溫度越高，載流子的濃度越高。三價(jià)雜質(zhì) 因而也稱為 受主雜質(zhì) 。(a)點(diǎn)接觸型 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖(3) 平面型二極管 往往用于集成電路制造藝中。若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB = 0 V例 4:D1承受反向電壓為承受反向電壓為 －－ 6 V流過(guò)流過(guò) D2 的電流為的電流為求：求： UAB 在這里，在這里， D2 起箝位作用，起箝位作用， D1起隔離作用。VI↑→ VO↑→ VZ↑→ IZ↑→ IR↑→ VR↑→ VO↓圖 硅穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路(2) 當(dāng)負(fù)載電流變化時(shí)如何穩(wěn)壓 負(fù)載電流 IL的增加，必然引起 IR的增加，即 VR增加，從而使 VZ=VO減小， IZ減小。光電二極管應(yīng)在反壓下工作，而發(fā)光二極管應(yīng)在正偏電壓下工作。這一穩(wěn)壓過(guò)程可概括如下： 這里 VO減小應(yīng)理解為，由于輸入電壓 VI的增加，在穩(wěn)壓二極管的調(diào)節(jié)下，使 VO的增加沒(méi)有那么大而已。V1陽(yáng)陽(yáng) =－－ 6 V， V2陽(yáng)陽(yáng) =0 V， V1陰陰 = V2陰陰 = －－ 12 VUD1 = 6V， UD2 =12V ∵∵ UD2 UD1 ∴∴ D2 優(yōu)先導(dǎo)通，優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。二極管按結(jié)構(gòu)分有 點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型 三大類。 在 P型半導(dǎo)體中 空穴是多數(shù)載流子， 它主要由摻雜形成 ； 自由 電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成。電子空穴對(duì) —— 由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對(duì) 。半導(dǎo)體：介于導(dǎo)體與絕緣體之間，如：典型的半導(dǎo)體有 硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等。 、自由電子和空穴+4 +4+4 +4自由電子空穴束縛電子+4 +4+4 +4在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來(lái)填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。 P型半導(dǎo)體 —— 摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。 (2) PN結(jié)加反向電壓時(shí) ? 高電阻? 很小的反向漂移電流